王先龍
摘 要:本文敘述了ZnO壓敏陶瓷材料的最新研究進(jìn)展,闡述了它的非線性伏安特性,并對(duì)該特性作用機(jī)理進(jìn)行了微觀解析,概述了ZnO壓敏陶瓷材料的發(fā)展趨勢(shì),并對(duì)發(fā)展中遇到的問題提出了建議和解決措施。
關(guān)鍵詞:ZnO;壓敏陶瓷;壓敏材料;非線性伏安特性
1 引言
壓敏材料是指在某一特定電壓范圍內(nèi)材料的電阻值隨加于其上電壓不同而發(fā)生顯著變化的具有非線性歐姆特性的電阻材料,其中以ZnO壓敏陶瓷材料的特性最佳。ZnO是一種新型的功能陶瓷,具有優(yōu)良的非線性伏安特性、極好的吸收浪涌電壓、響應(yīng)速度快、漏電流小等優(yōu)點(diǎn)[1],被廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、軍工設(shè)備、通訊設(shè)備和家庭生活等許多方面。它作為保護(hù)元件在過壓保護(hù)上發(fā)揮著越來越重要的作用,因此加強(qiáng)對(duì)ZnO壓敏陶瓷的深入開發(fā)研究具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
2 ZnO壓敏陶瓷研究現(xiàn)狀
自1968年日本松下公司報(bào)道以來,ZnO壓敏陶瓷因其優(yōu)異的壓敏特性引起了廣泛關(guān)注,如今已然成為高新技術(shù)領(lǐng)域半導(dǎo)體陶瓷發(fā)展的重要一極。經(jīng)過眾多科研工作者近50年堅(jiān)持不懈的探索,在配方、制作工藝、形成機(jī)理及伏安特性的微觀解析等方面都進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,從而全面提升了ZnO壓敏陶瓷的綜合性能。同時(shí)還總結(jié)出了大量適用于工業(yè)生產(chǎn)的制作工藝,擴(kuò)展了使用范圍。
在世界范圍內(nèi),日本生產(chǎn)的功能陶瓷產(chǎn)品占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),歐美國(guó)家也占有相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)份額。與這些發(fā)達(dá)國(guó)家相比,我國(guó)對(duì)功能陶瓷的研究、生產(chǎn)及應(yīng)用開始得較晚,在配方、生產(chǎn)工藝、過程控制及產(chǎn)品性能等方面存在較大差距(例如:高純超細(xì)粉料制備技術(shù);先進(jìn)裝備及現(xiàn)代化檢測(cè)手段;組分設(shè)計(jì)、晶界相與顯微結(jié)構(gòu)控制;新材料、新工藝與新應(yīng)用的探索[2]),尤其是在產(chǎn)業(yè)化方面更甚。近二十年,在現(xiàn)代科技的推動(dòng)下功能陶瓷技術(shù)迅速發(fā)展,我國(guó)功能陶瓷的生產(chǎn)企業(yè)已具有一定的規(guī)模(如珠?;浛凭┤A功能陶瓷有限公司,淄博安德浩工業(yè)陶瓷公司等企業(yè)),但還存在基礎(chǔ)研究投入不足,關(guān)鍵性的研究基礎(chǔ)仍較薄弱,創(chuàng)新能力不足,缺乏生產(chǎn)高端產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)等問題。在世界經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的調(diào)整和我國(guó)供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革的情況下,我國(guó)的功能陶瓷產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著巨大的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
3 ZnO壓敏陶瓷的伏安特性
3.1 ZnO壓敏陶瓷非線性I-V特性
在正常工作范圍內(nèi),ZnO壓敏陶瓷的I-V關(guān)系可以表示為:
I=(V/C)α (1)
其中,I為通過壓敏電阻的電流,V為通過的壓敏電阻器兩端的電壓,C為材料常數(shù),α為非線性系數(shù),它是描述壓敏電阻器非線性強(qiáng)弱的物理量,是評(píng)價(jià)ZnO 壓敏電阻好壞的重要指標(biāo)。
由(1)式可知,α值越大,I-V之間非線性越強(qiáng),ZnO壓敏陶瓷的性能就越強(qiáng)。但α不是一個(gè)常數(shù),當(dāng)壓敏電流在1 mA附近工作時(shí),壓敏電阻器α值可達(dá)到最大值(可達(dá)到50以上),此時(shí)為壓敏電阻器的工作區(qū)域。
3.2 ZnO壓敏陶瓷非線性I-V特性形成機(jī)理解析
ZnO壓敏陶瓷是一種電阻值對(duì)外加電壓敏感的電子元器件,其伏安特性呈非線性,實(shí)際制作的ZnO壓敏陶瓷的伏安特性曲線如圖1所示。
Ⅰ區(qū)常被稱作預(yù)擊穿區(qū),電流密度在0~0.1 mA/cm2范圍,ZnO壓敏陶瓷U-I關(guān)系呈現(xiàn)純電阻特征,且呈高值性。Ⅱ區(qū)被稱作擊穿區(qū),電流密度在此區(qū)域急速上升,在電壓幾乎沒有變化的情況下,電流密度甚至?xí)?06~107數(shù)量級(jí)的變化。電流上升速度越快,電壓上升速度越慢,該區(qū)域的 I-V 曲線越平坦,非線性就越好。該區(qū)域是ZnO壓敏陶瓷的核心區(qū)域,也是其工作區(qū)域。Ⅲ區(qū)被稱作回升區(qū),此區(qū)域的電流密度大于103 A/cm2,電壓隨電流密度的升高而增大,非線性系數(shù)慢慢降低直至消失。在該區(qū)域ZnO壓敏陶瓷非線性變差,逐漸呈現(xiàn)純電阻特征,此時(shí)阻值較與預(yù)擊穿區(qū)時(shí)的阻值相比低很多[3-4]。
ZnO壓敏陶瓷的非線性I-V特性取決于其燒結(jié)體的晶界特性,ZnO屬六方晶系結(jié)構(gòu),Zn和O都是按四面體方式成鍵,晶體結(jié)構(gòu)開放,容易引入雜質(zhì)。摻入 Bi2O3及其他過渡金屬氧化物制成的ZnO壓敏陶瓷電子元器件具有優(yōu)良的非線性 I-V特性,其電阻值通過控制電壓可變化1010倍以上。有研究表明,Bi2O3的作用主要是形成氧從外向內(nèi)擴(kuò)散的通路,而過渡金屬氧化物則形成各種雜質(zhì)受主態(tài)[5],摻雜作用使得ZnO半導(dǎo)體陶瓷的晶界產(chǎn)生大量的缺陷而形成深的陷阱能級(jí),造成ZnO晶界兩端表面能帶彎曲,晶界兩端各有一耗盡層,形成雙肖特基勢(shì)壘,添加劑陽離子在晶界表面形成受主表面態(tài)[6]。
4 ZnO壓敏陶瓷發(fā)展前景
孫洪波,邱玉平等人[9]認(rèn)為,實(shí)現(xiàn)電子器件小型化集成化的關(guān)鍵之一是膜結(jié)構(gòu)的壓敏電阻的使用,業(yè)界對(duì)ZnO膜結(jié)構(gòu)材料的研究主要集中在薄膜、厚膜和復(fù)合膜三方面,低電位、高非線性系數(shù)的ZnO壓敏薄膜和高電位梯度、高非線性系數(shù)的ZnO壓敏厚膜是未來一個(gè)重點(diǎn)研究的方向。董顯林[10]研究表明復(fù)合化、多功能化、低維化、智能化和設(shè)計(jì)、材料、工藝一體化應(yīng)是全球功能陶瓷行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì),其研究會(huì)進(jìn)入納米技術(shù)領(lǐng)域,進(jìn)而發(fā)展到智能材料階段,它是廣大研究者技術(shù)創(chuàng)新、制備工藝創(chuàng)新發(fā)展及社會(huì)需求的必然結(jié)果。
隨著功能陶瓷行業(yè)的高速發(fā)展,ZnO壓敏陶瓷作為一種高新技術(shù)關(guān)鍵材料在全球范圍內(nèi)受到廣泛關(guān)注,其本身的消費(fèi)市場(chǎng)空間潛力巨大。我國(guó)一直高度重視對(duì)功能陶瓷材料的研究,在新材料技術(shù)時(shí)期將向材料結(jié)構(gòu)功能復(fù)合化、功能材料智能化、材料與器件集成化、制備和使用過程綠色化方向發(fā)展。近期國(guó)外的高性能、高梯度ZnO閥片和新型SnO2壓敏材料的研究受到業(yè)界廣泛關(guān)注,國(guó)內(nèi)無論是低壓ZnO壓敏電阻和高壓ZnO閥片還是多層片式ZnO壓敏電阻器的研發(fā)均取得了突出的進(jìn)展[7-8]。從現(xiàn)有的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)及滿足市場(chǎng)需求分析,以科學(xué)院、高校及企業(yè)為聯(lián)合體,預(yù)計(jì)我國(guó)在功能陶瓷行業(yè)在今后5~10年內(nèi)將會(huì)有較大的技術(shù)突破,功能陶瓷行業(yè)前景廣闊。
5 改進(jìn)措施和建議
隨著功能陶瓷材料的迅速發(fā)展,ZnO壓敏陶瓷材料已經(jīng)成為光電技術(shù)等眾多高新技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)材料。針對(duì)現(xiàn)階段存在的問題,為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)ZnO壓敏陶瓷產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,有以下改進(jìn)措施和建議:
(1) 重點(diǎn)突出。我國(guó)在高新技術(shù)研究方面有自身的優(yōu)勢(shì),應(yīng)發(fā)揮所長(zhǎng),將研究的重點(diǎn)與國(guó)家發(fā)展規(guī)劃綱要結(jié)合,整合優(yōu)勢(shì)資源,突出重點(diǎn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合攻堅(jiān),縮小與國(guó)外的差距;
(2) 成果轉(zhuǎn)化。近年來我國(guó)功能陶瓷產(chǎn)業(yè)發(fā)展較緩慢,其主要原因之一是缺少對(duì)科研成果的轉(zhuǎn)化。研究成果不能及時(shí)工業(yè)化,形成規(guī)模生產(chǎn),轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品。要改變這一局面,應(yīng)從長(zhǎng)遠(yuǎn)和全局出發(fā),加大基礎(chǔ)研究投入力度,深化校企合作,建立穩(wěn)定合理的人才梯隊(duì),建立長(zhǎng)效激勵(lì)機(jī)制等措施;
(3) 創(chuàng)新。采用拿來主義,借鑒并吸收國(guó)外成功的經(jīng)驗(yàn)技術(shù),結(jié)合自身的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),加強(qiáng)基礎(chǔ),推陳出新,勇于創(chuàng)新。
6 結(jié)語
ZnO壓敏陶瓷材料具有變阻性,被廣泛使用于電力系統(tǒng)及通訊等眾多行業(yè),發(fā)展前景廣闊。我國(guó)對(duì)ZnO壓敏陶瓷材料的研究起步較晚,目前雖然取得了一些研究成果,但與國(guó)際先進(jìn)水平相比仍然存在較大差距。因此,ZnO壓敏陶瓷材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展應(yīng)在國(guó)家扶持下,重點(diǎn)突出,勇于創(chuàng)新,努力實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化。
參考文獻(xiàn)
[1] 成鵬飛,劉漢臣,張曉軍.ZnO陶瓷的壓敏效應(yīng)及其起源[J].電磁避雷器,2013 (2): 45~48.
[2] 徐翠艷,王文新,李成.半導(dǎo)體陶瓷的研究現(xiàn)狀與發(fā)展前景[J].遼寧工學(xué)院學(xué)報(bào),2005(4):247~249.
[3] 謝杰.氧化鋅壓敏陶瓷制備及氧化釤摻雜改性研究[D].湖北:武漢工程大學(xué),2013:8.
[4] 陳新崗,李凡,桑建平.ZnO壓敏陶瓷伏安特性的微觀解析[J].高電壓技術(shù),2007 (4):33~37.
[5] 成鵬飛,王玉平.于長(zhǎng)豐.ZnO壓敏陶瓷勢(shì)壘高度的測(cè)量及其應(yīng)用[J].電磁避雷器,2010 (5):29~32.
[6] 周健.氧化鋅基半導(dǎo)體材料電子陷阱形成及性能研究[D].南京:南京航空航天大學(xué),2006:4~5.
[7] 范積偉,夏良,張小立.新型壓敏陶瓷材料的研究與進(jìn)展[J].功能材料信息,2010(3).
[8] 國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006~2020年)[Z]. http://www.gov.cn/jrzg/2006-02/09/content_183787.html.
[9] 孫洪波,邱玉平.ZnO膜結(jié)構(gòu)材料的壓敏性能研究進(jìn)展[J].電磁避雷器,2012 (1): 45~49.
[10] 董顯林.功能陶瓷研究進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)[J].中國(guó)科學(xué)院院刊,2003 (6) :407~412.