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    激光調(diào)阻L型切割的仿真分析

    2016-03-23 12:21:39劉建軍王運龍
    電子與封裝 2016年2期
    關(guān)鍵詞:仿真

    劉建軍,王運龍

    (中國電子科技集團公司第38研究所,合肥 230088)

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    激光調(diào)阻L型切割的仿真分析

    劉建軍,王運龍

    (中國電子科技集團公司第38研究所,合肥230088)

    摘 要:激光調(diào)阻具有高效率、高精度,是目前制備高精度印刷電阻的通用方法,廣泛應用于厚膜集成電路、厚膜傳感器等。L型切割精度高,阻值穩(wěn)定性好,是最常用的調(diào)阻切割路徑。對不同L型切割尺寸切割后的電阻進行仿真,分析電阻上的電流密度和發(fā)熱功率分布,得到的結(jié)果與實際經(jīng)驗吻合很好,對L型切割路徑參數(shù)設(shè)置具有指導意義。

    關(guān)鍵詞:激光調(diào)阻;L切割;電流分布;仿真

    1 引言

    厚膜工藝具有成本低、操作簡單、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應用于厚膜混合集成電路,厚膜傳感器等方面。厚膜混合集成電路通常會將無源器件,如電阻、電容、電感等共燒或后燒集成在電路板中,可簡化工藝,縮小電路面積。厚膜傳感器采用后燒電阻構(gòu)成電橋,可用于測量壓力、溫度等信息。這兩方面的應用,都涉及到印刷電阻。由于印刷電阻通常采用絲網(wǎng)印刷方式制作,其操作固有的不精確性、基板表面不均勻以及燒結(jié)條件的不重復性會導致燒結(jié)后的電阻精度不高(阻值最大誤差達30%~40%),為此需對電阻阻值進行精確調(diào)整。激光調(diào)阻由于具有高精度、高效率、無污染等特點,已成為目前最常用的電阻阻值修調(diào)方法[1]。激光調(diào)阻機運行時,會實時檢測待調(diào)電阻阻值,當待調(diào)電阻阻值低于目標值時,激光器會發(fā)出激光束,按設(shè)定的調(diào)阻路徑對待調(diào)電阻進行切割,使電阻材料熔融、蒸發(fā),達到目標值后自動停止。L型和U型調(diào)阻切割路徑是目前最常用的兩種切割方式。前期工藝研究表明,L型調(diào)阻路徑雖然調(diào)阻速度較慢,但精度較高、阻值穩(wěn)定性較好,調(diào)阻精度可達±0.5%[2~5]。L型調(diào)阻路徑分為兩部分,垂直于電流方向的橫向調(diào)阻為粗調(diào),平行于電流方向的縱向調(diào)阻為細調(diào)。粗調(diào)部分的尺寸一般不超過電阻寬度的1/2,以避免通電時電流密度過大燒毀或失效。另外,切割時一定要將電阻切透到露出瓷體,如果不切透,殘留的薄層會造成電阻溫飄大。本文將針對不同切割路徑進行仿真,分析不同粗調(diào)尺寸,以及是否切透等各種情況下電阻上的電流密度和發(fā)熱功率分布情況,與實際產(chǎn)品參數(shù)對比,指導切割路徑參數(shù)設(shè)置。

    2 仿真模型及結(jié)果

    用于壓力傳感器的厚膜電橋電路電阻值通常約為20 kΩ,兩端加載5 V電壓,通過電流為0.25 mA。厚膜基底選用96%的Al2O3。模型中基底尺寸設(shè)為3 mm×3 mm,印刷燒結(jié)后的電阻尺碼設(shè)為0.6 mm× 1.2 mm。模型圖如圖1。

    圖1 印刷電阻模型

    激光調(diào)阻過程中,因為批量的一致性差異,切割路徑差別通常會較大,而且有時參數(shù)設(shè)置不當,如激光功率不夠或電阻厚度過大,還會出現(xiàn)電阻沒有切透的情況。本文仿真選取4種典型的切割情況,按粗調(diào)和細調(diào)的切割長度,以及是否將電阻切透到露出瓷體進行分類,具體描述如表1。

    表1 切割路徑分類

    分別對這5種典型切割路徑進行仿真分析,得到的電流密度分布情況如圖2~6所示。

    圖2 切割路徑1的電流密度分布情況

    圖3 切割路徑2的電流密度分布情況

    圖4 切割路徑3的電流密度分布情況

    圖5 切割路徑4的電流密度分布情況

    圖6 切割路徑5的電流密度分布情況

    在同樣條件下,仿真得到的5種典型切割路徑的電阻發(fā)熱情況如圖7~11所示。

    圖7 切割路徑1的電阻發(fā)熱情況

    圖8 切割路徑2的電阻發(fā)熱情況

    圖9 切割路徑3的電阻發(fā)熱情況

    圖10 切割路徑4的電阻發(fā)熱情況

    圖11 切割路徑5的電阻發(fā)熱情況

    從電流分布仿真結(jié)果可以看出,切透時電阻上電流密度分布的極大值一般出現(xiàn)在L型切割的拐點和終點,電流分布電阻發(fā)熱區(qū)集中在垂直方向上未切割的一段區(qū)域。未切透時,電流密度的極大值出現(xiàn)在L溝道的起點。電阻發(fā)熱區(qū)集中在L溝道未切透的薄層。對仿真結(jié)果進行整理,結(jié)果如表2。

    表2 不同切割路徑的仿真結(jié)果匯總

    3 討論

    為驗證仿真結(jié)果,利用激光調(diào)阻儀LS2000制作了幾種切割路徑的實物,圖12中從左至右分別對應切割路徑1、3、4和5。因為電流密度分布測量困難,因此采用分段測試電壓的方法來評估分段區(qū)域的電流密度情況。以切割路徑3為例,在調(diào)阻儀探卡上焊接4根探針,分別搭接在圖中示意的1、2、3、4四個位置,燒結(jié)后的電阻事先用HF酸處理以除掉可能存在的表面釉,保證探針接觸導通良好。位置1和4之間施加5 V電壓,測量得到V12=0.85 V,V23=1.52 V,V34=2.63 V。采用顯微鏡測量尺寸,尺寸(毫米)信息如圖中標示。用測到的電壓和尺寸信息估算出來的電流密度分布j12=39 mA?mm-2,j23=124 mA?mm-2,j34=36 mA?mm-2,與切割路徑4的電流密度分布仿真結(jié)果(圖5)符合較好。

    圖12 切割路徑實物

    本文模型中,若不需調(diào)阻,電阻上的電流密度分布均勻,應為28 mA?mm-2。從表2結(jié)果中可以看出,若垂直切割距離較大(切割路徑4),或L溝道未切透,剩下較薄電阻層(切割路徑5),均會造成電流密度分布不均勻,電流密度的極大值能達到正常值的5~7倍,可能會超過電阻過壓能力。局部區(qū)域過大的電流密度可能會造成電阻燒毀。而其他3種切割路徑則相對安全。實際切割時的經(jīng)驗值是切割寬度不要超過電阻寬度的1/2,與仿真結(jié)果符合較好。另外,從發(fā)熱功率的分布情況可以看出,L溝道未切透,剩下較薄電阻層(切割路徑5)的情況最為惡劣,電阻發(fā)熱情況會非常集中,肯定會導致電阻工作條件下阻值飄移。因此,在實際調(diào)阻時,必須控制好激光功率,避免產(chǎn)生此類切割。

    4 結(jié)束語

    激光調(diào)阻L型切割時,若垂直方向切割寬度過大,

    會造成局部電流密度過大,可能導致電阻損毀;若厚膜電阻層未切透,殘留薄層發(fā)熱嚴重,會導致電阻溫飄較大。

    參考文獻:

    [1] 李文娟. 厚膜微調(diào)技術(shù)及發(fā)展趨勢[J]. 微納科學與技術(shù),2004:29-34.

    [2] 王姜伙,王志勤. 基于厚膜混合集成電路的激光調(diào)阻工藝研究[J]. 電子與封裝,2012,12(11):34-36.

    [3] 孫繼鳳,湯建華,郭曉光. 激光調(diào)阻工藝參數(shù)對調(diào)阻精度的影響分析[J]. 應用激光,2004,24(3):139-141.

    [4] 孫繼鳳,滿海峰,湯建華,劉立峰. 激光調(diào)阻中切槽質(zhì)量與影響因素的關(guān)聯(lián)定位分析[J]. 激光雜志,2006,27(3):15-17.

    [5] 李穎,等. 厚膜混合電路的激光調(diào)阻技術(shù)[J],2009.

    劉建軍(1985—),男,博士,湖北天門人,畢業(yè)于中國科學技術(shù)大學,現(xiàn)為中國電科第38所工程師,研究方向為電子裝聯(lián);

    王運龍(1988—),男,博士,安徽界首人,畢業(yè)于中國科學技術(shù)大學,現(xiàn)為中國電科第38所工程師,研究方向為電子裝聯(lián)。

    Simulation Analysis of Laser Trimming Using L-Cut

    LIU Jianjun, WANG Yunlong
    (China Electronic Technlogy Group Corporation No.38 Research Institute, Hefei 230088, China)

    Abstract:Laser trimming was the most efficient way for getting high accuracy printing resistance. L-cut was most favorable since the trimmed resistance was stable. Simulation of different L-cut path was done to analysis the current density and heat generation distribution. The simulation result and the actual experience accord well.

    Keywords:laser trimming; L-cut; current density; simulation

    作者簡介:

    收稿日期:2015-11-16

    中圖分類號:TN305.1

    文獻標識碼:A

    文章編號:1681-1070(2016)02-0037-03

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