電容式微加速度計(jì)的刻度溫漂的半解析模型*

何江波，謝　進(jìn)*，何曉平，杜連明，周　吳（.西南交通大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院，成都600；.中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所，四川綿陽(yáng)6900；.電子科技大學(xué)機(jī)械電子工程學(xué)院，成都67）

?

電容式微加速度計(jì)的刻度溫漂的半解析模型*

何江波1，謝進(jìn)1*，何曉平2，杜連明2，周吳3
（1.西南交通大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院，成都610031；2.中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所，四川綿陽(yáng)621900；3.電子科技大學(xué)機(jī)械電子工程學(xué)院，成都611731）

摘要：針對(duì)電容式微加速度計(jì)的刻度溫漂，根據(jù)微加速度計(jì)的檢測(cè)原理及熱變形的分析結(jié)果，建立了刻度溫漂的半解析模型，并在此基礎(chǔ)上分析了刻度溫漂的主要影響因素。分析結(jié)果表明，刻度溫漂由兩部分組成，第一部分主要由單晶硅的彈性模量的溫度系數(shù)決定，可以通過(guò)高摻雜降低；第二部分由微加速度計(jì)的熱變形引起，它的大小與封裝膠的彈性模量、梳齒的寬度、大電容間隙與小電容間隙的比值以及固定梳齒錨點(diǎn)的位置相關(guān)；第一部分和第二部分分別是正數(shù)和負(fù)數(shù)，因此相互補(bǔ)償?；贛EMS體硅微加工工藝，制造了微加速度計(jì)的實(shí)驗(yàn)樣品，刻度溫漂的測(cè)量結(jié)果驗(yàn)證了理論分析結(jié)果的正確性。

關(guān)鍵詞：電容式微加速度計(jì)；刻度溫漂；半解析模型；彈性模量的溫度系數(shù)；封裝效應(yīng)；MEMS

電容式微加速度計(jì)是一種基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的加速度傳感器。電容式微加速度計(jì)的溫漂包括零位溫漂和刻度溫漂兩個(gè)參數(shù)，分別表征了零位和刻度的溫度敏感性。溫漂是影響測(cè)量精度的關(guān)鍵因素之一，特別是當(dāng)電容式微加速度計(jì)應(yīng)用于慣性導(dǎo)航系統(tǒng)時(shí)，溫漂引起的加速度測(cè)量誤差經(jīng)過(guò)二次積分后會(huì)嚴(yán)重影響導(dǎo)航系統(tǒng)的定位精度［1］。

電容式微加速度計(jì)的溫漂研究工作涉及降低措施和理論研究?jī)煞矫?。溫漂降低措施包括恒溫控制、溫度補(bǔ)償和隔離封裝熱應(yīng)力等。李童杰［2］等提出的自恒溫控制方案將零位溫漂由2.1 mg/℃減小到0.2 mg/℃。鄭長(zhǎng)勇［3］等提出的基于三維曲面擬合的溫度補(bǔ)償法將零位溫漂降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。Zwahlen P［4］等使用較軟的封裝膠粘接芯片，從而隔離了電容式微加速度計(jì)的封裝熱應(yīng)力。Schr?der S［5］等利用金屬引線懸浮支撐電容式微加速度計(jì)的芯片，從而隔離了封裝熱應(yīng)力。對(duì)于零位溫漂，目前已有相關(guān)的理論研究。代剛［6］等運(yùn)用有限元方法研究了芯片和檢測(cè)電路的發(fā)熱引起的零位溫漂。Zhang X［7］等運(yùn)用有限元方法研究了封裝引起的芯片翹曲及其對(duì)零位溫漂的影響。周銘［8］等基于縮減剛度矩陣的層合板模型研究了電容式微加速度計(jì)的檢測(cè)電容的溫度特性及其導(dǎo)致的零位溫漂。Dai G［9］等的多物理場(chǎng)有限元仿真結(jié)果表明，制造誤差以及硅與玻璃的熱膨脹系數(shù)失陪是引起零位溫漂的主要原因。對(duì)于刻度溫漂的理論研究，目前還未見(jiàn)公開(kāi)報(bào)道，這不利于設(shè)計(jì)出刻度溫漂較低的電容式微加速度計(jì)。

本文根據(jù)電容式微加速度計(jì)的檢測(cè)原理及熱變形的分析結(jié)果，建立刻度溫漂的半解析模型，并分析影響刻度溫漂的主要因素。

1　檢測(cè)原理

本文研究的微加速度計(jì)如圖1所示，芯片的制造工藝主要包括高鵬擴(kuò)散摻雜、體硅深反應(yīng)離子刻蝕以及硅?玻璃陽(yáng)極鍵合等，芯片通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠粘接于陶瓷管殼上以進(jìn)行封裝。在芯片結(jié)構(gòu)中，硅敏感結(jié)構(gòu)的材料為高硼摻雜的單晶硅，襯底材料為Pyrex 7740玻璃。硅敏感結(jié)構(gòu)的4根彈性折疊梁構(gòu)成了微加速度計(jì)的彈簧，彈簧剛度可以根據(jù)折疊梁在敏感方向的彎曲變形進(jìn)行計(jì)算。位于質(zhì)量塊上的可動(dòng)梳齒與位于錨點(diǎn)上的固定梳齒構(gòu)成了微加速度計(jì)的檢測(cè)電容。微加速度計(jì)采用差分電容檢測(cè)原理，如圖2所示。慣性力使質(zhì)量塊發(fā)生移動(dòng)，從而改變CA與CB的電容間隙，然后固定梳齒上的交流信號(hào)感應(yīng)CA與CB的差值的變化，進(jìn)而在質(zhì)量塊上產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)，再經(jīng)調(diào)制放大得到微加速度計(jì)的輸出電壓：

式中，Vout為輸出電壓，M為由電路參數(shù)決定的系數(shù)。

2　熱變形分析

在MEMS結(jié)構(gòu)中，硅敏感結(jié)構(gòu)的體積通常遠(yuǎn)小于襯底的體積，硅敏感結(jié)構(gòu)對(duì)襯底的熱變形幾乎沒(méi)有影響，這使得硅敏感結(jié)構(gòu)可以被處理為單獨(dú)的模塊，而襯底上表面的熱變形是硅敏感結(jié)構(gòu)模塊的輸入［10］。玻璃襯底粘接于陶瓷上，因此玻璃、環(huán)氧樹(shù)脂和陶瓷構(gòu)成復(fù)合結(jié)構(gòu)，本文稱為封裝模塊。微加速度計(jì)的熱變形分析過(guò)程為：首先分析封裝模塊的熱變形，然后提取襯底上表面的熱變形，并將其作為硅敏感結(jié)構(gòu)模塊的輸入，最后分析硅敏感結(jié)構(gòu)模塊的熱變形。

圖1　微加速度計(jì)的結(jié)構(gòu)示意圖

圖2　微加速度計(jì)的檢測(cè)原理示意圖

2.1封裝模塊

封裝模塊是復(fù)合結(jié)構(gòu)，其熱變形很難得到解析公式，本文采用有限元軟件Comsol Multiphysics［11］分析封裝模塊的熱變形。環(huán)氧樹(shù)脂的彈性模量會(huì)隨溫度升高而減小，特別是在玻璃化溫度附近，但是在玻璃化溫度之前，彈性模量受溫度的影響較?。?2］。由于玻璃化會(huì)顯著降低環(huán)氧樹(shù)脂的彈性模量、熱膨脹系數(shù)、耐化學(xué)性、尺寸穩(wěn)定性等屬性，因此環(huán)氧樹(shù)脂的最高工作溫度通常低于玻璃化溫度［13］。根據(jù)以上分析，在不大的溫度變化范圍之內(nèi)，環(huán)氧樹(shù)脂的彈性模量可以近似處理為常數(shù)。許多研究文獻(xiàn)在分析MEMS器件的封裝熱應(yīng)力時(shí)均采用了這種近似處理方法［8，14］，這可以簡(jiǎn)化分析過(guò)程。同理，本文在分析微加速度計(jì)的熱變形時(shí)將環(huán)氧樹(shù)脂的彈性模量設(shè)定為常數(shù)，環(huán)氧樹(shù)脂以及其它材料的參數(shù)均取自室溫條件（20℃），材料的室溫彈性模量、泊松比和熱膨脹系數(shù)（CTE）列于表1中。封裝模塊的有限元模型如圖3所示，有限元模型采用了對(duì)稱模型以降低模型自由度，模型的溫度變化量為-40℃。

表1　室溫條件下的材料參數(shù)

圖3　封裝模塊的有限元模型

由有限元分析得到的襯底上表面的敏感方向位移如圖4所示。

圖4　玻璃上表面的敏感方向位移

從圖4可以看到，敏感方向位移基本不隨縱坐標(biāo)變化，換言之，可以利用襯底上表面上的任意一條平行于敏感方向的直線來(lái)表征整個(gè)平面的敏感方向位移。對(duì)于如圖3所示的對(duì)稱線，其敏感方向位移如圖5所示。

圖5　對(duì)稱線上的敏感方向位移

從圖5可以看到，位移具有非常好的線性性質(zhì)，尤其是在區(qū)間［-1 000 μm，1 000 μm］內(nèi)。為了方便后文分析，對(duì)位移曲線進(jìn)行線性擬合可以得到：

式中，αeq稱為玻璃上表面的等效熱膨脹系數(shù)，通過(guò)計(jì)算其值約為4.3×10-6/℃。由于陶瓷的熱膨脹系數(shù)大于玻璃的熱膨脹系數(shù)，即陶瓷會(huì)加劇玻璃的熱變形，因此αeq肯定會(huì)大于玻璃的熱膨脹系數(shù)。

2.2硅敏感結(jié)構(gòu)模塊

本節(jié)通過(guò)分析硅敏感結(jié)構(gòu)的熱變形計(jì)算電容間隙的變化量。固定梳齒與錨點(diǎn)直接相連，因此固定梳齒的位移由錨點(diǎn)的熱變形決定，而錨點(diǎn)鍵合在襯底上，其體積遠(yuǎn)小于襯底，因此錨點(diǎn)的熱變形由襯底上表面的熱變形決定?？蓜?dòng)梳齒的位移由質(zhì)量塊的熱變形決定，而質(zhì)量塊的熱變形由單晶硅的熱膨脹系數(shù)決定，因?yàn)榉浅Ｈ彳浀恼郫B梁隔離了錨點(diǎn)對(duì)質(zhì)量塊熱變形的影響。根據(jù)梳齒的幾何位置，梳齒的位移可以表示為：

式中，lm_i、lm_i+1和lf_i代表梳齒到結(jié)構(gòu)中心線的距離，如圖6所示，下標(biāo)A和B分別代表電容CA和CB，m 和f分別代表可動(dòng)梳齒和固定梳齒，i和i+1代表梳齒的編號(hào)。根據(jù)梳齒的位移，電容間隙的變化量以及平均變化量可以表示為：

式中，αs為單晶硅的熱膨脹系數(shù)，d和D為溫度變化之前的小電容間隙和大電容間隙，Lf為固定梳齒錨點(diǎn)在敏感方向的長(zhǎng)度的一半，lf為固定梳齒錨點(diǎn)到結(jié)構(gòu)中心線的距離，N為單個(gè)梳齒結(jié)構(gòu)中的梳齒對(duì)數(shù)。

圖6　梳齒位移的分析示意圖

3　刻度溫漂模型及分析

3.1刻度溫漂模型

溫度變化之后，并且慣性力產(chǎn)生的質(zhì)量塊位移為x，如圖2所示，則CA與CB的溫度變化之后的電容間隙分別為（d+ΔdAi+x）、（D+ΔDAi-x）、（d+ΔdBi-x）和（D+ΔDBi+x）。根據(jù)電容間隙，溫度變化之后的CA與CB可以分別表示為：

式中，yAi=ΔdAi-Δd+x，yBi=ΔdBi-Δd-x，zAi=ΔDAi-ΔD-x，zBi=ΔDBi-ΔD+x，Ω為一對(duì)梳齒的重疊面積，εa為空氣的介電常數(shù)。將式（6）代入式（1）中，則Vout成為yAi，yBi，zAi和zBi的多元函數(shù)，根據(jù)多元函數(shù)的泰勒展開(kāi)定理，Vout可以表示為：

式中，γ=（N-1）/N。由于N通常遠(yuǎn)大于1，因此γ近似等于1。溫度變化之后，質(zhì)量塊位移x可以由慣性力-ma和彈簧剛度計(jì)算得到：

式中，K為溫度變化之前的彈簧剛度，αK彈簧剛度的溫度系數(shù)。將式（8）代入式（7）中，并將γ近似等于1可以得到：

由于刻度表示了單位輸入引起的輸出變化，因此由式（9）可以得到溫度變化之后的刻度：

根據(jù)式（10），刻度溫漂可以表示為：

式中，η等于D/d。

3.2刻度溫漂分析

由式（11）可知，刻度溫漂由兩部分組成，分別由彈簧剛度的溫度系數(shù)和微加速度計(jì)的熱變形引起。根據(jù)硅微諧振器的研究結(jié)果，剛度的溫度系數(shù)等于單晶硅的彈性模量的溫度系數(shù)加上單晶硅的熱膨脹系數(shù)（2.6×10-6/℃），低摻雜硅的彈性模量的溫度系數(shù)為-63×10-6/℃，因此低摻雜硅的剛度的溫度系數(shù)約為-60.4×10-6/℃［15］。高摻雜可以降低單晶硅的彈性模量的溫度系數(shù)的絕對(duì)值，例如當(dāng)硼的摻雜濃度達(dá)到1020cm-3時(shí)，單晶硅的彈性模量的溫度系數(shù)降低到約-20×10-6/℃［16］。對(duì)于摻雜濃度與彈性模量的溫度系數(shù)之間的關(guān)系，較完整的測(cè)量數(shù)據(jù)還未見(jiàn)公開(kāi)報(bào)道。對(duì)于本文研究的微加速度計(jì)，由于高硼擴(kuò)散摻雜是其敏感結(jié)構(gòu)的制造工藝之一，硼離子濃度隨著結(jié)構(gòu)高度變化，因此彈性模量的溫度系數(shù)同樣會(huì)隨結(jié)構(gòu)高度變化，這使得微加速度計(jì)剛度的溫度系數(shù)的準(zhǔn)確值較難計(jì)算，剛度的溫度系數(shù)是大于-60.4×10-6/℃的負(fù)數(shù)。由于刻度溫漂的第一部分等于剛度溫度系數(shù)的相反數(shù)，因此刻度溫的漂第一部分是小于60.4×10-6/℃的正數(shù)。

相關(guān)的研究表明，減小封裝膠的彈性模量可以減小MEMS器件的熱變形［4，14］。對(duì)于本文研究的微加速度計(jì)，封裝膠的彈性模量通過(guò)αeq影響器件的熱變形，進(jìn)而影響刻度溫漂?？潭葴仄牡诙糠蛛S封裝膠彈性模量的變化趨勢(shì)如圖7所示，當(dāng)彈性模量從4.5 GPa減小到0.1 GPa時(shí)，刻度溫漂第二部分的絕對(duì)值從228×10-6/℃減小到80×10-6/℃，說(shuō)明減小封裝膠的彈性模量可以降低刻度溫漂的第二部分。

圖7　SFTD2隨膠彈性模量的變化

根據(jù)圖8，固定梳齒錨點(diǎn)的半長(zhǎng)Lf可以表示為：

式中，t為梳齒寬度。將式（12）代入式（11），刻度溫漂的第2部分可以表示為：

由式（13）可以得出，刻度溫漂第二部分SFTD2是t和lf的線性函數(shù)，減小t和lf可以降低SFTD2。SFTD2是η的非線性函數(shù)，當(dāng)η趨近于1以及∞時(shí)，SFTD2都將趨近于-∞，因此SFTD2將在某一特定η值達(dá)到極值。SFTD2隨η的變化曲線如圖9所示，當(dāng)η等于3.9時(shí)，SFTD2達(dá)到極值?194.6×10-6/℃。在SFTD2-η函數(shù)曲線的極值點(diǎn)右側(cè)，SFTD2隨η的變化比較平緩。由于微加速度計(jì)的線性度會(huì)隨著η的增大而顯著增大［17］，因此綜合考慮刻度溫漂和線性度，η的設(shè)計(jì)值應(yīng)取在SFTD2-η函數(shù)曲線的極值點(diǎn)右側(cè)。

圖8　梳齒結(jié)構(gòu)示意圖

圖9　SFTD2隨η的變化

4　實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

4.1實(shí)驗(yàn)方法

微加速度計(jì)的制造工藝包括高鵬擴(kuò)散摻雜、體硅深反應(yīng)離子刻蝕以及硅-玻璃陽(yáng)極鍵合等，微加速度計(jì)的電子掃描顯微鏡圖（SEM圖）如圖10所示。

為了測(cè)量微加速度計(jì)的刻度溫漂，將微加速度計(jì)及其測(cè)量電路安放于可以精確控溫的溫箱內(nèi)，從而測(cè)量不同溫度下的刻度。通過(guò)在敏感方向±1 gn翻轉(zhuǎn)微加速度計(jì)可以測(cè)量得到刻度，若微加速度計(jì)在+1 gn和-1 gn狀態(tài)時(shí)的輸出分別為Vout（+1）和Vout（-1），則刻度可以表示為：

假設(shè)微加速度計(jì)的工作溫度從T1變化到T2，則刻度溫漂的計(jì)算式為：

式中，乘以系數(shù)106的目的是將刻度溫漂的單位轉(zhuǎn)化為10-6/℃。

4.2實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

本文首先測(cè)量5個(gè)微加速度計(jì)的刻度溫漂的溫度曲線，測(cè)量點(diǎn)包括5℃、20℃、35℃、50℃、65℃、與80℃，溫度曲線的測(cè)量結(jié)果如圖11所示。從圖中可以看出，所有溫度曲線都是單調(diào)遞減的，即刻度溫漂為負(fù)數(shù)，與第3節(jié)的分析結(jié)果是吻合的。根據(jù)溫度曲線的單調(diào)特性，刻度溫漂可以由兩個(gè)定點(diǎn)溫度的刻度測(cè)量結(jié)果計(jì)算得到，本文實(shí)驗(yàn)的固定溫度點(diǎn)分別為5℃與55℃，這樣的測(cè)量方法可以提高實(shí)驗(yàn)效率，利于得到更多的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

圖11　刻度溫漂曲線的測(cè)量結(jié)果

圖12　刻度溫漂的測(cè)量結(jié)果

圖12列出了由5℃與55℃的刻度值計(jì)算得到的15個(gè)微加速度計(jì)的刻度溫漂數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)隨機(jī)分布于區(qū)間［148.2×10-6/℃，181.3×10-6/℃］內(nèi)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的隨機(jī)性可能是由兩方面原因造成的，一是測(cè)量誤差，二是制造誤差的隨機(jī)特性導(dǎo)致的微加速度計(jì)的實(shí)驗(yàn)樣品的電容間隙不相同［9］。刻度溫漂的測(cè)量結(jié)果的平均值約為-166.8×10- 6/℃，小于-139.6×10-6/℃，與第3節(jié)的研究結(jié)論是吻合的。由刻度溫漂的實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果以及刻度溫漂第二部分的計(jì)算結(jié)果可知，刻度溫漂第一部分約為33.2×10-6/℃，換言之，高硼摻雜使單晶硅的彈性模量的溫度系數(shù)由-63×10-6/℃變?yōu)?35×10-6/℃。

5　結(jié)論

本文建立了電容式微加速度計(jì)的刻度溫漂的半解析模型，并分析了影響刻度溫漂的主要因素?？潭葴仄蓛刹糠纸M成，并且相互補(bǔ)償。第一部分主要由單晶硅彈性模量的溫度系數(shù)決定，并且受到摻雜程度的影響。第二部分由微加速度計(jì)的熱變形引起，大小受到封裝膠的彈性模量、梳齒的寬度、電容大小間隙的比值和固定梳齒錨點(diǎn)的位置的影響。

本文未來(lái)的工作是對(duì)微加速度計(jì)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化從而降低刻度溫漂，特別是利用刻度溫漂的第一部分和第二部分相互補(bǔ)償?shù)奶匦浴?/p>

參考文獻(xiàn)：

［1］Titterton D H，Weston J L. Strapdown Inertial Navigation Technol?ogy［M］. 2nd Edition. Stevenage：Institution of Electrical Engi?neers，2004：336-342.

［2］李童杰，劉云峰，董景新，等.微加速度計(jì)溫度特性及敏感元件自恒溫方案［J］.清華大學(xué)學(xué)報(bào)，2010，50（7）：1013-1017.

［3］鄭長(zhǎng)勇，陳軍寧.一種新型MEMS加速度計(jì)溫度補(bǔ)償方法研究［J］.傳感技術(shù)學(xué)報(bào)，2015，28（1）：39-42.

［4］Zwahlen P，Dong Y，Nguyen A，et al. Breakthrough in High Perfor?mance Inertial Navigation Grade Sigma-Delta MEMS Accelerome?ter［C］//International Conference on Position Location and Naviga?tion Symposium，2012：15-19.

［5］Schr?der S，Nafari A，Persson K，et. al. Stress-Minimized Packag?ing of Inertial Sensors Using Wire Bonding［C］//17th International Conference on Solid-State Sensors，Actuators and Microsystems，2013：1962-1965.

［6］代剛，李枚，杜連明，等.微加速度計(jì)啟動(dòng)漂移特性研究與實(shí)驗(yàn)［J］.傳感技術(shù)學(xué)報(bào)，2011，24（10）：1416-1421.

［7］Zhang X，Park S，Judy M W. Accurate Assessment of Packaging Stress Effects on MEMS Sensors by Measurement and Sensor-Package Interaction Simulations［J］. Journal of Microelectro-Me?chanical Systems，2007，16（3）：639-649.

［8］周銘，徐大誠(chéng)，郭述文.硅微電容式加速度計(jì)熱致封裝效應(yīng)的層合分析［J］.傳感技術(shù)學(xué)報(bào)，2015，28（7）：953-957.

［9］Dai G，Li M，He X，et al. Thermal Drift Analysis Using a Multi?physics Model of Bulk Silicon MEMS Capacitive Accelerometer ［J］.Sensors and Actuators A：Physical，2011，172：369-378.

［10］Myers D R，Azevedo R G，Li C，et al. Passive Substrate Tempera?ture Compensation of Doubly Anchored Double- Ended Tuning Forks［J］. Journal of Microelectro-Mechanical Systems，2012，21 （6）：1321-1328.

［11］COMSOL中國(guó). Introduction To COMSOL Multiphysics［EB/OL］. http：//cn.comsol.com/shared/downloads/IntroductionToCOMSOL?Multiphysics_CN_50.pdf.

［12］Polansky R，Mentlik V，Prosr P，et al. Influence of Thermal Treat?ment on the Glass Transition Temperature of Thermosetting Epoxy Laminate［J］. Polymer Testing，2009，28：428-436.

［13］Master Bond. How To：Optimizing the Glass Transition Tempera?ture［EB/OL］. http：//www.masterbond.com/techtips /how-optimiz?ing-glass-transition-temperature-tg.

［14］Liu J，Shi Y，Li P，et. al. Experimental Study on the Package of High- g Accelerometer［J］. Sensors and Actuators A：Physical，2012，173：1-8.

［15］Samarao A，Ayazi F. Temperature Compensation of Silicon Reso?nators via Degenerate Doping［J］. Journal of Microelectromechani?cal Systems，2012，59（1）：87-93.

［16］Ng E J，Ahn C H，Yang Y，et al. Localized，Degenerately Doped Epitaxial Silicon for Temperature Compensation of Resonant MEMS Systems［C］//17th International Conference on Solid-State Sensors，Actuators and Microsystems，2013：2419-2422.

［17］He J，Xie J，He X，et. al. Calculating Capacitance and Analyzing Nonlinearity of Microaccelerometers by Schwarz-Christoffel Map?ping［J］. Microsystem Technologies，2014，20（6）：195-1203.

何江波（1987-），男，博士研究生，2011年獲得西南交通大學(xué)碩士學(xué)位，2011年起攻讀西南交通大學(xué)博士學(xué)位，主要從事于MEMS慣性器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、穩(wěn)定性及可靠性方面的研究，chuihaol @aliyun.com；

謝進(jìn)（1959-），男，教授，博士生導(dǎo)師，1982年畢業(yè)于西南交通大學(xué)機(jī)械工程系，主要從事于機(jī)構(gòu)學(xué)、機(jī)器人及設(shè)計(jì)自動(dòng)化，機(jī)構(gòu)混沌邊緣、混沌控制及反控制方面的研究，xj_6302@263.net。

ThêoH Analysis of Random Error Properties for FOG

XU Dongsheng1，2，LU Ming1*，JIA Changzhi2，Kang Haiying2
（1.College of Field Engineering，PLA University of Sci & Tech，Nangjing 210007，China；2.Ordnance Engineering College，Shijiazhuang 050003，China）

Abstract：Analysis of random error properties was the key of engineering development for fiber optic gyroscope （FOG）. Aimed at disadvantages of Allan variance，total variance and Thêo1，ThêoBR was given based on Thêo1 by correcting the bias between Thêo1 and Allan variance. The ThêoH was obtained by integrating Allan variance with ThêoBR. The equivalent degrees of freedom of Allan variance，total variance，Thêo1 and ThêoH were calculated and random error properties of simulation experiment and test signal were analyzed. ThêoH could solve problems of low?er confidence coefficient of Allan variance and bias of Thêo1，which was the best method to analyze random error properties for fiber optic gyroscope at present.

Key words：fiber optic gyroscope；random error；ThêoH variance；unbiased estimation

doi：EEACC：7230E；763010.3969/j.issn.1004-1699.2016.01.010

收稿日期：2015-07-29修改日期：20156-10-22

中圖分類號(hào)：TH824.4

文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

文章編號(hào)：1004-1699（2016）01-0045-06

項(xiàng)目來(lái)源：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51175437)