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    PMN-32PT∶Er/Yb晶體的結(jié)構(gòu)及性能研究

    2016-03-10 00:46:51何愛(ài)國(guó)惠增哲方頻陽(yáng)李曉娟
    關(guān)鍵詞:綠光紅光介電常數(shù)

    何愛(ài)國(guó),惠增哲,方頻陽(yáng),龍 偉,李曉娟

    (西安工業(yè)大學(xué) 陜西省光電功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室/材料與化工學(xué)院,西安 710021)

    PMN-32PT∶Er/Yb晶體的結(jié)構(gòu)及性能研究

    何愛(ài)國(guó),惠增哲,方頻陽(yáng),龍 偉,李曉娟

    (西安工業(yè)大學(xué) 陜西省光電功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室/材料與化工學(xué)院,西安 710021)

    為改善PMN-32PT晶體的光學(xué)性能,引入Er3+和Yb3+進(jìn)行改性,采用高溫溶液法生長(zhǎng)了PMN-32PT∶Er/Yb弛豫鐵電晶體.通過(guò)X射線衍射分析了晶體的相結(jié)構(gòu),利用高溫介電溫譜儀、準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀、紫外-可見(jiàn)-近紅外吸收光譜儀及FLS980穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀分別測(cè)試了晶體的介電、壓電、光吸收及上轉(zhuǎn)換發(fā)光性能.研究結(jié)果表明:晶體具有純的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),居里溫度(Tc)約為148.3 ℃,室溫下最大壓電常數(shù)為1 230 pC/N,在紫外-可見(jiàn)-近紅外波段晶體具有一定的光吸收特性.用波長(zhǎng)為980 nm的激光激發(fā)晶體,觀察到強(qiáng)的綠光和紅光發(fā)射帶,分別對(duì)應(yīng)于Er3+的4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的躍遷發(fā)射.晶體的4S3/2和4F9/2能級(jí)的平均壽命為91.40 μs和167.28 μs.稀土離子的摻入,使晶體具備了較強(qiáng)的光吸收和上轉(zhuǎn)換發(fā)光特性.

    鈣鈦礦結(jié)構(gòu);躍遷發(fā)射;能級(jí)壽命;光吸收;上轉(zhuǎn)換發(fā)光

    近年來(lái),以Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)為代表的鉛基弛豫鐵電單晶成為鐵電材料領(lǐng)域中的一個(gè)研究熱點(diǎn).該類材料具有典型的A(B1B2)O3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu),其在準(zhǔn)同型相界處具有優(yōu)異的壓電、介電和鐵電性能,以及高的機(jī)電耦合系數(shù) (k33) 和良好的溫度穩(wěn)定性[1-2].圍繞PMN-xPT單晶,人們進(jìn)行了深入研究,包括其生長(zhǎng)技術(shù),壓電、介電性能及其影響因素[3],晶體沿[001]和[111][4-5]等不同取向的性能,以及金屬元素?fù)诫s[6]對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響等.研究結(jié)果表明,PMN-xPT晶體的壓電常數(shù) (d33)高達(dá)2 000~2 500 pC/N,機(jī)電耦合系數(shù) (k33)>90%[7-8],應(yīng)變>0.6%,Bridgman法的采用使得大尺寸晶體的獲得變?yōu)楝F(xiàn)實(shí).PMN-xPT晶體基本可以滿足水下聲納、醫(yī)學(xué)超生換能器及壓電致動(dòng)器等[9]器件的使用要求.然而關(guān)于PMN-xPT晶體的光學(xué)性能卻有待改善.

    稀土離子Er3+、Ho3+和Tm3+等具有豐富的能級(jí)結(jié)構(gòu)[10-11],借助4f層不同軌道間電子的躍遷,可使材料獲得一定的上轉(zhuǎn)換發(fā)光性能.Yb3+在980 nm波長(zhǎng)附近具有大的吸收截面,可作為良好的敏化劑來(lái)增強(qiáng)中心離子的發(fā)光強(qiáng)度.利用Er3+/Yb3+和Ho3+/Yb3+共摻改善材料的光學(xué)性能已在玻璃、陶瓷及薄膜等多個(gè)體系被廣泛研究.文獻(xiàn)[12]采用水熱法合成NaLuF4∶Yb3+/Er3+/Gd3+微晶,并在980 nm紅外光源激發(fā)下,通過(guò)4F9/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2的電子躍遷,實(shí)現(xiàn)了紅光和綠光的輻射.文獻(xiàn)[13]在研究Er3+、Yb3+摻雜的fluoro-tellurite 玻璃時(shí),同樣在980 nm激發(fā)下,觀察到了紅光和綠光的發(fā)射帶,同時(shí)討論了玻璃的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制,并希望將該類材料應(yīng)用于光學(xué)放大器.文獻(xiàn)[14]在研究Yb3+/Ln3+(Ln=Ho,Er,Tm)共摻雜的Y2Ti2O7陶瓷時(shí),在二極管激光器激發(fā)下,同樣觀察到了強(qiáng)的綠光、黃光和藍(lán)光發(fā)射,同時(shí),對(duì)上轉(zhuǎn)換發(fā)光強(qiáng)度和激發(fā)功率之間的關(guān)系也進(jìn)行了研究.但是對(duì)于PMN-xPT晶體的雙摻改性還未有文獻(xiàn)報(bào)道,其在光學(xué)元器件中的使用受到限制.

    為了拓展晶體的使用范圍,本文在PMN-xPT晶體的基礎(chǔ)上,引入稀土離子Er3+和Yb3+進(jìn)行改性,期望在維持晶體優(yōu)異的電學(xué)性能的同時(shí),獲得較強(qiáng)的光學(xué)性能,使晶體成為一種潛在的,可應(yīng)用于光電耦合器件制造方面的新材料.

    1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程及方法

    以MgO、Nb2O5、PbO、TiO2、Er2O3和Yb2O3為原料,首先通過(guò)MgO和Nb2O5反應(yīng)合成MgNb2O6(MN),再將MN、PbO和TiO2按化學(xué)方程式進(jìn)行配比,并加入過(guò)量的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為70%的PbO,配成PMN-32PT組分混合料.在此基礎(chǔ)上加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的Er2O3和Yb2O3,通過(guò)混合、球磨和烘干等一系列步驟,獲得新晶體生長(zhǎng)所需的原料.裝晶體生長(zhǎng)原料于鉑金坩堝中并壓實(shí),再將鉑金坩堝置于剛玉坩堝中,周圍用剛玉粉 (Al2O3)支撐,加蓋密封,最后將剛玉坩堝置于超高溫硅鉬棒電爐內(nèi),在預(yù)設(shè)程序下進(jìn)行晶體生長(zhǎng).晶體生長(zhǎng)完畢后,將坩堝置于稀硝酸中煮沸,使晶體與坩堝分離.

    將晶體顆粒研成粉末,采用日本生產(chǎn)的島津XRD-6000型X射線衍射(X-Ray Diffraction,XRD)儀測(cè)試晶體的相結(jié)構(gòu),測(cè)試條件為Cu靶Kα(λ=1 154 nm),掃描范圍(2θ)為10°~80°;對(duì)晶片進(jìn)行鍍銀處理后,采用Agilent E4980測(cè)試不同頻率(0.1 kHz、1 kHz、10 kHz和100 kHz)下介電常數(shù)(ε)和損耗(tanδ)隨溫度的變化情況;采用d33準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試儀測(cè)試晶片試樣不同位置的壓電常數(shù);最后采用紫外-可見(jiàn)-近紅外吸收光譜儀和FLS980穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀測(cè)試晶體的光吸收、上轉(zhuǎn)換發(fā)光和熒光壽命.

    2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

    2.1 晶體形貌

    圖1(a)為為晶粒的宏觀形貌.晶體為淡黃色,形狀多為不規(guī)則多面體,尺寸大小不一,最大晶粒尺寸約為4 mm×5 mm.圖1(b)為其中一個(gè)晶體的掃描及能譜分析圖.

    圖1 PMN-32PT∶Er/Yb晶體的形貌Fig.1 Morphology of PMN-32PT∶Er/Yb crystal

    在晶粒表面可以明顯看到類似韌窩的無(wú)數(shù)凹坑,凹坑深度較大,內(nèi)壁呈螺旋狀,表現(xiàn)出典型的層狀生長(zhǎng)方式.對(duì)凹坑周圍區(qū)域進(jìn)行能譜(Energy Dispersive Spectrometer,EDS)分析,按重量百分比顯示的結(jié)果見(jiàn)表1,由表1可以看出,凹坑中心O元素流失,Er和Yb元素大量富集.O元素的流失主要是多余的氧化物及形成的各種鹽雜質(zhì)在分離晶體過(guò)程中被熱硝酸腐蝕所致,也造成該位置Er及Yb元素的比例上升.

    2.2 晶體相結(jié)構(gòu)

    圖2為PMN-32PT∶Er/Yb晶體的X射線衍射圖譜.通過(guò)Jade軟件分析可知,晶體中檢測(cè)到的布拉格衍射峰位置均與Pb(Mg0.333Nb0.667)O3(PDF#81-0861)衍射峰位置相一致,如圖2(a)所示,無(wú)任何雜峰出現(xiàn),表明晶體具有純的鈣鈦礦相結(jié)構(gòu).為了研究Er3+和Yb3+對(duì)基體晶格結(jié)構(gòu)的影響,同時(shí)做出了PMN-32PT晶體的XRD圖譜(圖2(a)中虛線).將兩者(110)晶面所對(duì)應(yīng)的衍射峰放大,結(jié)果如圖2(b)所示,對(duì)比可發(fā)現(xiàn)摻雜體系相對(duì)于未摻雜體系,其衍射峰位置均向小角度方向偏移.這是由于Er3+和Yb3+進(jìn)入到基體晶格的格點(diǎn)位置上,其離子半徑(Er3+為0.089 nm,Yb3+為0.086 8 nm)大于原來(lái)B位上的離子半徑(Mg2+為0.072 nm,Nb為0.064 nm),使得晶格發(fā)生畸變,晶格常數(shù)變大.

    表1 PMN-32PT∶Er/Yb晶體的EDS分析結(jié)果

    圖2 PMN-32PT∶Er/Yb晶體的XRD圖譜

    2.3 晶體的介電性能

    圖3為不同頻率下PMN-32PT∶Er/Yb晶體的介電常數(shù)(ε)和介電損耗(tanδ)隨溫度的變化情況.不同頻率下曲線的形狀基本一致,介電常數(shù)在148.3 ℃附近取得峰值,此時(shí)晶體發(fā)生鐵電-順電的相變過(guò)程,對(duì)應(yīng)居里溫度(Tc)為148.3 ℃,這和以前文獻(xiàn)報(bào)道的純的PMN-32PT晶體的居里溫度(約150 ℃)[15-16]相差不大.另外,介電常數(shù)曲線在峰值處平滑過(guò)渡,并且隨頻率的增大,峰值向高溫方向移動(dòng),說(shuō)明晶體存在彌散相變和頻率色散現(xiàn)象,這是典型的弛豫鐵電體特性.低溫下的介電損耗主要電偶極矩翻轉(zhuǎn)引起,不同頻率下的介電損耗在居里溫度處大致相同,并取得最小值.在居里溫度向上到200 ℃之間,介電損耗取得最小值,因?yàn)榇藭r(shí)晶體處于順電立方相,正負(fù)電荷中心重合,電偶極矩消失,由電偶極矩翻轉(zhuǎn)引起的損耗也隨即消失.之后隨著溫度進(jìn)一步升高,介電損耗急劇增大,此時(shí)主要由漏電流引起.此規(guī)律符合一般的弛豫鐵電體特性.

    圖3 PMN-32PT∶Er/Yb晶體的介電溫譜

    對(duì)弛豫鐵電體而言,介電常數(shù)和測(cè)試溫度之間的關(guān)系應(yīng)滿足修正的居里-外斯定律,其表達(dá)式為

    (1)

    式中:γ為彌散性指數(shù),用以衡量相變弛豫性的程度,范圍為1≤γ≤2.γ=1時(shí),材料為正常鐵電體,γ=2時(shí),材料為理想的弛豫鐵電體;εm為介電常數(shù)最大值;Tm為最大介電常數(shù)所對(duì)應(yīng)溫度;C為居里常數(shù).采用式(1)對(duì)PMN-32PT∶Er/Yb晶體在居里溫度以上區(qū)域的介電行為進(jìn)行擬合,所得結(jié)果如圖4所示.四個(gè)測(cè)試頻率下所得γ值分別為1.79,1.93,1.96和1.98,這說(shuō)明晶體的介電弛豫行為和測(cè)試頻率有關(guān),隨頻率的增大,弛豫性增強(qiáng),晶體相變彌散度增大.

    2.4 晶體的壓電性能

    對(duì)晶體試樣進(jìn)行鍍銀、極化處理后,逐點(diǎn)進(jìn)行壓電性能測(cè)試,結(jié)果見(jiàn)表2.試樣1的最大壓電常數(shù)為1 230pC/N,試樣2的最大壓電常數(shù)為1 161pC/N,這和文獻(xiàn)報(bào)道的PMN-30PT的壓電常數(shù)[17]基本相當(dāng)(約1 240pC/N).說(shuō)明稀土離子的摻入,并沒(méi)有對(duì)晶體的壓電性能造成明顯影響.

    圖4 不同頻率下Ln(1/ε-1/εm)與Ln(T-Tm)的關(guān)系圖

    由于晶體取向不同,所測(cè)壓電常數(shù)存在一定差距,晶體沿最優(yōu)性能方向上的壓電常數(shù)應(yīng)不小于所測(cè)最大值.

    2.5 晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光性能

    圖5為不同功率下PMN-32PT∶Er/Yb晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光測(cè)試結(jié)果,激發(fā)源選用波長(zhǎng)為980 nm的半導(dǎo)體激光器.在450~750 nm的檢測(cè)范圍內(nèi),共出現(xiàn)三個(gè)明顯的發(fā)射帶,分別位于綠光區(qū)和紅光區(qū),綠光的發(fā)射強(qiáng)度明顯高于紅光.通過(guò)對(duì)Er3+能級(jí)結(jié)構(gòu)的分析,綠光和紅光的發(fā)射帶分別對(duì)應(yīng)于4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的躍遷發(fā)射.此外,由圖5可以明顯看到,綠光帶出現(xiàn)典型的峰劈裂現(xiàn)象,相比較而言,紅光帶則為一寬化的發(fā)射峰,但峰上存在幾處突起,因此,可推測(cè)該寬化的發(fā)射峰可能是幾個(gè)峰疊加組成.隨激發(fā)功率的增加,綠光和紅光的強(qiáng)度都明顯增強(qiáng).

    表2 PMN-32PT∶Er/Yb晶體的壓電常數(shù)

    圖5 PMN-32PT∶Er/Yb晶體在980 nm激發(fā)下的上轉(zhuǎn)換熒光圖譜

    Fig.5 UC emission spectra under 980 nm excitation of PMN-32PT∶Er/Yb crystals

    為了進(jìn)一步研究紅光區(qū)發(fā)射峰的形成,對(duì)其進(jìn)行高斯分峰擬合處理,所得結(jié)果如圖6所示.不同功率激發(fā)下擬合曲線與測(cè)試曲線高度吻合,說(shuō)明擬合結(jié)果具有很好的可靠性.同時(shí)每個(gè)功率下出現(xiàn)三個(gè)高斯分峰,峰值位置分別位于波長(zhǎng)655 nm,667 nm和682 nm處.文獻(xiàn)[18]曾報(bào)道過(guò)ZrO2:Er3+,Yb3+納米晶在紅光區(qū)出現(xiàn)分峰現(xiàn)象,并將其歸于晶場(chǎng)作用下,Er3+能級(jí)產(chǎn)生分裂,同時(shí)引入群理論進(jìn)行計(jì)算,得出計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本一致.因此本文也將分峰的出現(xiàn)歸于PMN-32PT晶體場(chǎng)對(duì)稀土離子能級(jí)結(jié)構(gòu)的影響.

    圖6 在同一激發(fā)波長(zhǎng)(980 nm),不同激發(fā)功率下,4F9/24I15/2能級(jí)躍遷所對(duì)應(yīng)的上轉(zhuǎn)換發(fā)射光譜及高斯多峰擬合結(jié)果

    2.6 晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制

    為確定上轉(zhuǎn)換發(fā)光的激發(fā)機(jī)制,通常采用式(2)[19-22]來(lái)表示上轉(zhuǎn)換發(fā)光強(qiáng)度IUC和激發(fā)功率IPump之間的關(guān)系,表達(dá)式為

    (2)

    式中:n為將電子從較低能級(jí)激發(fā)到較高能級(jí)所吸收的激發(fā)源的光子數(shù).圖7為PMN-32PT∶Er/Yb晶體在980 nm激光作用下的發(fā)光強(qiáng)度和激發(fā)功率的對(duì)數(shù)關(guān)系圖.對(duì)其進(jìn)行線性擬合,得到三個(gè)斜率值分別為1.921,1.919和1.875,考慮到能級(jí)之間的無(wú)輻射躍遷,因此可以認(rèn)為,位于4S3/2和4F9/2的電子都是基態(tài)電子依次吸收兩個(gè)紅外光子產(chǎn)生躍遷的結(jié)果,即雙光子作用是本次實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)生上轉(zhuǎn)換綠光,紅光的發(fā)光機(jī)制.

    圖7 PMN-32PT∶Er/Yb晶體在980 nm波長(zhǎng)激發(fā)下的上轉(zhuǎn)換發(fā)光強(qiáng)度(logIlum)和激發(fā)功率(logP)之間的關(guān)系

    圖8為Er3+和Yb3+的能級(jí)圖及電子可能的躍遷途徑.由于Yb3+在980 nm波長(zhǎng)處具有大的吸收截面,且能將能量完全傳遞給Er3+,因此Yb3+和Er3+之間的能量傳遞作用為該體系中上轉(zhuǎn)換發(fā)光的主要方式.位于Er3+基態(tài)上的電子,接收位于Yb3+激發(fā)態(tài)上電子傳遞的能量,躍遷到4I11/2能級(jí)上,此過(guò)程稱為能量傳遞上轉(zhuǎn)換[23](Energy Transfer Upconversion,ETU),表達(dá)式為

    4I15/2(Er3+)+2F5/2(Yb3+)→4I11/2(Er3+)+

    2F7/2(Yb3+)

    (3)

    位于4I11/2上的電子,有兩種躍遷渠道.一部分再次通過(guò)ETU2過(guò)程到達(dá)更高能級(jí)4F7/2,另一部分則先無(wú)輻射弛豫到4I13/2,之后通過(guò)ETU2過(guò)程到達(dá)4F9/2,表達(dá)式為

    4I11/2(Er3+)+2F5/2(Yb3+)→4F7/2(Er3+)+

    2F7/2(Yb3+)

    (4)

    4I13/2(Er3+)+2F5/2(Yb3+)→4F9/2(Er3+)+

    2F7/2(Yb3+)

    (5)

    到達(dá)4F7/2能級(jí)上的電子,先通過(guò)兩次無(wú)輻射弛豫到4S3/2,之后直接返回到基態(tài)4I15/2,同時(shí)放射出波長(zhǎng)為564 nm的光子.位于4F9/2上的電子,則一次性返回到基態(tài)4I15/2,同時(shí)放射出波長(zhǎng)為665 nm的光子.

    除Yb3+和Er3+之間的能量傳遞外,Er3+在980 nm波長(zhǎng)處也有吸收.位于基態(tài)上的Er3+,通過(guò)基態(tài)吸收 (Ground State Absorption,GSA)和激發(fā)態(tài)吸收[24-25](Excited State Absorption,ESA)到達(dá)4F7/2能級(jí),之后經(jīng)過(guò)無(wú)輻射弛豫到4S3/2,最后返回到基態(tài)4I15/2,同時(shí)放射出一個(gè)波長(zhǎng)為564 nm的光子.通過(guò)ETU和ESA兩種過(guò)程,PMN-32PT∶Er/Yb晶體成功實(shí)現(xiàn)了上轉(zhuǎn)換發(fā)光,發(fā)射出了紅光和綠光.

    2.7 晶體的熒光壽命

    在波長(zhǎng)為980 nm的激光作用下,對(duì)PMN-32PT∶Er/Yb晶體不同能級(jí)的熒光壽命進(jìn)行測(cè)試,所得結(jié)果如圖9所示,通過(guò)式(6)[23,26]對(duì)其進(jìn)行擬合,表達(dá)式為

    I(t)=I0×[A+B1exp(-t/τ1)+B2exp(-t/τ2)]

    (6)

    得到4S3/2的能級(jí)壽命為21.1μs和98.46μs,4F9/2的能級(jí)壽命為43.44μs和186.91μs.再通過(guò)式(7)[27]計(jì)算平均壽命τm,表達(dá)式為

    (7)

    得到4S3/2和4F9/2的平均壽命為91.40us和167.28us.

    圖8 Er3+/Yb3+的能級(jí)圖及PMN-32PT∶Er/Yb晶體980 nm波長(zhǎng)作用下的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制

    圖9 PMN-32PT∶Er/Yb晶體在980 nm波長(zhǎng)作用下不同能級(jí)的衰減曲線

    3 結(jié) 論

    1) 采用高溫溶液法生長(zhǎng)了PMN-32PT∶Er/Yb晶體,晶體為純的鈣鈦礦相結(jié)構(gòu),相比于未摻雜體系,所有衍射峰均向小角度方向偏移.

    2) 晶體的居里溫度為148.3 ℃,具有明顯的彌散相變和頻率色散現(xiàn)象,同時(shí)具有較好的溫度穩(wěn)定性.

    3) 1kHz下晶體的介電常數(shù)為4 176,損耗為0.064,最大壓電常數(shù)為1 230PC/N.

    4) 晶體在紫外-可見(jiàn)-近紅外波段具有較強(qiáng)的光吸收特性.在980nm激光激發(fā)下,晶體出現(xiàn)了強(qiáng)的綠光和紅光發(fā)射帶,分別對(duì)應(yīng)于4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的躍遷發(fā)射,綠光和紅光的發(fā)射均屬于雙光子作用機(jī)制.

    5) 晶體的4S3/2和4F9/2能級(jí)的平均壽命為91.40μs和167.28μs.

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    (責(zé)任編輯、校對(duì) 潘秋岑)

    Investigation of Structure and Properties of PMN-32PT∶Er/Yb Crystals

    HEAiguo,XIZengzhe,F(xiàn)ANGPinyang,LONGWei,LIXiaojuan

    (School of Materials and Chemical Engineering,Shaanxi Key Laboratory of Photoelectric Functional Materials and Devices, Xi’an Technological University,Xi’an 710021,China)

    PMN-32PT crystals co-doped with ions Er3+and Yb3+were grown by the flux method to improve its optical properties.The structure of as-grown crystals was performed by X-ray diffraction.The dielectric,piezoelectric constant,light absorption and UC emission properties were characterized by Agilent E4980A,Quasi-Static d33 tester,UV-VIS-NIR spectrophotometer and FLS980 steady-transient state spectrometer respectively.It was indicated: The crystals were of pure perovskite phase structure.The Curie temperature (Tc) was 148.3 ℃.The piezoelectric constant (d33) of crystal was up to 1 230 pC/N at room temperature.Special absorption at UV-VIS-NIR bands was obtained.Moreover,strong green and red emission were observed under the excitation at 980 nm,which corresponds to the transition emission of Er3+from2H11/24I15/2,4S3/2→4I15/2(green),and4F9/2→4I15/2(red).In addition,mean energy level lifetime of4S3/2and4F9/2levels were 91.40 μs and 167.28 μs,respectively.The crystals posses strong light absorption and upconversion luminescence with rare earth doping.

    perovskite phase structure;transition emission; energy level lifetime;light absorption;upconversion luminescence

    10.16185/j.jxatu.edu.cn.2016.12.007

    2016-05-22

    973計(jì)劃項(xiàng)目 (2013CB632900);國(guó)家自然科學(xué)基金 (51472197);陜西省教育廳重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研計(jì)劃基金(14JK1333)

    何愛(ài)國(guó)(1990-),男,西安工業(yè)大學(xué)碩士研究生.

    惠增哲(1965-),男,西安工業(yè)大學(xué)教授,主要研究方向?yàn)楣δ芫w生長(zhǎng)技術(shù)和深過(guò)冷快速凝固技術(shù). E-mail:zzhxi@xatu.edu.cn.

    TB34

    A

    1673-9965(2016)12-0981-08

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