高性能海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模擬器設(shè)計(jì)

趙 微，張志永，宗 宇

(北京時(shí)代民芯科技有限公司，北京 100076)

高性能海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模擬器設(shè)計(jì)

趙 微，張志永，宗 宇

(北京時(shí)代民芯科技有限公司，北京 100076)

介紹了一種高速海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的模擬器，即基于NANDFlash陣列的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器模型，該模型采用多通道和多Interleave管理模式，形成以數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、傳輸為核心的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)SoC平臺(tái)。主要完成對(duì)FTL算法和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的有效性能測(cè)試，目前該模型具有一定的有效性，速度快，穩(wěn)定性高。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)；高性能；多通道；海量

0 引言

在社會(huì)高度信息化和大數(shù)據(jù)廣泛應(yīng)用的今天，如何實(shí)現(xiàn)高速采集和海量存儲(chǔ)已經(jīng)成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理的研究熱點(diǎn)，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器已經(jīng)不能夠滿足高速存儲(chǔ)的需求。Flash作為一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，具有體積小、功耗低、重量輕、堅(jiān)固耐用等特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中。Flash分為NOR和NAND兩種類型[1]，NAND相比NOR具有存儲(chǔ)密度大、寫入和擦除速度快、功耗更低、芯片引腳兼容性更好等優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)是存儲(chǔ)容量小、無(wú)效塊、管理復(fù)雜，使控制管理SoC電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

在軍事和航空航天領(lǐng)域，F(xiàn)lash經(jīng)常被用作衛(wèi)星數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、遙感數(shù)據(jù)記錄儀、衛(wèi)星機(jī)載微存儲(chǔ)器等。面對(duì)星載高性能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器對(duì)大容量、高速度的要求，以及Flash芯片型號(hào)的差異、硬件資源和成本等不同因素的存在，使系統(tǒng)資源分配和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)評(píng)估困難，因此本文重點(diǎn)研究突破高性能海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中涉及的關(guān)鍵管理算法和技術(shù)，并基于此用C++語(yǔ)言編寫完成Flash存儲(chǔ)管理軟件模擬器，該模擬器對(duì)各個(gè)模塊以及相關(guān)參數(shù)建立有效模型，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的復(fù)雜性、可行性以及系統(tǒng)性能進(jìn)行有效評(píng)估，為真正的高性能海量存儲(chǔ)系統(tǒng)提供可靠技術(shù)基礎(chǔ)。

1 模擬器涉及的關(guān)鍵技術(shù)

1.1 多通道技術(shù)

本模型采用多通道技術(shù)，即同時(shí)支持多個(gè)通道并行傳輸，通過(guò)拓寬FlashI/O的位數(shù)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)宏觀上的并行操作，由4片8位Flash芯片組成32位寬的Flash子模塊，使Flash芯片在邏輯上是連續(xù)的，共用相同的控制信號(hào)，包括片選信號(hào)、讀寫信號(hào)、芯片內(nèi)部地址等。該技術(shù)使數(shù)據(jù)吞吐量提高4倍、8倍甚至16倍。

1.2 多級(jí)Interleave級(jí)技術(shù)

多級(jí)Interleave技術(shù)讓多個(gè)Flash芯片流水線式交替工作。在Flash芯片加載命令、地址和數(shù)據(jù)之后，芯片開始自動(dòng)編程，將載入到頁(yè)寄存器的數(shù)據(jù)寫入內(nèi)部存儲(chǔ)單元，最后進(jìn)行數(shù)據(jù)檢測(cè)，如果正確，繼續(xù)加載數(shù)據(jù)，如果不正確，則重新編程。本模型采用多級(jí)Interleave設(shè)計(jì)，在時(shí)間上實(shí)現(xiàn)了復(fù)用，以避免Flash芯片由于自動(dòng)加載時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降，有效提高存儲(chǔ)速率和存儲(chǔ)容量。

1.3 編碼與解碼

為了保證數(shù)據(jù)的完整性和可靠性，同時(shí)降低電路面積，本模型采用了一種伴隨式-錢搜索混合結(jié)構(gòu)的ECC算法[2]。經(jīng)過(guò)測(cè)試表明，該ECC編碼電路通過(guò)104個(gè)校驗(yàn)比特可以糾正碼組中任意8位隨機(jī)錯(cuò)誤并且運(yùn)行可靠，ECC編碼是保證MLCFlash數(shù)據(jù)可靠性的關(guān)鍵，對(duì)于2KB/Page的MLCFlash，該算法可以滿足32位隨機(jī)錯(cuò)誤的糾正。

圖2 Flash陣列結(jié)構(gòu)圖

1.4FTL管理算法

閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)使Flash被上層文件系統(tǒng)訪問(wèn)時(shí)就像一個(gè)普通的磁盤存儲(chǔ)器，將其模擬成標(biāo)準(zhǔn)的塊設(shè)備以屏蔽其寫前擦除的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)文件系統(tǒng)對(duì)Flash的讀、寫、擦除操作。目前經(jīng)典FTL算法的映射策略有很多，本文采用的是改進(jìn)的S-FTL算法[3]，基于分組映射技術(shù)的FTL算法，充分減小系統(tǒng)的RAM系統(tǒng)消耗，均衡實(shí)現(xiàn)對(duì)各擦除單元(塊)的擦除操作，從而延長(zhǎng)Flash的使用壽命。

2 模擬器涉及的關(guān)鍵技術(shù)

基于多通道技術(shù)和多級(jí)Interleave技術(shù)對(duì)系統(tǒng)模型進(jìn)行設(shè)計(jì)，使用C++軟件語(yǔ)言完成系統(tǒng)模型的編寫。

2.1 模型的整體框架

模擬器的運(yùn)行是按照事件驅(qū)動(dòng)來(lái)推動(dòng)各個(gè)子模塊的運(yùn)行，相對(duì)于時(shí)間驅(qū)動(dòng)，事件驅(qū)動(dòng)使存儲(chǔ)模型的仿真時(shí)間大大縮短并且流程更清晰明確。整體結(jié)構(gòu)如圖1所示。該模型由MCU、Buffer、Interleave、Trace、Encoder、Decoder、Dnlink、Uplink8個(gè)獨(dú)立子模塊組成，其中Trace為輸入激勵(lì)模塊，Buffer為緩沖區(qū)模塊，Interleave為Flash芯片模塊，Encoder和Decoder分別為編碼和譯碼模塊，各個(gè)模塊之間相互獨(dú)立并且相互關(guān)聯(lián)。

圖1 NAND存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)框架

2.2Flash存儲(chǔ)優(yōu)先級(jí)

采用多通道和多級(jí)Interleave結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，NAND的連接框圖如圖2所示。不同通道的NAND結(jié)構(gòu)完全相同，每級(jí)Interleave包括相同個(gè)數(shù)的NAND芯片，所有芯片完全相同且互相獨(dú)立，數(shù)據(jù)最小單位是扇區(qū)(Sector)，F(xiàn)lash的最小存儲(chǔ)單位是頁(yè)。

2.3 編碼與譯碼

Encoder模塊主要功能是對(duì)每個(gè)數(shù)據(jù)塊(Sector)生成校驗(yàn)碼(Crc)，校驗(yàn)碼的位寬通過(guò)變量Crcwidth來(lái)表示，Crcwidth大小主要由糾錯(cuò)位數(shù)和碼長(zhǎng)計(jì)算而得，當(dāng)模擬器寫數(shù)據(jù)時(shí)，Encoder模塊將每個(gè)數(shù)據(jù)塊以及校驗(yàn)碼共同寫入緩沖區(qū)中。Encoder模塊工作示意圖如圖3所示。

圖3 Encoder模塊工作示意圖

Decoder模塊主要功能是計(jì)算出每個(gè)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行解碼，并計(jì)算出譯碼需要的時(shí)鐘周期。譯碼過(guò)程如圖4所示，譯碼由取余迭代、錢搜索和ECC糾錯(cuò)三部分組成，當(dāng)數(shù)據(jù)塊譯碼之后將有效數(shù)據(jù)寫入緩沖區(qū)中。

圖4 Decoder模塊工作示意圖

2.4 各模塊的接口

軟件模型借助系統(tǒng)硬件接口的思想，通過(guò)某些接口變量實(shí)現(xiàn)各個(gè)模塊之間的通信，完成不同模塊之間的相互控制和反饋。各個(gè)模塊之間的參數(shù)接口如圖5所示。整個(gè)模擬器看似一個(gè)硬件系統(tǒng)，每個(gè)子模塊都對(duì)各自運(yùn)作的時(shí)鐘進(jìn)行記錄，子模塊通過(guò)事件計(jì)算出需要的時(shí)鐘周期，依次累加。每個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)都需要對(duì)參數(shù)狀態(tài)變量進(jìn)行更新。

2.5MCU控制單元

MCU模塊作為模型的主要控制單元，對(duì)數(shù)據(jù)的讀寫控制是核心，決定整個(gè)模型的運(yùn)作流程。MCU模塊主要功能是對(duì)其他各個(gè)模塊進(jìn)行初始化和設(shè)置、狀態(tài)監(jiān)控、發(fā)送指令以及中斷處理等，另外內(nèi)嵌FTL算法和均衡損耗等計(jì)算。

在Flash的讀寫控制中，約定不同通道訪問(wèn)的優(yōu)先級(jí)為channel1>channel2>channel3>…，而每個(gè)通道中Flash的優(yōu)先級(jí)是Flash1>Flash2>Flash3…。

圖5 軟件模型中不同模塊之間的接口實(shí)現(xiàn)

2.5.1 讀控制

(1)系統(tǒng)上電以后，MCU向各個(gè)通道的Flash芯片發(fā)送讀指令和讀地址，其發(fā)送順序與優(yōu)先級(jí)順序一致，F(xiàn)lash接收到命令后準(zhǔn)備需要讀出的數(shù)據(jù)。

(2)在某一個(gè)通道中，一旦某一片F(xiàn)lash進(jìn)入數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好狀態(tài)，則Dnlink總線暫停MCU指令的傳輸，開始譯碼數(shù)據(jù)并存儲(chǔ)至Buffer的空閑頁(yè)中。

(3)一旦Buffer中有頁(yè)滿狀態(tài)，向MCU申請(qǐng)中斷，開啟Uplink總線向主機(jī)讀出數(shù)據(jù)。

2.5.2 寫控制

(1)系統(tǒng)上電以后，Trace模塊作為輸入激勵(lì)，開始向Buffer輸入數(shù)據(jù)直到所有數(shù)據(jù)都傳輸完畢。同時(shí)MCU依次向各個(gè)通道的Flash發(fā)送寫指令和地址，直到Buffer出現(xiàn)頁(yè)滿中斷或者所有的Flash處于等待數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

(2)一旦Buffer中有頁(yè)滿狀態(tài),向MCU申請(qǐng)滿中斷，如果對(duì)應(yīng)Flash寫入指令結(jié)束，則開始啟動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸，否則等待繼續(xù)等待指令。

(3)Buffer向Flash傳輸一個(gè)整頁(yè)之后，相應(yīng)頁(yè)為空，繼續(xù)從Trace模塊接收新的數(shù)據(jù)。

3 仿真驗(yàn)證

根據(jù)理論硬件系統(tǒng)，設(shè)定模型的各個(gè)參數(shù)：Decoder和Flash的工作頻率為40MHz，其他模塊的工作頻率為80MHz，扇區(qū)大小為1 024B，F(xiàn)lash頁(yè)大小為4 096B，Uplink的數(shù)據(jù)帶寬為64bit，Dnlink的數(shù)據(jù)帶寬為8bit。Flash的命令和地址以及編程、讀、擦除需要的時(shí)間均根據(jù)對(duì)應(yīng)的芯片手冊(cè)進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。本次仿真中Flash的頁(yè)編程時(shí)間為200μs，頁(yè)讀取時(shí)間為25ns，塊擦除時(shí)間為1 500μs。模擬器的工作流程如圖6所示。

圖6 主函數(shù)流程圖

為了獲得最優(yōu)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，對(duì)1 024個(gè)扇區(qū)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫測(cè)試，針對(duì)系統(tǒng)通道(channel)數(shù)量、Interleave級(jí)別數(shù)量以及Buffer中的頁(yè)(page)數(shù)量進(jìn)行仿真測(cè)試，對(duì)應(yīng)結(jié)果分別如圖7、圖8、圖9所示。其中左側(cè)為讀測(cè)試結(jié)果，右側(cè)為寫測(cè)試結(jié)果。

圖7中，在Page頁(yè)數(shù)和Interleave級(jí)別不變的情況下，通道個(gè)數(shù)對(duì)讀、寫速度均有很大的影響，隨著通道個(gè)數(shù)的增多，讀寫速度越來(lái)越快，呈現(xiàn)線性增長(zhǎng)的趨勢(shì)。但代價(jià)是通道個(gè)數(shù)越多對(duì)緩沖區(qū)的空間需求就越大。圖8中，無(wú)論通道個(gè)數(shù)為多少，Interleave級(jí)別對(duì)讀速度影響很小，對(duì)寫速度來(lái)說(shuō)有一個(gè)飽和值，當(dāng)Interleave級(jí)別達(dá)到3之后，寫速度保持峰值不變。圖9中，緩沖頁(yè)個(gè)數(shù)對(duì)讀和寫速度的影響均很小。

圖7 通道個(gè)數(shù)對(duì)速度的影響

圖8 Interleave級(jí)別個(gè)數(shù)對(duì)速度的影響

圖9 Buffer中Page個(gè)數(shù)對(duì)速度的影響

因此，在配置系統(tǒng)結(jié)構(gòu)時(shí)應(yīng)使通道個(gè)數(shù)盡量取大，但是應(yīng)該避免出現(xiàn)只有一個(gè)緩沖頁(yè)或者Interleave級(jí)別大于3的情況。從結(jié)果看出，本模擬器能夠?yàn)镕TL算法和ECC算法進(jìn)行評(píng)估，而且為優(yōu)化系統(tǒng)資源和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)提供可靠的技術(shù)支持。

4 結(jié)論

本文介紹了一種大容量、高數(shù)據(jù)吞吐率的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模擬器，以系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)性能作為主要出發(fā)點(diǎn)，對(duì)系統(tǒng)中涉及的關(guān)鍵技術(shù)和算法進(jìn)行重點(diǎn)分析。多次仿真結(jié)果表明該模擬器能真實(shí)有效地對(duì)資源優(yōu)化配置和性能評(píng)估提供可靠的技術(shù)指導(dǎo)，下一步需要對(duì)模擬器繼續(xù)優(yōu)化完善，例如增加數(shù)據(jù)壓縮等功能。

[1] 朱知博．基于NANDFLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J]．現(xiàn)代電子技術(shù)，2011，34(8)：170-173．

[2] 張志永，宗宇，褚曉斌．航天計(jì)算機(jī)與微電子專業(yè)組學(xué)術(shù)會(huì)議經(jīng)文集[C]．北京：中國(guó)航天科技集團(tuán)公司科技委，2013．

[3] 張志永，宗宇，謝俊玲，等．航天計(jì)算機(jī)與微電子專業(yè)組學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C]．北京：中國(guó)航天科技集團(tuán)公司科技委，2014：326-331．

Designofhighperformancemassdatastoragesimulator

ZhaoWei，ZhangZhiyong，ZongYu

(MXTronicsCorporation,Beijing100076,China)

Thepaperintroducesadesignschemeofhigh-speedmassdatastorage,whichisbasedonFlasharray.Themodelusesthemuti-channelandmulti-interleavemanagementmode.Itformsasystemonachip(SoC)platformofdatastoragewhichtakesdatastorageanddatatransmissionascore.MaintagetistocompletetheperformancetestofFlashtranslationlayer(FTL)algorithmandstoragesystemstructure.Nowthismodelisprovedtobevalid,fastspeedandhighstability.

datastorage;highperformance;multiplechannel;massstorage

TP

ADOI： 10.19358/j.issn.1674- 7720.2016.22.012

趙微，張志永，宗宇. 高性能海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模擬器設(shè)計(jì)[J].微型機(jī)與應(yīng)用，2016,35(22)：43-46.

2016-05-22)

趙微(1988-)，通信作者，女，碩士，工程師，主要研究方向：嵌入式系統(tǒng)。E-mail:zhaowei0425@126.com。

張志永(1981-)，男，碩士，高級(jí)工程師，主要研究方向：嵌入式系統(tǒng)。

宗宇(1972-)，男，本科，研究員，主要研究方向：IC設(shè)計(jì)。