東南大學信息科學與工程學院 孫天慧 黃爾平 羅 汀
530nW超低功耗高效率能量收集芯片設計
東南大學信息科學與工程學院 孫天慧 黃爾平 羅 汀
本文基于動態(tài)占空比控制技術設計了一個超低功耗高效率的BUCK型能量收集芯片,動態(tài)占空比控制技術可以根據(jù)負載電流調整BUCK開關電源的占空比以提高效率。電路在CSMC 0.35μm CMOS工藝下設計,仿真顯示,在工作電壓為5.5V時,電路欠壓時功耗為360nA,在無負載正常輸出時功耗為530nA,峰值效率為96%。
動態(tài)占空比控制;低功耗;高效率;BUCK轉換器;能量收集
微能量收集包括各種能量來源,比如動能、電磁能、熱能、原子能和生物能等。由于無線與低功耗電子器件的發(fā)展,以及傳感器、微電子機械能量系統(tǒng)(MEMS)等組件的不斷進步,引發(fā)了能量收集技術的基礎性變革,在未來一些新興的大量應用中,有望應用到能量收集技術來供電[1]。對于功率密度僅在幾百μW/cm2到幾十mW/cm2之間的環(huán)境能量(包括光、溫差、振動等),如此之小的能量要采集并使用它,就必須盡量減小收集過程和電壓轉換過程的損耗。
能量收集芯片的電路架構如圖1.1所示,除了10μH電感和47μF電容外,其他部分均在內部集成,主要模塊包括:整流橋電路、超低功耗基準電路、電壓檢測電路(過壓欠壓檢測)、振蕩器、控制邏輯和占空比控制電路[2]、功率管及其驅動器、電感電流檢測比較器A1和輸出電壓檢測比較器A2。
圖1.1 能量收集芯片電路架構
電路采用PWM和PFM混合控制模式[3],電路架構的主要工作特點為:
(1)占空比控制電路:為數(shù)字電路,它可以根據(jù)輸出電壓和振蕩器的脈沖數(shù)決定振蕩器輸出脈沖的占空比,相當于結合了PFM和PWM兩種控制模式。
(2)動態(tài)控制低功耗模式:當輸出電壓達到要求時,讓部分電路進入低功耗模式,可以有效減小電路本身的功耗,在高低負載下均保持高效率。
(3)相比于傳統(tǒng)的PWM控制模式:這里采用數(shù)字式占空比控制,可以取消開關電源的模擬環(huán)路,不用考慮穩(wěn)定性問題,能夠極大的降低電路復雜度和功耗。
1.1 振蕩器
振蕩器要求能夠提供15%、35%、55%和75%占空比的輸出時鐘信號,為了控制振蕩器的功耗,這里選用對電容充放電的結構,振蕩器結構示意圖如圖1.2所示。
圖1.2 振蕩器結構示意圖
通過控制不同權值的電流源對電容沖放電實現(xiàn)對占空比的控制,電流權值通過電流鏡加上控制開關ABCD來實現(xiàn),而控制字D1D0由占空比控制電路提供。通過設置單位電流,閾值電壓VTH和VTL的差值以及充放電電容的大小可以準確的確定輸出占空比,輸出Vpulse為振蕩器的輸出時鐘信號。
1.2 邏輯控制電路
邏輯控制電路[4]主要實現(xiàn)輸出功率PMOS管和續(xù)流NMOS管的時序控制,使得控制功率管NMOS和PMOS的柵極控制信號不交疊,同時能夠滿足開關電源的控制邏輯。根據(jù)BUCK控制器的原理得到如圖1.3所示的邏輯控制電路。
圖1.3 邏輯控制電路原理框圖
圖中Vpulse為振蕩器輸出的時鐘,Vi0為電感電流檢測放大器A1的輸出,時序控制邏輯滿足,當輸出功率管PMOS導通時,續(xù)流管NMOS關斷;當功率管PMOS關斷后,續(xù)流管NMOS打開,并且當電感電流減小到零時續(xù)流管NMOS被關斷。不交疊時序控制是為了保證功率管PMOS和續(xù)流管NMOS不會同時導通,并且存在一定的死區(qū)時間以防止直通電流損耗能量。
1.3 占空比控制電路
占空比控制電路根據(jù)振蕩器的脈沖數(shù)來決定振蕩器輸出時鐘的占空比,由數(shù)字時序邏輯電路實現(xiàn)。如圖1.4所示。其基本思想是:重載時振蕩器連續(xù)輸出的時鐘數(shù)較多(比如大于UP),為克服負載消耗的能量,此時應該增大振蕩器輸出時鐘的占空比(與PWM控制原理相同),這樣可以減小振蕩器連續(xù)輸出的脈沖數(shù),即振蕩器的工作時間以及電路中各個模塊的切換次數(shù)以降低功耗;在輕載時振蕩器連續(xù)輸出的時鐘數(shù)較少(比如小于DN),此時應該減小振蕩器輸出時鐘的占空比,這樣可以增大振蕩器連續(xù)輸出的脈沖數(shù)。這種方法可以減小輸出電壓的紋波,并將振蕩器的輸出時鐘脈沖數(shù)保持在一個范圍內,也即結合PFM和PWM兩種控制模式。
1.4 輸出電壓檢測比較器
圖1.4 占空比控制原理框圖
圖1.5 輸出電壓檢測比較器原理圖
輸出電壓檢測比較器是一個改進型高增益比較器,主要由前置放大器,鎖存器和自偏置差分放大器[5]構成,如圖1.5所示。差分放大器提供小信號增益,鎖存器在進一步放大信號的同時實現(xiàn)鎖存功能,使得比較器具有遲滯功能,自偏置放大器可以克服擺率的限制。
整體版圖如圖2.1所示,芯片共有26個IO口,核心面積為0.63×0.83mm2。由于輸入輸出電流較大,所以電源IO口有7個,地IO口有8個,為了保證電流通路,IO口和芯片內部連接使用粗金屬線。芯片核心面積為0.63× 0.83mm2,加IO口和seal ring之后總面積為1.77×1.9mm2。
圖2.1 芯片整體版圖
仿真結果表明,在輸入電壓范圍2.7~5.5V時,輸出電壓為穩(wěn)定的1.8V,最大帶載能力超過100mW。電路欠壓時功耗為360nA,在無負載正常輸出時功耗為530nA,峰值效率達到96%。當負載為50Ω時,各節(jié)點電壓波形如圖3.1所示。
圖3.1 50Ω負載時瞬態(tài)波形
進行效率仿真時,設置輸出電壓初始狀態(tài),并在輸出端施加一個恒流源,通過計算輸出總功耗和輸入總功耗后兩者相除得到效率。由于輸入電壓和負載電流均為恒定值,所以只需要計算輸出電壓和輸入電流的平均值即可算的功耗。三種電源電壓下的效率匯總圖如圖3.2所示。當負載電流在幾十微安到幾十毫安時效率均在80%以上。