等離子體激勵(lì)器對(duì)氣膜冷卻效率的影響

張 倩，何立明，肖 陽(yáng)，2，白曉峰，蘇建勇，代勝吉

（1.空軍工程大學(xué) 航空航天工程學(xué)院，西安 710038；2.陸航研究所，北京 101114；3.中國(guó)人民解放軍93256部隊(duì)，沈陽(yáng)110043；4.空軍飛行試驗(yàn)訓(xùn)練基地，河北 滄州 061000）

0 引 言

提高渦輪前燃?xì)鉁囟仁呛娇杖細(xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)獲得更高推重比和熱效率的重要途徑。目前先進(jìn)性能發(fā)動(dòng)機(jī)的渦輪前燃?xì)鉁囟雀哌_(dá)1 900K以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出燃燒室和渦輪等熱端部件材料的耐高溫性能極限，必須采用相應(yīng)的高效冷卻技術(shù)進(jìn)行熱防護(hù)。在各種冷卻技術(shù)中，氣膜冷卻的應(yīng)用最為廣泛且最具前景，提高氣膜冷卻效率的關(guān)鍵是降低冷卻氣膜出流的穿透率和提高氣膜的貼壁性，為此，Barigozzi［1］、蔣永?。?－3］等人提出在氣膜孔上游設(shè)置斜坡，James Heidmann［4］等人提出新型反渦孔結(jié)構(gòu)，Shih［5］等人提出在氣膜孔下游設(shè)置流向肋等等，來(lái)改善氣膜冷卻效果。

近年來(lái)，非平衡等離子體流動(dòng)控制技術(shù)受到了國(guó)內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注，Jamey Jacob［6］等人對(duì)交流介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)控制邊界層流動(dòng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，發(fā)現(xiàn)在靠近激勵(lì)器處的氣流速度加速明顯，Alan R.Hoskinson［7］等人對(duì)“線－面”形表面介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)器誘導(dǎo)靜止空氣流動(dòng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，為提高氣膜冷卻效率提供了新的思路。Chin－Cheng Wang［8］等人數(shù)值研究了介質(zhì)阻擋放電等離子體對(duì)氣膜冷卻效率的影響，結(jié)果表明主流速度較低（＜20m／s）時(shí)等離子體激勵(lì)能顯著增強(qiáng)氣膜的貼壁效果，而較高（100m／s）時(shí)則需要大幅提高等離子體激勵(lì)的電動(dòng)體積力。因此，就氣膜冷卻的控制和強(qiáng)化而言，介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)方法是可行的，有望在今后航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫部件的氣膜冷卻設(shè)計(jì)中發(fā)揮重要的作用。然而等離子體氣動(dòng)激勵(lì)改善氣膜冷卻效果的作用機(jī)制還不是很清楚，且有關(guān)等離子體激勵(lì)器的結(jié)構(gòu)和激勵(lì)參數(shù)對(duì)氣膜冷卻影響規(guī)律研究的文獻(xiàn)還未見報(bào)道。為此，本文研究等離子體激勵(lì)器的結(jié)構(gòu)參數(shù)和激勵(lì)參數(shù)對(duì)氣膜冷卻效率的影響規(guī)律，進(jìn)一步分析等離子體激勵(lì)提高氣膜冷卻效果的影響因素及作用機(jī)制，為等離子體激勵(lì)器的結(jié)構(gòu)、參數(shù)優(yōu)化和提高激勵(lì)能力提供依據(jù)。

1 物理模型與計(jì)算方法

1.1 物理模型

圖1是介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)誘導(dǎo)氣膜冷卻流動(dòng)的物理模型，主要由熱主流通道、冷卻射流通道和冷卻氣供氣腔組成，主流通道下壁面為被冷卻壁面。冷卻射流通道為單個(gè)圓孔，與主流的夾角為35°，孔徑D＝0.002m，長(zhǎng)徑比為3；主流通道寬、高和長(zhǎng)分別為3D、15D和49.74D，冷卻射流孔前緣距主流入口18D，后緣距主流出口30D；供氣腔寬3D，高6D，長(zhǎng)10D。

圖1 介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)誘導(dǎo)氣膜冷卻流動(dòng)示意圖Fig.1 Schematic diagram offilm cooling with DBD plasma actuation

激勵(lì)器采用銅質(zhì)電極，厚0.001D，寬0.45D，結(jié)構(gòu)參數(shù)和放置位置如圖2所示。2電極的垂直間距0.12D，水平間距0.02D，激勵(lì)器弧形電極內(nèi)徑r＝0.5D，外徑R＝1.42D，激勵(lì)器左右邊界與中心呈150°，暴露電極緊靠氣膜孔敷設(shè)。絕緣介質(zhì)材料為聚四氟乙烯，其介電常數(shù)為2.3。這些結(jié)構(gòu)參數(shù)為激勵(lì)器的基準(zhǔn)參數(shù)，在研究激勵(lì)器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)氣膜冷卻效率影響時(shí)，改變其中一個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)時(shí)，其他結(jié)構(gòu)參數(shù)則保持這些基準(zhǔn)值不變。為對(duì)不同激勵(lì)器參數(shù)變化下的電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行具體分析，在主流通道底壁展向中心線和暴露電極流向后端交匯處，分別垂直于壁面和沿壁面選取2個(gè)長(zhǎng)度為0.05D的觀察線OA和OB線。

1.2 介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)模型

介質(zhì)阻擋等離子體對(duì)氣流的作用體現(xiàn)在施加體積力和加熱效應(yīng)［9］。一方面介質(zhì)阻擋等離子體激勵(lì)源的總功率不大，約為50～200W；另一方面熱效應(yīng)對(duì)靜止工質(zhì)有顯著作用和影響［10－12］，而在對(duì)流條件下其影響較?。?1，13－14］。因此在研究等離子體對(duì)平板冷卻氣膜影響時(shí)忽略其加熱效應(yīng)。介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)氣膜冷卻的過(guò)程中，主要通過(guò)對(duì)電極附近電離的冷卻氣膜施加一個(gè)指向壁面的體積力，來(lái)強(qiáng)化其貼壁特性，進(jìn)而強(qiáng)化冷卻效果。介質(zhì)阻擋放電等離子體引起的體積力ft為［15］：

圖2 等離子體激勵(lì)器結(jié)構(gòu)參數(shù)和放置位置示意圖Fig.2 Schematic diagram of plasma actuator location and structure parameter

式中：ρc為凈電荷密度，E為電場(chǎng)強(qiáng)度，Φ為電勢(shì)?？臻g電勢(shì)由外場(chǎng)電勢(shì)ψ和波場(chǎng)電勢(shì)φ組成，后者的作用可以忽略［16］。凈電荷密度和外場(chǎng)電勢(shì)由下式確定：

本研究中采用的是交流驅(qū)動(dòng)介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)器，因此形成的體積力也是隨時(shí)間變化的。當(dāng)外場(chǎng)電勢(shì)頻率較高時(shí)（一般高于1kHz），交流介質(zhì)阻擋放電等離子體對(duì)氣流的作用效果接近于同等強(qiáng)度的定常激勵(lì)效果［17］，而一般交流介質(zhì)阻擋放電激勵(lì)頻率為10～30kHz［18］，因此等效定常體積力由下式計(jì)算：

獲得該等效定常體積力之后，通過(guò)FLUENT的UDF功能實(shí)現(xiàn)與流動(dòng)過(guò)程的耦合求解，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)交流驅(qū)動(dòng)介質(zhì)阻擋放電等離子體作用下氣膜冷卻特性的數(shù)值模擬。

1.3 邊界條件和計(jì)算方法

在本研究中，重點(diǎn)關(guān)注的是在介質(zhì)阻擋等離子體作用下能否對(duì)小孔冷卻射流的貼壁行為實(shí)現(xiàn)控制及其對(duì)熱效率的影響，主流主要提供的是一個(gè)熱環(huán)境，而非控制目標(biāo)。因此，基于模擬的易實(shí)現(xiàn)性和進(jìn)一步對(duì)比實(shí)驗(yàn)的可行性，沒(méi)有完全按照燃燒室燃?xì)鈪?shù)設(shè)置主流工況，只考慮了吹風(fēng)比和實(shí)際的可比性。為此，主流入口和供氣腔入口均設(shè)置為速度入口，主流入口速度為12m／s，供氣腔入口速度由吹風(fēng)比M確定，主流和冷卻氣流溫度分別為475和385K。主流區(qū)出口設(shè)置為壓力出口，出口壓力101 325Pa。主流區(qū)和供氣腔的展向側(cè)壁設(shè)置為周期性邊界。壁面采用無(wú)滑移條件。激勵(lì)器的激勵(lì)電壓V（t）＝Vmaxsin（2πωt），激勵(lì)電壓峰值和頻率的基準(zhǔn)值取為18kV和16kHz，即在不涉及改變激勵(lì)電壓或激勵(lì)頻率的計(jì)算工況中，激勵(lì)電壓和頻率設(shè)置為這些基準(zhǔn)值。

采用RNGk－ε湍流模型和非平衡壁面函數(shù)法來(lái)模擬湍流。對(duì)流項(xiàng)采用二階迎風(fēng)格式離散，速度和壓力耦合采用SIMPLEC算法。各方程相對(duì)殘差小于10－6，殘差曲線平緩且壁面溫度基本不變時(shí)獲得收斂解。

2 計(jì)算結(jié)果及分析

定義絕熱氣膜冷卻效率

式中：Tg為主流溫度；Taw為絕熱壁面溫度；Tc為冷卻氣流溫度。通常用平均絕熱氣膜冷卻效率綜合評(píng)價(jià)氣膜冷卻的總體效果，平均絕熱氣膜冷卻效率定義式為

式中：為平均絕熱壁面溫度。

2.1 計(jì)算模型驗(yàn)證

為驗(yàn)證本文建立的計(jì)算模型可行性，對(duì)文獻(xiàn)［19］中的介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)所驅(qū)動(dòng)的空氣流動(dòng)過(guò)程進(jìn)行了模擬，并與文獻(xiàn)中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)照。圖3（a）和4（a）為本文所建立的計(jì)算模型預(yù)測(cè)的流線分布和不同剖面的速度分布，圖3（b）和4（b）為文獻(xiàn)相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，圖4中x＝2表示距暴露電極右側(cè)邊緣2mm處。對(duì)比可見本文計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合較好，表明本文建立的介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵(lì)作用下的氣膜冷卻模型是可靠的。

圖3 介質(zhì)阻擋放電等離子體驅(qū)動(dòng)的空氣流流線分布Fig.3 Streamline distribution of airflow with DBD plasma actuation

2.2 激勵(lì)器激勵(lì)電壓對(duì)氣膜冷卻效率的影響

隨著激勵(lì)源電壓幅值的增大，介質(zhì)阻擋放電等離子體產(chǎn)生的體積力也會(huì)增大。為此，研究了激勵(lì)源電壓幅值對(duì)平板氣膜冷卻效率的影響。當(dāng)電壓幅值從14kV增大到20kV時(shí)，體積力的最大值由7.5×104N／m3增大到1.51×105N／m3。圖5給出了在吹風(fēng)比M＝0.5、1.0和1.5情況下等離子體激勵(lì)的氣膜冷卻平均冷卻效率分布?？梢?，隨著激勵(lì)電壓的增大，氣膜冷卻效率提高。中小吹風(fēng)比（M＝0.5、1.0）下電壓增幅對(duì)壁面冷卻效果的影響明顯，而較高吹風(fēng)比下電壓增幅對(duì)冷卻效率的影響程度降低。同時(shí)，施加等離子體激勵(lì)后，激勵(lì)電壓的改變不影響氣膜冷卻效率隨吹風(fēng)比的變化趨勢(shì)。

圖4 介質(zhì)阻擋放電等離子體驅(qū)動(dòng)的空氣流不同剖面速度分布Fig.4 Velocity profile distribution of airflow with DBD plasma actuation

圖5 氣膜冷卻效率隨激勵(lì)電壓和吹風(fēng)比的變化曲線Fig.5 Changes of cooling effectiveness with actuation voltage and blowing ratio

等離子體激勵(lì)等效體積力取決于激勵(lì)器產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度和凈電荷分布，為此，參考文獻(xiàn)［18］的方法，觀察監(jiān)測(cè)線OA和OB線的電勢(shì)分布。圖6是不同激勵(lì)電壓下的2條觀察線上的電場(chǎng)強(qiáng)度分布。由圖可見，隨著激勵(lì)電壓的升高，激勵(lì)器產(chǎn)生的最大電場(chǎng)強(qiáng)度值逐漸增大。電場(chǎng)強(qiáng)度的增大會(huì)使得等效體積力增大，即激勵(lì)器的誘導(dǎo)能力逐漸增強(qiáng)，所以會(huì)導(dǎo)致氣膜冷卻結(jié)構(gòu)中氣膜出流的貼壁效果逐步增強(qiáng)、覆蓋域逐漸擴(kuò)大，進(jìn)而提高了氣膜冷卻效率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果也表明，隨著激勵(lì)電壓的增大，激勵(lì)器的誘導(dǎo)能力越強(qiáng)，誘導(dǎo)速度變大。這說(shuō)明激勵(lì)電壓對(duì)氣膜冷卻效率的影響本質(zhì)上是由等離子體氣動(dòng)激勵(lì)誘導(dǎo)能力的強(qiáng)弱導(dǎo)致的。

圖6 不同激勵(lì)電壓下的電場(chǎng)強(qiáng)度分布Fig.6 Electric－field strength distribution with different actuation voltages

需要注意的是，在電場(chǎng)強(qiáng)度分布曲線中電極邊緣處電場(chǎng)值產(chǎn)生了小幅突變（在y＝0.002mm和x＝0.04mm處），這是由于激勵(lì)電極邊緣的矩形邊結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的突變?cè)斐傻模瑢?shí)驗(yàn)也表明在電極邊界上也會(huì)出現(xiàn)尖端放電現(xiàn)象［20］，但由于電場(chǎng)強(qiáng)度存在突變的區(qū)間很小、其對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度整體分布的影響甚微，所以這種局部突變現(xiàn)象不會(huì)影響等離子體氣動(dòng)激勵(lì)的總體誘導(dǎo)效果。

2.3 激勵(lì)器激勵(lì)頻率對(duì)氣膜冷卻效率的影響

固定激勵(lì)電壓幅值18kV，根據(jù)實(shí)驗(yàn)研究常用的頻率范圍［20］，研究了激勵(lì)頻率對(duì)氣膜冷卻效率的影響。圖7給出了在x／D＝3、5、10和15處的氣膜冷卻平均效率隨激勵(lì)頻率和吹風(fēng)比的變化。由圖可見，隨著激勵(lì)頻率的增大，平均冷卻效率略微提高，但提高的幅度很小，表明在10～20kHz范圍激勵(lì)頻率對(duì)等離子體氣動(dòng)激勵(lì)提高氣膜冷卻效率的影響微弱。即激勵(lì)頻率對(duì)體積力分布的影響很小，也即對(duì)誘導(dǎo)速度的影響是很小的，這也正是對(duì)氣膜冷卻效率影響微弱的原因。

圖7 氣膜冷卻效率隨激勵(lì)頻率和吹風(fēng)比的變化曲線Fig.7 Changes of cooling effectiveness with actuation frequency and blowing ratio

2.4 激勵(lì)器電極弧度對(duì)氣膜冷卻效率的影響

保持激勵(lì)器構(gòu)型不變，研究了激勵(lì)器電極弧度分別為120°、150°和180°時(shí)對(duì)平板氣膜冷卻效率的影響。在吹風(fēng)比M＝1.0情況下，采用不同弧度電極時(shí)壁面溫度的分布如圖8所示?？梢婋S著激勵(lì)器電極弧度的增大，氣膜出流沿展向的覆蓋效果越來(lái)越好，壁面的展向冷卻效果逐漸增強(qiáng)，孔間區(qū)域的壁溫逐漸降低，壁溫分布更為均勻。需要注意的是，大弧度電極下等離子體氣動(dòng)激勵(lì)誘導(dǎo)冷卻氣膜出流的徑向運(yùn)動(dòng)趨勢(shì)強(qiáng)烈，故氣膜出流沿流向的延伸能力會(huì)有所削弱，但從壁面溫度總體分布上來(lái)看，大弧度電極構(gòu)型的等離子體氣動(dòng)激勵(lì)器更有利于壁面溫度的降低。

圖8 不同激勵(lì)器電極弧度下的壁面溫度分布Fig.8 Wall temperature distribution with different electrode radians

圖9是3種電極弧度激勵(lì)器激勵(lì)的平板氣膜冷卻在不同吹風(fēng)比下的平均冷卻效率的分布。由圖可知不同激勵(lì)器電極弧度下氣膜冷卻效率沿流向的變化趨勢(shì)相同，吹風(fēng)比較小時(shí)激勵(lì)器電極弧度對(duì)冷卻效率的影響較大，大吹風(fēng)比下的影響程度則相對(duì)下降?？傮w上看，大弧度電極的激勵(lì)器冷卻結(jié)構(gòu)更有利于壁面冷卻效率的提高。

圖9 氣膜冷卻效率隨電極弧度和吹風(fēng)比的變化曲線Fig.9 Changes of cooling effectiveness with electrode radian and blowing ratio

2.5 激勵(lì)器電極厚度對(duì)氣膜冷卻效率的影響

圖10 氣膜冷卻效率隨電極厚度和吹風(fēng)比的變化曲線Fig.10 Changes of cooling effectiveness with electrode thickness and blowing ratio

研究了激勵(lì)器電極厚度對(duì)氣膜冷卻效率的影響，考慮了0.0005D、0.001D、0.002D和0.004D等4種電極厚度的變化。圖10給出的是氣膜冷卻效率隨電極厚度和吹風(fēng)比的變化?？梢婋S著電極厚度的增大，平均氣膜冷卻效率逐漸降低，但電極厚度的變化不影響氣膜冷卻效率隨吹風(fēng)比的變化規(guī)律。通過(guò)觀察不同電極厚度時(shí)的電勢(shì)分布，發(fā)現(xiàn)隨著電極厚度增大，2電極交界處的電勢(shì)梯度下降，也即最大電場(chǎng)強(qiáng)度值降低，電場(chǎng)強(qiáng)度的降低會(huì)導(dǎo)致等離子體激勵(lì)的等效體積力下降，氣膜因不能受到有效誘導(dǎo)而逐步與主流的摻混加劇，氣膜對(duì)壁面的有效覆蓋程度下降，所以冷卻效率逐漸降低。

2.6 激勵(lì)器絕緣材料介電常數(shù)對(duì)氣膜冷卻效率的影響

圖11給出的是氣膜冷卻效率隨激勵(lì)器絕緣材料介電常數(shù)和吹風(fēng)比的變化。在研究中考慮了介電常數(shù)分別為2、3、5和10的4種情況。由圖可知，隨著激勵(lì)器絕緣材料介電常數(shù)增大，冷卻效率逐漸提高，且介質(zhì)介電常數(shù)的改變不影響氣膜冷卻效率隨吹風(fēng)比的變化趨勢(shì)。通過(guò)觀察OA線和OB線的電勢(shì)分布，可以發(fā)現(xiàn)隨著絕緣材料介電常數(shù)增大，電勢(shì)的變化范圍逐漸擴(kuò)大，電場(chǎng)強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)，使等效體積力逐漸升高，顯然這對(duì)于等離子體氣動(dòng)激勵(lì)有效控制氣膜出流是有利的。因此，隨著絕緣材料介電常數(shù)的增大，等離子體激勵(lì)對(duì)氣膜出流的有效控制能力會(huì)增強(qiáng)，氣膜對(duì)壁面的有效覆蓋程度增大，所以冷卻效率逐步得到提高。需要注意的是，絕緣材料介電常數(shù)的增大雖然有利于提高氣膜冷卻效率，但實(shí)驗(yàn)研究表明，較高介電常數(shù)的絕緣材料容易產(chǎn)生熱量堆積而導(dǎo)致絕緣性能下降，甚至?xí)舸?8］。因此若要從絕緣材料介電常數(shù)角度考慮來(lái)提高氣膜冷卻效率，則需絕緣性更好的介質(zhì)材料作為技術(shù)支撐。

圖11 氣膜冷卻效率隨絕緣材料介電常數(shù)和吹風(fēng)比的變化曲線Fig.11 Changes of cooling effectiveness with insulation dielectric constant and blowing ratio

2.7 激勵(lì)器絕緣材料厚度對(duì)氣膜冷卻效率的影響

氣膜冷卻效率隨絕緣材料的厚度（即暴露電極和掩埋電極的垂直距離）和吹風(fēng)比的變化如圖12所示。在研究中，考慮了絕緣材料的厚度分別為0.05D、0.10D、0.20D和0.30D等4種情況?？梢婋S著激勵(lì)器絕緣材料介質(zhì)厚度的增大，氣膜冷卻效率逐漸下降，且也并不影響氣膜冷卻效率隨吹風(fēng)比的變化趨勢(shì)。通過(guò)觀察OA和OB2條線上的電勢(shì)變化，可以發(fā)現(xiàn)隨著絕緣材料厚度增大，電勢(shì)變化范圍縮小，即電勢(shì)梯度減小、電場(chǎng)強(qiáng)度降低，這會(huì)降低激勵(lì)器的誘導(dǎo)特性，氣膜出流受等離子體氣動(dòng)激勵(lì)誘導(dǎo)的程度減弱，氣膜對(duì)壁面的有效覆蓋程度降低，故導(dǎo)致冷卻效率逐漸下降。已有研究表明，隨著介質(zhì)厚度的增大，電極左右邊緣的電場(chǎng)強(qiáng)度逐漸接近，這會(huì)導(dǎo)致激勵(lì)器出現(xiàn)工作不穩(wěn)定的現(xiàn)象［18］，顯然也不利于氣膜冷卻效果的提高。所以在設(shè)計(jì)激勵(lì)器時(shí)，絕緣材料的厚度應(yīng)設(shè)計(jì)得較薄一些。

圖12 氣膜冷卻效率隨絕緣材料厚度和吹風(fēng)比的變化曲線Fig.12 Changes of cooling effectiveness with insulation thickness and blowing ratio

3 結(jié) 論

通過(guò)對(duì)等離子體激勵(lì)的平板氣膜冷卻過(guò)程進(jìn)行數(shù)值模擬，研究了不同吹風(fēng)比條件下激勵(lì)器的激勵(lì)和結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)氣膜冷卻效率的影響，得出如下結(jié)論：

（1）增大激勵(lì)電壓能提高激勵(lì)器產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度，等效體積力得到提高，即等離子體激勵(lì)的誘導(dǎo)能力得到增強(qiáng)，進(jìn)而提高了氣膜冷卻效率，但激勵(lì)頻率對(duì)冷卻效率的影響很小；

（2）增大激勵(lì)器電極弧度，氣膜出流受激勵(lì)誘導(dǎo)的影響范圍擴(kuò)大，壁面溫度的展向分布均勻性逐步提高，孔間區(qū)域壁面溫度降低明顯，平均冷卻效率得以提高；

（3）激勵(lì)器電極的厚度越薄、絕緣材料介電常數(shù)越大以及絕緣材料的厚度越薄，等離子體激勵(lì)的誘導(dǎo)能力越大，氣膜出流受激勵(lì)誘導(dǎo)的作用愈明顯，壁面冷卻效率更高；

（4）等離子體激勵(lì)作用于氣膜冷卻過(guò)程中，激勵(lì)器激勵(lì)和結(jié)構(gòu)參數(shù)的改變不影響冷卻效率隨吹風(fēng)比的變化趨勢(shì)。

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