CMOS反相器電壓傳輸特性的數(shù)值計(jì)算

梁旗

摘要：設(shè)計(jì)了一種0.35um溝長的LDD PMOS器件，并用Medici軟件進(jìn)行數(shù)值仿真，找到一種簡單有效的描述器件伏安特性的數(shù)值算法，給出相應(yīng)的數(shù)學(xué)表達(dá)式，并利用這些表達(dá)式計(jì)算亞微米CMOS反相器的電壓傳輸特性，計(jì)算結(jié)果與理論分析符合較好。

關(guān)鍵詞：MOSFET；輕摻雜漏（LDD）；反相器

中圖分類號：TN432 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1009-3044（2015）23-0145-02

The Voltage Transmit Characteristics of a CMOS Inverter Based on Numerical Calculation

LIANG Qi

（State Grif Suixi power supply company， Suixi 235100，China）

Abstract：We design a 0.35um P-Channel LDD device， and simulate it using the Medici program. We find a simple and effective numerical arithmetic to describe the I-V characteristics of the device and give the mathematic expressions. And then， we calculate the voltage transmit characteristics， and the result is fairly consistent with the theoretical analysis.

Key words： MOSFET； lightly doped drain（LDD）；inverter

當(dāng)器件尺寸縮小到亞微米尺寸時(shí)，器件存在嚴(yán)重的熱載流子效應(yīng)，嚴(yán)重地妨礙了VLSI的實(shí)現(xiàn)。為此，S.Ogura等提出LDD NMOS結(jié)構(gòu)。LDD結(jié)構(gòu)可大大減小器件的熱載流子效應(yīng)，因而被廣泛應(yīng)用于各種VLSI設(shè)計(jì)。PMOS熱載流子效應(yīng)比NMOS小，最初并未受到足夠的重視，當(dāng)溝道長度進(jìn)入亞微米區(qū)時(shí)，PMOS的熱載流子效應(yīng)才受到足夠的重視。1984年，A.Schmitz首先提出了LDD PMOS，以抑制其熱載流子效應(yīng)，LDD PMOS不但具有減少熱載流子效應(yīng)的作用，而且還能有效地克服PMOS的HEIP（Hot Electron Induced Punchthrough）效應(yīng)，是亞微米VLSI工藝的必要組成部分[1]。