納米金剛石的制備及研究進(jìn)展

肖　雄，滿(mǎn)衛(wèi)東，何　蓮，趙彥君，陽(yáng)　碩

（武漢工程大學(xué) 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，武漢　430073）

納米金剛石的制備及研究進(jìn)展

肖雄，滿(mǎn)衛(wèi)東，何蓮，趙彥君，陽(yáng)碩

（武漢工程大學(xué) 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，武漢430073）

納米金剛石具有比普通金剛石更優(yōu)越的性能，目前有諸多學(xué)者致力于納米金剛石的研究。化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備納米金剛石是近年來(lái)比較成熟的制備方法。通過(guò)簡(jiǎn)要描述納米金剛石薄膜的生長(zhǎng)機(jī)制，介紹了兩種制備納米金剛石薄膜的方法及其優(yōu)勢(shì)，討論了兩種方法在納米金剛石的質(zhì)量、尺寸及沉積速率等方面取得的最新研究進(jìn)展，并對(duì)今后的主要研究方向進(jìn)行了展望。

納米金剛石薄膜；制備；研究進(jìn)展

0　引言

金剛石是工業(yè)應(yīng)用中最有價(jià)值的材料之一。使用化學(xué)氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）制備的金剛石薄膜具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高彈性模量、極好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性能［1］。其在耐磨涂層、光學(xué)器件、微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electron-Mechanical Systems，MEMS）具有廣泛的應(yīng)用［2］。但是，常規(guī)CVD金剛石薄膜晶粒尺寸為微米級(jí)，表面較為粗糙，且晶粒間存在較為明顯的空隙［3］，這給后續(xù)的加工及應(yīng)用帶來(lái)了很大困難。所以，越來(lái)越多的學(xué)者致力于研究晶粒尺寸更小的納米金剛石薄膜。納米金剛石（Nanocrystalline Diamond，NCD）薄膜一般是指晶粒尺寸為幾個(gè)至幾百納米的金剛石薄膜［4］。與常規(guī)CVD金剛石薄膜相比，NCD薄膜表面光滑，摩擦系數(shù)小，并且硬度不如常規(guī)CVD金剛石薄膜［5］，這為NCD薄膜的后續(xù)處理帶來(lái)了便利。同時(shí)由于納米效應(yīng)，NCD薄膜在很多方面的性能都比常規(guī)CVD金剛石薄膜要優(yōu)異［6］。

1　NCD薄膜的生長(zhǎng)機(jī)制

與常規(guī)CVD金剛石薄膜的柱狀生長(zhǎng)機(jī)制不同，NCD薄膜生長(zhǎng)的關(guān)鍵在于要有非常高的成核率及二次形核率［7］。在常規(guī)CVD金剛石薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程中，氫氣起著至關(guān)重要的作用。這是由于氫氣離解出的氫原子可以抑制石墨相和無(wú)定形碳的形成，維持金剛石的生長(zhǎng)［8］。然而在NCD薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程中，氫氣會(huì)抑制金剛石的二次形核，因而氫氣濃度的降低有助于NCD的生長(zhǎng)［9］。許多學(xué)者已經(jīng)在貧氫或無(wú)氫氣氛下沉積獲得了NCD薄膜［10-12］。此外，沉積溫度也是NCD薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中一個(gè)非常關(guān)鍵的因素［13］。在NCD薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中，其沉積溫度比常規(guī)CVD金剛石薄膜的沉積溫度要低，一般不高于600℃。

為了能夠在沉積金剛石薄膜過(guò)程中保持具有較高的形核率和沉積速率，在沉積前必須對(duì)襯底進(jìn)行預(yù)處理。要在異質(zhì)襯底表面進(jìn)行金剛石的生長(zhǎng)，必須要有合適的形核位置。襯底表面的溝槽、凹坑或者合適的晶核都可成為形核中心。預(yù)處理通常分為兩步，先用金剛石微粉對(duì)襯底進(jìn)行機(jī)械研磨或者超聲清洗，接著用乙醇、丙酮等清洗［14］。

2　NCD薄膜的制備工藝

制備常規(guī)CVD金剛石薄膜的方法有很多種，主要包括微波等離子CVD（Microwave Plasma CVD，MPCVD）法［15］、熱絲CVD（Hot-Filament CVD，HFCVD）法［16］、直流電弧等離子體CVD（DC Arc Plasma CVD）法［17］、濺射法、火焰法等。制備N(xiāo)CD薄膜同樣也可以使用這些方法，但是目前研究的最多的是熱絲CVD法和微波等離子CVD法。

2.1HFCVD法

HFCVD法具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易控制、沉積速率快、生長(zhǎng)面積易擴(kuò)大等優(yōu)點(diǎn)［18］。該方法主要是在較低的反應(yīng)氣壓下，含有碳源的反應(yīng)氣體通過(guò)高溫?zé)峤z（通常在2 200℃以上）時(shí)，其會(huì)被熱解成活性基團(tuán)，活性基團(tuán)相互作用在基片上沉積金剛石膜［19］。為了能在硅片上制備出結(jié)構(gòu)致密且質(zhì)量良好的NCD薄膜，使用最多的一種改進(jìn)方法是使用電子輔助熱絲法［20］，該方法是在熱絲和襯底之間施加直流偏壓來(lái)改善HFCVD的沉積速率。

Wang等［21］使用HFCVD法，通過(guò)減小反應(yīng)氣壓，成功制備了直徑為5.08 cm（2英寸）的高質(zhì)量NCD薄膜。根據(jù)高分辨率透射電鏡（High Resolution Transmission Electron Microscopy，HRTEM）的分析，其晶粒尺寸平均接近4～8 nm，NCD薄膜表面平整光滑，并且以多晶結(jié)構(gòu)為主。

Nicola等［22］在HFCVD的基礎(chǔ)上，改進(jìn)得出了一種新方法。其設(shè)備改進(jìn)如圖1所示，用石墨代替金屬作為熱絲，減少了電極污染。并且在不同CH4/H2氣氛條件下，熱絲溫度達(dá)到2 200℃時(shí)成功制備出了質(zhì)量較好的NCD薄膜。該方法在降低成本的前提下，實(shí)現(xiàn)了大面積的NCD薄膜沉積。

圖1　一種以石墨為熱絲的HFCVD系統(tǒng)

Ameral等［23］運(yùn)用HFCVD在氮化硅（Si3N4）襯底上生長(zhǎng)NCD薄膜。通過(guò)調(diào)節(jié)CH4/H2及Ar/H2比例，獲得了不同質(zhì)量的NCD涂層。綜合晶粒大小、生長(zhǎng)速率及薄膜質(zhì)量等考慮，在CH4/H2比例達(dá)到0.04時(shí)可以得到較為理想的NCD薄膜。研究發(fā)現(xiàn)，熱絲溫度是影響最大的參數(shù)，當(dāng)熱絲溫度從2 200℃提升到2 300℃時(shí)，其生長(zhǎng)速率從0.7 μm/h增長(zhǎng)到1.6 μm/h。

2.2MPCVD法

與HFCVD法相比，MPCVD法無(wú)電極污染，得到的等離子體密度高，生長(zhǎng)的金剛石薄膜純度高、質(zhì)量好［24］。為了獲得更高的形核密度和沉積速率，通常采用偏置電壓增強(qiáng)微波等離子體法［25］。該方法是在襯底和反應(yīng)器之間加上一個(gè)負(fù)壓，使等離子體中離解的正離子向襯底加速流動(dòng)，提高了粒子的能量［26］。其優(yōu)點(diǎn)在于可以在較低溫度下，在拋光襯底表面上直接沉積得到納米金剛石薄膜［27］。

Tang等［28］使用偏置電壓增強(qiáng)MPCVD法研究發(fā)現(xiàn)，在CH4/H2氣氛條件下，通過(guò)提高負(fù)壓和CH4濃度可以減小NCD薄膜的晶粒尺寸。通過(guò)對(duì)比表明，當(dāng)負(fù)壓達(dá)到250 V，CH4濃度提高到10%時(shí)得到的NCD薄膜晶粒尺寸最為理想，如圖2所示。

Mehedi等［29］研究了一款新的天線分布式排列PECVD設(shè)備，其微波源如圖3所示。其有16個(gè)微波源呈二維矩陣排布，這使得它能夠在300℃～500℃基片溫度范圍內(nèi)生長(zhǎng)直徑10.16 cm（4英寸）的納米金剛石薄膜。實(shí)驗(yàn)沉積出了晶粒尺寸為10～20 nm的均勻高純度NCD薄膜。

Tang等［30］使用功率為5 kW的MPCVD系統(tǒng)（ASTeX PDS-18），在直徑為5.08 cm（2英寸）的硅片上制備了納米金剛石薄膜。研究發(fā)現(xiàn)，在CH4/H2/N2/O2氣氛下，將微波功率從2 000 W增加到3 200 W，NCD薄膜的生長(zhǎng)速率從0.3 μm/h上升到3.4 μm/h，其N(xiāo)CD薄膜的SEM照片如圖4所示。

劉杰等［31］利用MPCVD法在5%～20%的氫氣濃度下，制備出了超納米金剛石薄膜。隨著氫氣濃度的增加，晶粒粒徑及粗糙度都明顯增加。在氫氣濃度不大于10%時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)晶粒粒徑為6 nm，即便氫氣濃度達(dá)到了20%，晶粒粒徑仍然小于10 nm。其N(xiāo)CD表面的SEM照片如圖5所示。

圖2　不同CH4濃度及負(fù)壓條件下得到的NCD薄膜SEM照片

圖3　16個(gè)二維矩陣排列的微波源

圖4　不同功率下制備的NCD薄膜斷面SEM照片

圖5　不同氫氣濃度下得到的NCD薄膜表面SEM照片

3　NCD薄膜的應(yīng)用

與常規(guī)CVD金剛石薄膜相比，NCD薄膜晶粒小兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。由于NCD薄膜表面光滑致密，摩擦因數(shù)很小，晶界尺寸和其中的缺陷也遠(yuǎn)小于常規(guī)CVD金剛石薄膜，所以NCD薄膜材料不僅具有高強(qiáng)度，還具有高韌性等特性［32］。

NCD薄膜與常規(guī)CVD金剛石薄膜的部分性能比較如表1所列，通過(guò)表1可以看出，與常規(guī)CVD金剛石薄膜相比，NCD薄膜除了具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能外，還具有優(yōu)異的表面性能和電學(xué)性能，它是作為新型耐磨涂層材料、新型光學(xué)材料以及光電子材料等材料的理想選擇。

表1　NCD薄膜與常規(guī)CVD金剛石薄膜的部分性能比較

NCD薄膜的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面：

（1）耐磨涂層：耐磨涂層是NCD薄膜目前的一個(gè)極為重要的應(yīng)用。像機(jī)械中的滾珠、滾柱、軸承等重要零件在工作時(shí)受到的力學(xué)作用都很大，這些零件通常都在不停歇的做著重復(fù)運(yùn)動(dòng)，例如高速轉(zhuǎn)動(dòng)，還有大量的滑動(dòng)過(guò)程，因此運(yùn)作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的摩擦。普通的合金材料損耗非常大，而具有高硬度及低摩擦系數(shù)等優(yōu)異性能的NCD薄膜正是這些高速運(yùn)作零件所需要的，因此要極大地增強(qiáng)這些零件的物理性能，延長(zhǎng)其使用壽命，在其表面鍍上NCD薄膜是一個(gè)非常明智的選擇。

（2）微機(jī)電系統(tǒng)：目前大多數(shù)MEMS元件仍以硅材料做為基礎(chǔ)，但是由于硅材料各方面的物理性能都一般，其摩擦系數(shù)大，且機(jī)械強(qiáng)度等物理性能在多數(shù)情況下都不能令人滿(mǎn)意，這直接影響了MEMS元件工作時(shí)的性能和使用壽命。隨著MEMS元件尺寸的減小，其中存在的微觀結(jié)構(gòu)摩擦力不同于宏觀摩擦力，傳統(tǒng)的潤(rùn)滑手段很難解決其在運(yùn)行過(guò)程中遇到的摩擦問(wèn)題［33］。隨著NCD薄膜在MEMS領(lǐng)域的應(yīng)用日趨成熟，微機(jī)電系統(tǒng)中與表面相關(guān)的摩擦力、粘性阻力和表面張力等影響便可得到解決，因此可以預(yù)見(jiàn)NCD薄膜在MEMS領(lǐng)域中的應(yīng)用前景是非常廣闊的。目前許多學(xué)者也已經(jīng)研究出了多種以NCD薄膜為基礎(chǔ)的MEMS元件，例如微齒輪、微馬達(dá)、NCD薄膜微陣列等。

（3）電學(xué)領(lǐng)域：NCD具有優(yōu)異的電學(xué)性能、熱導(dǎo)率高、禁帶寬度寬、高的載流子遷移率使得其在半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用具有極大地潛力［34-35］。與單獨(dú)的硅納米線相比，NCD薄膜具有優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射性能，其場(chǎng)發(fā)射強(qiáng)度要高很多。這是由于NCD薄膜具有較小的晶粒尺寸，閾值電壓較低，很容易從薄膜內(nèi)發(fā)射電子［36］。NCD薄膜的冷陰極場(chǎng)發(fā)射性能遠(yuǎn)比微米金剛石薄膜優(yōu)異，因此用NCD薄膜制備場(chǎng)發(fā)射器件，不僅高效而且能大大降低制作成本和能耗［37-39］。綜合NCD薄膜的這些優(yōu)點(diǎn)，其被視為制備下一代平面顯示器最具潛力的材料。通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，NCD薄膜在低電場(chǎng)作用下就能夠發(fā)射出更均勻、穩(wěn)定的發(fā)射電流，這對(duì)需要保持穩(wěn)定電流的傳感器來(lái)說(shuō)是極為重要的，也是保障各種設(shè)備能穩(wěn)定工作的前提。研究還發(fā)現(xiàn)NCD薄膜的電極不需要表面預(yù)處理便具有極好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和電化學(xué)特性。

（4）光學(xué)保護(hù)膜應(yīng)用：金剛石在真空紫外至遠(yuǎn)紅外都有很好的透過(guò)性能。圖6顯示了三種晶粒尺寸下金剛石薄膜的光學(xué)透過(guò)性能。從圖可以看出NCD薄膜具有較高的光透過(guò)率，其原因主要是由于NCD晶粒尺寸較小，表面比其他金剛石薄膜更為平整，光線從其穿過(guò)不會(huì)發(fā)生較高的漫反射［40］。目前有許多優(yōu)秀的光學(xué)窗口材料，例如ZnS、ZnSe等紅外窗口材料。然而為了滿(mǎn)足不同用途的光學(xué)窗口對(duì)薄膜特性的要求，應(yīng)該綜合考慮硬度、熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性等各種性能，而不是僅僅注重于其優(yōu)異的光學(xué)性能，因此，NCD薄膜在大部分的光學(xué)窗口應(yīng)用領(lǐng)域中是比較理想的薄膜材料。NCD薄膜優(yōu)秀的綜合性能，可以應(yīng)用于許多高科技武器和裝備。例如飛行速度在幾個(gè)馬赫的高速攔截導(dǎo)彈，其飛行環(huán)境非常惡劣，其對(duì)導(dǎo)彈頭部的整流罩要求非常嚴(yán)格。還有許多衛(wèi)星、雷達(dá)系統(tǒng)及高功率激光等裝備也急需NCD薄膜的應(yīng)用［41］。

圖6　金剛石薄膜的透過(guò)率譜

4　結(jié)束語(yǔ)

由于NCD薄膜的晶粒尺寸達(dá)到了納米級(jí)，NCD薄膜不僅具有金剛石的優(yōu)異特性，還具有納米材料的一些特性。這些特性使其具有十分廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。隨著納米技術(shù)研究熱潮的涌現(xiàn)及CVD技術(shù)的成熟，NCD薄膜已經(jīng)成為了眾多學(xué)者研究的熱點(diǎn)。通過(guò)最近的一些研究成果可以發(fā)現(xiàn)，NCD薄膜的晶粒尺寸已經(jīng)達(dá)到了4～8個(gè)納米，并且沉積速率也提高到了3.4 μm/h。通過(guò)對(duì)設(shè)備的改進(jìn)，制備出了直徑為10.16 cm（4英寸）的高質(zhì)量NCD薄膜。無(wú)論是NCD的面積、質(zhì)量，還是沉積速率方面，目前的研究都取得了不小的突破。但是，從目前國(guó)內(nèi)的發(fā)展水平來(lái)看，對(duì)NCD薄膜的研究還處于基礎(chǔ)階段，距離實(shí)現(xiàn)NCD薄膜的工業(yè)化生產(chǎn)及大規(guī)模應(yīng)用還有很多工作要做。今后應(yīng)該在現(xiàn)有的技術(shù)基礎(chǔ)上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效、高質(zhì)量、大面積的制備。

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［41］涂昕，滿(mǎn)衛(wèi)東，呂繼磊，等.光學(xué)級(jí)CVD金剛石膜的研究進(jìn)展與應(yīng)用［J］.真空與低溫，2013，19（2）：63-70.

FABRICATION OF NANOCRYSTALLINE DIAMOND THIN FILM AND ITS DEVELOPMENT

XIAO xiong，MAN Wei-dong，HE lian，ZHAO yan-jun，YANG shuo
（Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry andAdvanced Materials，Wuhan Institute of Technology，Wuhan430073，China）

Nanocrystalline diamond has more superior properties than normal diamond，which makes many researchers devote themselves to it.Chemical vapor deposition（CVD）is a mature method of fabrication of nanocrystalline diamond.The growth mechanism of nanocrystalline diamond thin film is explained briefly in this review.Two types of fabrication methods and their advantages are introduced.It discussed the recent development of nanocrystalline diamond in quality，scale and growth rate with these two methods and future research from different directions.

nanocrystalline diamond thin film；fabrication；development

O484；TB383

A

1006-7086（2015）02-0063-07

10.3969/j.issn.1006-7086.2015.02.001

2014-11-26

國(guó)家自然科學(xué)基金（NO.11175137）

肖雄（1984-），男，湖北省武漢市人，碩士研究生，研究方向：CVD金剛石及其應(yīng)用。E-mail：dennis_cvd@sina.com。