符新 周巍 張立武 王洪梅
【摘要】 不同運營商可能采用不同的網(wǎng)絡策略或者部署計劃。對于已有2G(GSM)或者3G(TD-SCDMA)的運營商,通常會傾向于使用共站址設計和共天線的方案,從而達到快速部署網(wǎng)絡。運營商也可能要求針對LTE覆蓋邊界服務受限區(qū)域,使用戶回退到2G和3G網(wǎng)絡,針對這樣的要求,對相關網(wǎng)絡質量風險需要進行仔細研究,如系統(tǒng)間干擾、網(wǎng)絡結構的劃分、多天線配置等,以保證覆蓋強度、控制干擾、提高系統(tǒng)容量。
【關鍵詞】 LTE 共址 預測
一、前言
TD-LTE網(wǎng)絡采用了OFDM、MIMO、AMC及64QAM等技術及同頻組網(wǎng)方式,其網(wǎng)絡性能(吞吐量、可接入性、接通率、掉線率)是否理想,主要取決于SINR指標。要提高SINR,系統(tǒng)內干擾控制十分重要,而系統(tǒng)內干擾主要是由于網(wǎng)絡結構不合理、重疊覆蓋過大、鄰區(qū)個數(shù)過多帶來的干擾,因此TD-LTE網(wǎng)絡規(guī)劃的其中一個重點任務是網(wǎng)絡結構分析。
針對目前已存在的2/3G網(wǎng)絡,如何在此基礎上進行LTE建設,需要進行縝密的研究分析,以確定網(wǎng)絡的覆蓋和質量要求。根據(jù)GSM的現(xiàn)網(wǎng)數(shù)據(jù)進行站址規(guī)劃,可以最有效地利用現(xiàn)有站址、減少選站周期、降低成本。在LTE網(wǎng)絡建設開始之前,需要對基站工參和站址數(shù)據(jù)進行精細化的規(guī)劃,即將優(yōu)化工作提至工程建設之前,可以確保網(wǎng)絡建設的質量,為日后的優(yōu)化工作奠定堅實的網(wǎng)絡結構基礎。
二、基于現(xiàn)網(wǎng)數(shù)據(jù)預測TD-LTE指標的方法
緊扣TD-LTE網(wǎng)絡規(guī)劃最為關鍵的兩個指標(RSRP和RS-SINR),從弱覆蓋、重疊覆蓋和干擾源三個方面進行網(wǎng)絡結構評估,全面分析現(xiàn)網(wǎng)站點結構問題。影響RSRP的因素主要是弱覆蓋,所以評估RSRP是否達標,需要找出反應該小區(qū)弱覆蓋的比例,目的是找出弱覆蓋問題小區(qū);影響RS-SINR的因素包括重疊覆蓋和干擾源,其中重疊覆蓋反應了服務小區(qū)存在強干擾信號的比例,目的是找出受到網(wǎng)絡結構影響的小區(qū),干擾源反應了某小區(qū)對網(wǎng)絡的干擾水平,發(fā)現(xiàn)高干擾小區(qū),目的是找出引起結構問題的高干擾小區(qū)。(圖1)
基于上述評估方法,LTE規(guī)劃時需秉承“以終為始”的網(wǎng)絡規(guī)劃思路,在規(guī)劃中引入基于現(xiàn)網(wǎng)性能統(tǒng)計數(shù)據(jù)的網(wǎng)絡結構分析,為網(wǎng)絡規(guī)劃的合理性提供更多的定量分析。由于LTE主要承載高速數(shù)據(jù)業(yè)務,因此規(guī)劃時不能只關心覆蓋門限值,應盡量提高全網(wǎng)范圍內的SINR,為用戶提供更高的速率,提升用戶感知。因為當信號強度達到基本門限后,SINR是網(wǎng)絡質量的決定因素,相應的對干擾抑制及網(wǎng)絡結構要求也就更高。
本文可以根據(jù)2G現(xiàn)網(wǎng)移動通信用戶通話時的相關測量數(shù)據(jù)信息實時、簡單、有效、準確地評估TD-LTE網(wǎng)絡結構?;舅悸肥牵夯?G現(xiàn)網(wǎng)數(shù)據(jù),對基于現(xiàn)網(wǎng)升級的LTE網(wǎng)絡結構進行預估,評估現(xiàn)網(wǎng)哪些站址可用于建設LTE網(wǎng)絡。實施中只要采集相關測量數(shù)據(jù)MRR和NCS就可以對小區(qū)覆蓋進行評估,不受地域及其他因素的影響,使運營商及時了解基站情況,及時判斷基站問題,有效進行LTE選址工作。
NCS的測量對于發(fā)現(xiàn)過覆蓋風險小區(qū)效果明顯,而MRR則主要用于弱覆蓋高風險小區(qū)的查找。為準確評估TD-LTE網(wǎng)絡結構,可采取二維評估形式,一是體現(xiàn)干擾源數(shù)量,二是體現(xiàn)干擾信號強度。
三、基于現(xiàn)網(wǎng)數(shù)據(jù)預測TD-LTE指標的具體實施方式
為使本文要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結合圖2進行詳細描述。
(1)高干擾風險小區(qū)的分析方法:NCS方法和MRR方法
1)干擾數(shù)據(jù)NCS處理方法
鏈路預算分析
可以將Okumura-Hata模型簡化為下面公式:
Lb=A-13.82lgHb-α(Hm)+(44.9-6.55lgHb)lgd
其中:
Lb:波傳播損耗值(dB)
A:覆蓋場景損耗參數(shù)
f:工作頻率(MHz)
Hb:基站天線有效高度(m)
Hm:移動臺天線有效高度(m)
d:移動臺與基站之間的距離(km)
α(Hm):移動臺天線高度因子α(Hm)=(1.1lgf-0.7)Hm-(1.56lgf-0.8)
對密集和一般城區(qū),一般1800M穿損比900M大8dB;對郊區(qū),一般1800M穿損比900M大6dB。
NCS測量門限設定
考慮以上因素,對于不同場景不同頻段下的serving cell和neighbor cell需選取不同的門限進行處理。
具體計算方法如下:
ABSS
GSM:RX LEVEL=GSM TX Power+天線增益-饋線及接頭損耗1-Pathloss1
LTE:RSRP=LTE TX Power+天線增益-饋線及接頭損耗2-Pathloss2
上面兩式相減得到
RSRP= RX LEVEL+(LTE TX Power-GSM TX Power)+(饋線及接頭損耗1-饋線及接頭損耗2)+(Pathloss1-Pathloss2)
RELSS
當鄰區(qū)的電平高于服務小區(qū)-9dB時,鄰區(qū)會對服務小區(qū)產生同頻干擾,工程上一般留3dB余量,即該差值為-12dB。由于相對門限需計算同頻干擾,因此對于不同頻段的鄰區(qū),需根據(jù)路損差異,轉換為同頻段再做比較。
根據(jù)以上計算方法可以得到不同區(qū)域(密集城區(qū)、一般城區(qū)、郊區(qū)和農村)的NCS定義門限要求。
NCS干擾小區(qū)計算方法
A小區(qū)對B小區(qū)的干擾影響系數(shù)=(B小區(qū)測量A小區(qū)期間,收到的包含A小區(qū)測量結果、且A小區(qū)場強絕對值-B小區(qū)場強絕對值≥-12dB的測量報告數(shù)量)/(測量時間內B小區(qū)收到的測量報告總數(shù)),當該值大于3%時,認為A小區(qū)對B小區(qū)會產生同頻干擾。
根據(jù)干擾影響系數(shù)計算A小區(qū)的影響小區(qū)個數(shù),干擾小區(qū)個數(shù)大于20時,該小區(qū)視為過覆蓋小區(qū)。對于一般城區(qū)和郊區(qū)該門限為14。
2)MRR處理方法
在小區(qū)覆蓋方向120度范圍內,以某一寬度為單位掃描,記錄最遠層三小區(qū)距離,將若干個記錄結果做比較,取最大值作為最遠第三層小區(qū)的距離,并與MRR中99%的TA值相比較,考慮TA測量的誤差,當兩者的差小于-550米時,視為該小區(qū)過覆蓋。
3)干擾高風險小區(qū)篩選
條件一:NCS干擾小區(qū)數(shù)大于14;
條件二:MRR最遠覆蓋距離與第三層基站距離之差大于-550米;
根據(jù)以上兩個條件,將干擾高風險小區(qū)分為以下三個等級:
等級一,滿足條件一和條件二。
一個基站3個小區(qū)中有兩個小區(qū)為等級一,且每小區(qū)話務量低于整個區(qū)域平均值,不建議該站建設LTE;若同站僅有一個小區(qū)為等級一,則可通過調整工參解決。
等級二,僅滿足條件一。
此類小區(qū)可作為LTE站址,但需要合理設置基站工參。
等級三,僅滿足條件二。
此類小區(qū)需對話務數(shù)據(jù)和測試數(shù)據(jù)進行詳細分析,如無明顯過覆蓋可建設LTE。
(2)弱覆蓋數(shù)據(jù)處理方法
從MRR測量結果中可以直接得到GSM每個小區(qū)的Pathloss值,根據(jù)以下公式可以計算出LTE在該采樣點對應的RSRP。
RSRP=參考信號發(fā)射功率+天線增益-Pathloss-饋線及接頭損耗-不同頻段路損差異
其中,參考信道發(fā)射功率設為15dB,天線增益為17.5dB,饋線及接頭損耗1.5dB,不同頻段路損差異取8或6dB。
當RSRP低于-110dB的采樣點數(shù)占某小區(qū)總采樣點數(shù)5%以上時,該小區(qū)視為弱覆蓋風險小區(qū)。
四、總結
本文的目的就在于利用現(xiàn)網(wǎng)2/3G的統(tǒng)計數(shù)據(jù)及測量報告,通過不同頻段差異性計算分析,得出不同場景下LTE的高風險站址篩選標準,作為精確規(guī)劃站址、準確調整工參的依據(jù),并指導以后的規(guī)劃及優(yōu)化工作。
參 考 文 獻
[1] OSS系統(tǒng)中MRR和NCS進行無線覆蓋評估的研究 陳源惠 廣東怡創(chuàng)通信有限公司 移動通信雜志
[2]向潞璐 基于MRR的天線方位角計算與無線優(yōu)化應用 -計算機與數(shù)字工程
[3]基于NCS進行頻率評估與優(yōu)化 《廣東通信技術》 -2014年4期 彭成干