張俊伶 路璐 李德冠 孟愛民
·論著·
基因芯片表達(dá)分析4Gyγ射線對小鼠骨髓c-kit陽性細(xì)胞影響
張俊伶 路璐 李德冠 孟愛民
目的 利用基因芯片技術(shù)分析經(jīng)4 Gyγ射線照射后c-kit(CD117,正常表達(dá)于干祖細(xì)胞表面的細(xì)胞因子受體)陽性細(xì)胞與代謝過程相關(guān)的基因及信號(hào)通路表達(dá)變化。方法 利用磁珠分選系統(tǒng)分選出骨髓c-kit陽性細(xì)胞。實(shí)驗(yàn)分為對照組、4Gy照射組。取1×106個(gè)c-kit陽性細(xì)胞進(jìn)行照射,照射劑量率為0.99Gy/min。照射后將細(xì)胞培養(yǎng)18 h后取出,進(jìn)行全基因組的高通量基因芯片檢測,并進(jìn)行Gene Ontology聚類分析和Kyoto Encyclopedia ofGenesand Genomes信號(hào)通路分析。結(jié)果 4 Gyγ射線照射引起c-kit陽性細(xì)胞包括Pld5、Neu2、Bpgm、Alas2、Satl1、Rdh16、Mccc1、Sat2、Smug1、Cml5、Adhfe1、Idh3a、Slc27a5在內(nèi)的13個(gè)基因表達(dá)上調(diào)3倍以上,包括Acss2、Phgdh、Psat1、Glb1、Gpam、Dus3l、Fuca2、Impdh1、Dlat、Glb1、Enpp4、Prim2、Mettl10、Slc27a2、Dera、Qdpr、Dus1l、Cdyl2、Dhodh、Srr、Spr、Mical2在內(nèi)的22個(gè)基因表達(dá)下調(diào)3倍以上,這些基因主要參與嘌呤代謝、嘧啶代謝、三羧酸循環(huán)等信號(hào)通路。結(jié)論4Gyγ射線照射能引起c-kit陽性細(xì)胞中與代謝過程相關(guān)的許多基因表達(dá)發(fā)生變化,這些變化的基因有待進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
原癌基因蛋白質(zhì)c-kit;寡核苷酸序列分析;輻射,電離;細(xì)胞代謝
【Keywords】Proto-oncogene proteins c-kit;Oligonucleotide array sequence analysis;Radiation, ionizing;Metabolic process
電離輻射能夠引起造血系統(tǒng)損傷,包括急性骨髓抑制和持久性骨髓損傷,前者主要是快速增殖的造血祖細(xì)胞(hematopoietic progenitor cell,HPC)損傷所致,后者主要是由于電離輻射引起的造血干細(xì)胞(hematopoietic stem cell,HSC)損傷所致。已有的研究顯示,電離輻射引起HSC和HPC損傷的機(jī)制主要是細(xì)胞內(nèi)活性氧升高激活下游一系列信號(hào)通路,最終引起造血系統(tǒng)急性損傷和HSC、HPC衰老[1]。應(yīng)用系列抗氧化劑能夠部分緩解電離輻射引起的造血干祖細(xì)胞損傷。細(xì)胞內(nèi)活性氧水平升高同樣引起細(xì)胞代謝發(fā)生變化[2],細(xì)胞代謝是近年研究的熱點(diǎn),也是細(xì)胞最基本、最重要的活動(dòng)之一。代謝通路在腫瘤的發(fā)生發(fā)展、糖尿病、衰老等病理生理過程中發(fā)揮著重要作用[3-5],然而在電離輻射引起造血系統(tǒng)損傷中的作用卻少有研究。c-kit又稱為CD117,是正常表達(dá)于干祖細(xì)胞表面的細(xì)胞因子受體。c-kit陽性細(xì)胞是一群經(jīng)過富集的富含HPC和HSC的一類細(xì)胞,利用磁珠分選系統(tǒng)能在短時(shí)間內(nèi)快速分選出大量的c-kit陽性細(xì)胞,對c-kit陽性細(xì)胞電離輻射損傷的研究能夠初步反映HPC和HSC的損傷情況。因此,本研究以c-kit陽性細(xì)胞為對象,利用基因表達(dá)譜芯片技術(shù)篩選出經(jīng)4Gyγ射線照射后在代謝過程中表達(dá)發(fā)生變化的基因,并分析這些基因的性質(zhì)和功能,為尋找電離輻射引起造血系統(tǒng)損傷的分子機(jī)制奠定基礎(chǔ)。
1.1 試劑與儀器
無血清擴(kuò)增培養(yǎng)基SFEM購自美國Stem Cell Technologies公司;c-kit磁珠和磁珠分選柱購自德國美天旎公司;137Csγ射線輻射源(型號(hào)USD,Autocell40)購自加拿大原子能有限公司。
1.2 實(shí)驗(yàn)動(dòng)物
無特定病原體級(jí)C57BL/6雄性小鼠10只,體質(zhì)量21~23 g,8~10周齡,購自中國北京維通利華實(shí)驗(yàn)動(dòng)物有限公司,合格證號(hào)SCXK(京)2012-0001。小鼠飼養(yǎng)于我所實(shí)驗(yàn)動(dòng)物中心。
1.3 c-kit陽性細(xì)胞分離
無菌分離小鼠雙側(cè)股骨脛骨,去除表面附著肌肉,將全部股骨脛骨放入研缽內(nèi),輕輕研磨直至骨髓細(xì)胞完全釋放,裂解紅細(xì)胞后對獲取的細(xì)胞進(jìn)行計(jì)數(shù)。按照每1×108個(gè)細(xì)胞加入20μl的c-kit磁珠,室溫孵育15min,孵育結(jié)束后加入5ml PBS,以離心半徑25 cm,1500 r/min,離心5min。離心完畢用10ml PBS重懸細(xì)胞,利用磁珠分選系統(tǒng)進(jìn)行c-kit陽性細(xì)胞分離[6]。
1.4 實(shí)驗(yàn)分組
實(shí)驗(yàn)分為2組,其中,對照組:取含1×107個(gè)c-kit陽性細(xì)胞的懸液1ml加入至2ml離心管內(nèi),作為未照射對照組;4 Gy照射組:在對照組基礎(chǔ)上進(jìn)行4Gyγ射線照射。每組設(shè)置6個(gè)平行孔。
1.5 基因芯片表達(dá)譜分析
照射組細(xì)胞照射后在37℃、5%CO2培養(yǎng)箱中培養(yǎng)18 h,之后取出,以離心半徑25 cm,1500 r/min,離心5min后棄上清。加入1ml體積的Trizol試劑,交由上??党缮锕こ逃邢薰具M(jìn)行全基因組的基因芯片分析后,再進(jìn)行Gene Ontology(GO)聚類分析和Kyoto Encyclopedia of Genes and Genomes(KEGG)信號(hào)通路分析。
1.6 統(tǒng)計(jì)學(xué)方法
差異表達(dá)上調(diào)及下調(diào)3倍以上的參與代謝過程的基因帶入KEGG數(shù)據(jù)庫進(jìn)行信號(hào)通路分析,結(jié)果采用Fisher精確檢驗(yàn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析,以P<0.05表示差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。
2.1 基因表達(dá)芯片散點(diǎn)圖
在基因表達(dá)芯片散點(diǎn)圖上,每個(gè)點(diǎn)代表1個(gè)基因探針,X軸表示對照組c-kit陽性細(xì)胞信號(hào)強(qiáng)度,Y軸表示照射組c-kit陽性細(xì)胞信號(hào)強(qiáng)度。散點(diǎn)圖中共有3條斜線,最上端的斜線代表上調(diào)超過2倍的差異基因,最下端的斜線代表下調(diào)超過2倍的差異基因,由圖1可見,電離輻射引起c-kit陽性細(xì)胞的許多基因的表達(dá)發(fā)生顯著改變。
2.2 電離輻射誘導(dǎo)與代謝過程相關(guān)的表達(dá)上調(diào)3倍以上的基因
GO聚類分析結(jié)果顯示,與對照組比較,照射組經(jīng)4 Gyγ射線照射后參與代謝過程(GO通路編號(hào):0008152)的差異表達(dá)基因中,62個(gè)基因表達(dá)上調(diào)2倍以上,其中13個(gè)基因表達(dá)上調(diào)3倍以上(表1)。
圖1 c-kit陽性細(xì)胞基因表達(dá)譜芯片雜交信號(hào)散點(diǎn)圖Fig.1 Scatter plots for hybridization signals by gene expression in c-kitpositive cells
表1 4Gyγ射線照射后與代謝過程相關(guān)的表達(dá)上調(diào)3倍以上的基因Table1 Metabolic process related genesup-regulatedmore than 3 timesafter4Gyγ-ray irradiation
2.3 電離輻射誘導(dǎo)與代謝過程相關(guān)的表達(dá)下調(diào)3倍以上的基因
GO聚類分析結(jié)果顯示,與對照組比較,照射組經(jīng)4Gyγ射線照射后參與代謝過程(GO通路編號(hào):0008152)的差異表達(dá)基因中,89個(gè)基因表達(dá)下調(diào)2倍以上,其中22個(gè)基因表達(dá)下調(diào)3倍以上(表2)。
2.4 電離輻射誘導(dǎo)的差異表達(dá)基因所在信號(hào)通路分析
將上述差異表達(dá)上調(diào)及下調(diào)3倍以上的參與代謝過程的基因帶入KEGG數(shù)據(jù)庫進(jìn)行信號(hào)通路分析(Fisher精確檢驗(yàn),P<0.05),涉及8條信號(hào)通路(表3)。
電離輻射能夠引起骨髓HSC損傷,已有研究顯示,引起損傷的機(jī)制主要包括以下幾方面:①通過p53-p53 up-regulatedmodulatorofapoptosis(puma)途徑引起 HSC凋亡;②通過激活 Granulocyte colony-stimulating factor/Signal transducersand activators of transcription 3/basic leucine zipper transcription factor(G-CSF/Stat3/BATF)依賴的分化調(diào)控點(diǎn)促進(jìn)HSC分化;③通過 Reactive oxygen species-p38 mitogen-activated protein kinase(ROS-p38MAPK)途徑誘導(dǎo)HSC衰老;④HSC微環(huán)境損傷導(dǎo)致其損傷[7]。然而,應(yīng)用以上各種信號(hào)通路激活劑或抑制劑不能完全緩解電離輻射引起的HSC損傷,因此需要對電離輻射引起的其他信號(hào)通路變化進(jìn)行深入研究。細(xì)胞代謝是細(xì)胞生命活動(dòng)的重要形式之一,主要包括糖代謝、脂質(zhì)代謝、線粒體和三羧酸循環(huán)代謝、氧化還原代謝等代謝過程。成體干細(xì)胞通過代謝途徑及信號(hào)通路為自我更新與定向分化等功能提供能量,從而實(shí)現(xiàn)細(xì)胞與周圍環(huán)境信號(hào)及營養(yǎng)信號(hào)的相互應(yīng)答,維持機(jī)體的生命活動(dòng)[8]。由于以往研究很少涉及到電離輻射后HSC代謝通路發(fā)生的變化,因此本研究利用高效基因芯片檢測技術(shù),篩選出經(jīng)4Gyγ射線照射后的骨髓c-kit陽性細(xì)胞內(nèi)發(fā)生表達(dá)變化的參與代謝過程的相關(guān)基因,并分析這些基因參與的信號(hào)通路變化情況。0~10Gy的電離輻射主要引起造血系統(tǒng)損傷,低于3.5Gy的電離輻射主要引起成熟細(xì)胞及HPC等快速增殖細(xì)胞的損傷,當(dāng)骨髓細(xì)胞受到4Gyγ射線照射后,HSC及HPC均出現(xiàn)損傷[7]。因此選用4 Gyγ射線照射劑量才能同時(shí)反映出造血干祖細(xì)胞的損傷情況?;蛐酒夹g(shù)能夠同時(shí)、快速、準(zhǔn)確地分析數(shù)以千計(jì)的基因組信息,對所獲取的信息進(jìn)行分析后能夠得到表
達(dá)發(fā)生變化的基因以及信號(hào)通路的很多有意義的信息,縮短了基因篩選的時(shí)間,提高了效率,具有重要的意義。本研究提示,與對照組比較,照射組經(jīng)4Gyγ射線照射后差異表達(dá)基因共有6368個(gè),差異表達(dá)2~3倍的上調(diào)基因比下調(diào)基因少740個(gè),差異表達(dá)3倍以上的上調(diào)基因比下調(diào)基因少6個(gè)。經(jīng)4Gyγ射線照射后,參與代謝過程的62個(gè)基因表達(dá)上調(diào)2倍以上,其中13個(gè)基因表達(dá)上調(diào)3倍以上;89個(gè)基因表達(dá)下調(diào)2倍以上,其中22個(gè)基因表達(dá)下調(diào)3倍以上。將這些表達(dá)上調(diào)及下調(diào)3倍以上的基因進(jìn)行KEGG數(shù)據(jù)庫的信號(hào)通路分析發(fā)現(xiàn),表達(dá)上調(diào)3倍以上的基因Slc27a5參與到初級(jí)膽汁酸生物合成信號(hào)通路過程,表達(dá)下調(diào)3倍以上的基因Impdh1、Prim2、Dhodh、Dlat參與到嘌呤代謝、嘧啶代謝、三羧酸循環(huán)等代謝相關(guān)的信號(hào)通路,Nat10、Prim2、Dhodh基因參與到真核生物核糖體合成、DNA復(fù)制、RNA轉(zhuǎn)運(yùn)等細(xì)胞合成信號(hào)通路。說明受照射后的骨髓c-kit陽性細(xì)胞存在著代謝通路異常改變及DNA合成障礙。
表2 4Gyγ射線照射后與代謝過程相關(guān)的表達(dá)下調(diào)3倍以上的基因Table 2 Metabolic process related genes down-regulatedmore than 3 timesafter4Gyγ-ray irradiation
表3 差異表達(dá)基因的KEGG通路富集分析Table 3 KEGG pathway enrichment analysis of differentially expressed genes
綜上所述,電離輻射能夠引起很多代謝相關(guān)的基因及信號(hào)通路發(fā)生改變,本研究初步篩選出了這些尚未在輻射引起HSC損傷領(lǐng)域研究過的代謝相關(guān)基因,這一研究結(jié)果為探討輻射引起HSC代謝變化的機(jī)制提供了思路。基因表達(dá)譜芯片分析是一種高通量的分析方法,具有高效、快速地獲取大量基因表達(dá)變化信息的特點(diǎn),在確定基因與基因間的相互關(guān)系,揭示疾病發(fā)生、發(fā)展的分子機(jī)制研究中起到了重要作用。然而,由于雜質(zhì)、背景、實(shí)驗(yàn)操作等一系列人為因素的影響,確實(shí)會(huì)出現(xiàn)部分結(jié)果假陽性的現(xiàn)象??梢酝ㄟ^增加平行樣本及實(shí)驗(yàn)次數(shù)盡量減少假陽性結(jié)果的出現(xiàn)。針對出現(xiàn)的陽性結(jié)果,需要使用實(shí)時(shí)PCR及Western blot等方法進(jìn)行mRNA水平和蛋白水平的驗(yàn)證,才能最終確定電離輻射引起了哪些代謝相關(guān)基因的變化,這也是筆者目前正在進(jìn)行的一項(xiàng)重要工作。
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Expression changes of genes in c-kit positive cells after 4 Gyγ-ray irradiation:a gene chipanalysis
Zhang Junling,Lu Lu,LiDeguan,Meng Aimin.Tianjin Key Laboratory of Radiation Medicine and Molecular NuclearMedicine,Institute of Radiation Medicine,Chinese Academy of Medical Sciences, Tianjin 300192,China
Meng Aimin,Email:ai_min_meng@126.com
Objective To analyze themetabolic process-related genes and pathway variations in the c-kit(CD117,a cytokine receptorexpressed on the surface ofhematopoietic stem cells)positive cells after 4 Gy irradiation by using gene chip technology.Methodsc-kit positive cells were sorted by microbead separation system.Two groupswere involved:controlgroup and 4Gy irradiation group.A total of 1×106c-kit positive cells received 4 Gy irradiation ata dose rate of 0.99 Gy/min.After the two groups were cultured for 18 h,all the cellswere collected and detected by gene chip arrays.Datawere processed and analyzed via Gene Ontology and Kyoto Encyclopedia ofGenesand Genomes pathways.ResultsAfter 4 Gyγ-ray irradiation,13 metabolic process-related genes were up-regulated more than 3 times:Pld5, Neu2,Bpgm,Alas2,Satl1,Rdh16,Mccc1,Sat2,Smug1,Cml5,Adhfe1,Idh3a,and Slc27a5.Additionally, 22 genes were down-regulated more than 3 times:Acss2,Phgdh,Psat1,Glb1,Gpam,Dus3l,Fuca2, Impdh1,Dlat,Glb1,Enpp4,Prim2,Mettl10,Slc27a2,Dera,Qdpr,Dus1l,Cdyl2,Dhodh,Srr,Spr,and Mical2.These geneswere involved in pyrimidinemetabolism,purinemetabolism,and citrate cycle(TCA cycle)pathways.ConclusionMany variations of genesand pathways in c-kitpositive cellsexisted after 4Gy irradiation.However,further laboratory technology is required to confirm these variations.
2015-01-21)
10.3760/cma.j.issn.1673-4114.2015.02.003
國家自然科學(xué)基金海外合作基金項(xiàng)目(81129020);國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(“973”項(xiàng)目)重大專項(xiàng)(2011CB964800-G);國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(81372928);國家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目(81402633);協(xié)和青年基金資助和中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(33320140033)
300192,中國醫(yī)學(xué)科學(xué)院放射醫(yī)學(xué)研究所,天津市放射醫(yī)學(xué)與分子核醫(yī)學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
孟愛民(Email:ai_min_meng@126.com)