長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器的暗電流機(jī)理研究進(jìn)展

陳效雙，許 嬌，胡偉達(dá)，王 俊，陳勇國(guó)，黃 燕，周孝好，陸 衛(wèi)

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長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器的暗電流機(jī)理研究進(jìn)展

陳效雙，許 嬌，胡偉達(dá)，王 俊，陳勇國(guó)，黃 燕，周孝好，陸 衛(wèi)

（中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 上海 200083）

介紹了HgCdTe紅外探測(cè)器的發(fā)展歷程，詳細(xì)分析了長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器的暗電流機(jī)制、采用同時(shí)擬合方法對(duì)暗電流參數(shù)進(jìn)行提取與分析，介紹了為降低暗電流的一些新的研究進(jìn)展。

長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器；暗電流；非線性同時(shí)擬合方法；混合表面鈍化

0 引言

紅外輻射是介于可見(jiàn)光和微波之間的電磁波，是不可見(jiàn)的一種輻射。紅外探測(cè)器通過(guò)對(duì)目標(biāo)的輻射或者反射紅外電磁波進(jìn)行探測(cè)，以目標(biāo)光譜學(xué)特征為識(shí)別依據(jù)，經(jīng)過(guò)光電轉(zhuǎn)換過(guò)程將紅外輻射轉(zhuǎn)化成電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量[1]。紅外探測(cè)器經(jīng)歷了第一代、第二代和長(zhǎng)波紅外成像系統(tǒng)3個(gè)階段?，F(xiàn)在的長(zhǎng)波紅外焦平面陣列正朝著高靈敏、寬譜段、高分辨率、低功耗、數(shù)字化的方向發(fā)展。

HgCdTe是HgTe和CdTe混合的贗二元系統(tǒng)。HgTe和CdTe的晶格常數(shù)很接近，分別為6.46?和6.48?，并且都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，使它們能以任何配比形成連續(xù)固溶體(HgTe)1－(CdTe)贗二元系，即Hg1－CdTe混晶材料。通過(guò)調(diào)節(jié)組分，直接帶隙半導(dǎo)體HgCdTe的禁帶寬度可以從－0.3eV連續(xù)變化到1.6eV獲得1～30mm的連續(xù)響應(yīng)波長(zhǎng)，覆蓋整個(gè)紅外波段。HgCdTe具有高的量子效率和長(zhǎng)的載流子壽命并且HgCdTe探測(cè)器可在液氮溫度下工作。同時(shí)，HgCdTe材料容易獲得高低不同范圍的載流子濃度，高的電子遷移率和低的介電常數(shù)。種種優(yōu)點(diǎn)讓HgCdTe材料可以被用于多種波段的探測(cè)器，成為了最理想的紅外探測(cè)材料，具有無(wú)可替代的地位[2]。

隨著紅外探測(cè)技術(shù)的發(fā)展，HgCdTe紅外探測(cè)器已經(jīng)發(fā)展到長(zhǎng)波了。第一代HgCdTe紅外探測(cè)器為線列陣光導(dǎo)型，這種光導(dǎo)型器件容易獲得低的噪聲和低的阻抗，但是不能與Si讀出電路直接耦合，需要高偏壓才能工作，因而它的應(yīng)用受到了很大的限制。第二代HgCdTe紅外探測(cè)器為二維面陣光伏型，從結(jié)構(gòu)上可分為平面結(jié)型和臺(tái)面結(jié)型。這種光伏器件有適中的阻抗，能與Si讀出電路直接耦合，工作一般不需要偏壓，功耗較小，具有響應(yīng)速度快、低頻噪聲低、易于大規(guī)模集成等一系列優(yōu)點(diǎn)，有力促進(jìn)了紅外焦平面陣列探測(cè)器的蓬勃發(fā)展[3]。第二代焦平面技術(shù)推動(dòng)了異質(zhì)結(jié)器件工藝技術(shù)的發(fā)展，使得長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器應(yīng)運(yùn)而生。長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器具有更高的性能、更高的制冷分辨率、更高的非制冷成像能力和更低的成本。主要包括（甚）長(zhǎng)波紅外探測(cè)器、雙色（多色）紅外探測(cè)器、超光譜陣列探測(cè)器以及雪崩紅外探測(cè)器。圖1為p-on-n型雙層異質(zhì)結(jié)HgCdTe光伏型紅外探測(cè)器示意圖，圖2為典型HgCdTe紅外雙色探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖[4]。

然而目前長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的暗電流研究存在很多問(wèn)題。暗電流機(jī)理不清楚，由于背景光照的原因?qū)е掳惦娏鞴怆娏鞑灰讌^(qū)分，參數(shù)提取誤差較大，暗電流極易受材料生長(zhǎng)和器件工藝的影響等。又由于HgCdTe材料的性質(zhì)及工藝的特殊性，較少的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)很難反應(yīng)真實(shí)的HgCdTe探測(cè)器的性能，而且對(duì)于能帶，電場(chǎng)分布等數(shù)據(jù)的采集以及動(dòng)態(tài)電阻特別是零偏電阻的求取也很困難。所以需要建立適合于HgCdTe器件的理論分析模型，結(jié)合實(shí)際工藝平臺(tái)，對(duì)真實(shí)器件的特性進(jìn)行模擬分析，從中提取出控制器件性能的特征參數(shù)。對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)性分析，找出工藝條件對(duì)器件性能影響的規(guī)律，為其性能的優(yōu)化提供理論依據(jù)和設(shè)計(jì)工具。本文討論了暗電流的機(jī)制，采用同時(shí)擬合方法對(duì)暗電流進(jìn)行參數(shù)的提取與分析，總結(jié)了長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器在暗電流方面新的研究進(jìn)展。

1 暗電流模型

衡量器件性能的重要參數(shù)——優(yōu)值因子0主要由暗電流決定，因此HgCdTe光伏器件的性能主要受到暗電流的制約。要提高器件的探測(cè)率，就必須降低器件的暗電流。因此研究暗電流特性，分析暗電流的形成機(jī)制和與材料參數(shù)的密切關(guān)系至關(guān)重要，是器件研制過(guò)程中必不可少的關(guān)鍵環(huán)節(jié)[5-6]。HgCdTe光伏探測(cè)器的暗電流是指在無(wú)光照的情況下，通過(guò)pn結(jié)的電流。產(chǎn)生暗電流的物理機(jī)制主要有擴(kuò)散電流機(jī)制、產(chǎn)生復(fù)合電流機(jī)制、直接隧穿機(jī)制和陷阱輔助隧穿機(jī)制。圖3為HgCdTe光伏器件的幾種主要暗電流機(jī)制的物理過(guò)程示意圖。

圖1 p-on-n型雙層異質(zhì)結(jié)HgCdTe光伏型紅外探測(cè)器的兩種主要器件結(jié)構(gòu)截面示意圖

圖2 典型HgCdTe紅外雙色探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖

1.1 擴(kuò)散機(jī)制電流

擴(kuò)散機(jī)制電流diff是pn結(jié)發(fā)光二極管最基本的電流機(jī)制，它主要產(chǎn)生于空間電荷區(qū)兩側(cè)自由產(chǎn)生的熱電子-空穴對(duì)在一個(gè)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度內(nèi)的濃度梯度下的擴(kuò)散。在較高溫度或較大正偏壓下，擴(kuò)散電流機(jī)制占主導(dǎo)。擴(kuò)散機(jī)制電流的表達(dá)式可以寫(xiě)為[7-8]：

式中：a是p區(qū)的受主濃度；d是n區(qū)的施主濃度；n和p分別是中性區(qū)電子和空穴的壽命；n和p分別是電子與空穴的遷移率；d是外加電壓；為pn結(jié)的結(jié)區(qū)面積。

1.2 產(chǎn)生復(fù)合機(jī)制電流

空間電荷區(qū)的缺陷和雜質(zhì)可作為復(fù)合中心，是產(chǎn)生復(fù)合電流gr產(chǎn)生的原因。熱平衡時(shí)，空間電荷區(qū)通過(guò)復(fù)合中心的載流子產(chǎn)生率等于復(fù)合率。當(dāng)有外加偏壓加在pn結(jié)上時(shí)，載流子的產(chǎn)生率與復(fù)合率失去平衡，形成復(fù)合機(jī)制電流。在空間電荷區(qū)的產(chǎn)生復(fù)合中心，在正向偏壓情況下提供凈的復(fù)合電流，反向偏壓情況下提供凈的產(chǎn)生電流。低溫下，產(chǎn)生復(fù)合電流機(jī)制占主導(dǎo)。小正偏的情況下，擴(kuò)散電流機(jī)制和產(chǎn)生復(fù)合電流機(jī)制一起成為暗電流產(chǎn)生的主要部分。產(chǎn)生復(fù)合機(jī)制電流的表達(dá)式可以寫(xiě)為[9]：

式中：t0是空間電荷載流子壽命；Vbi＝(kT/q) ln(NaNd/ni2)是內(nèi)建電壓；W0是零電壓下的空間電荷寬度；耗盡區(qū)寬度為；e0是真空介電常數(shù)；es是相對(duì)介電常數(shù)；，其中；Et為陷阱能級(jí)；Ei為本征費(fèi)米能級(jí)。

1.3 陷阱輔助隧穿機(jī)制電流

在反向偏壓下，復(fù)合中心作為中介，電子先從價(jià)帶隧穿到復(fù)合中心，再?gòu)膹?fù)合中心隧穿到導(dǎo)帶。形成陷阱輔助隧穿機(jī)制電流。在小反偏的情況下，陷阱輔助隧穿機(jī)制電流占主導(dǎo)地位。陷阱輔助隧穿電流的表達(dá)式可以寫(xiě)為[10-12]：

1.4 直接隧穿機(jī)制電流

在高的反偏電壓下，電子從空間電荷區(qū)的價(jià)帶直接隧穿到導(dǎo)帶上，形成直接隧穿機(jī)制電流bbt，直接隧穿電流與禁帶寬度g有很大的關(guān)聯(lián)，禁帶寬度越小，直接隧穿電流越明顯。HgCdTe為窄帶隙半導(dǎo)體，在高的反偏電壓下，直接隧穿機(jī)制電流占主導(dǎo)地位。直接隧穿機(jī)制電流的表達(dá)式可以寫(xiě)為[13-16]：

式中：e*為電子有效質(zhì)量；g為帶隙；＝(bi－)/為耗盡區(qū)的電場(chǎng)。

1.5 表面漏電流

除了上述4種機(jī)制外，實(shí)際HgCdTe器件中還存在漏電流，漏電流形成的原因比較復(fù)雜，也沒(méi)有完善的定量描述方法，一般情況下，僅采用簡(jiǎn)單的模型考慮漏電流[17]。

2 暗電流提取與分析

2.1 暗電流的參數(shù)提取

目前，典型的-或-特性分析采用基本的順序擬合模式，來(lái)獲得基本的器件特征參數(shù)[18-20]。即，根據(jù)不同偏壓主導(dǎo)暗電流機(jī)制的不同，在該偏壓范圍內(nèi)使用其對(duì)應(yīng)的主導(dǎo)暗電流機(jī)制對(duì)-或-曲線進(jìn)行擬合。然而，在很多偏壓下，常常有不只一種的機(jī)制在同時(shí)主導(dǎo)著器件的暗電流。這使得僅僅采用順序擬合模式所獲得的擬合參數(shù)有較大的偏差。

考慮到大多數(shù)偏壓下，都有多種暗電流機(jī)制同時(shí)起作用，來(lái)自中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所的全知覺(jué)[21-22]建立了同時(shí)擬合模式的解析模型擬合方法，通過(guò)這個(gè)方法來(lái)對(duì)暗電流進(jìn)行分析。又考慮到背景光的影響，實(shí)驗(yàn)得到的-曲線里有部分光電流，而微分處理后得到的-曲線是相同的，因而選擇-曲線作為擬合對(duì)象進(jìn)行擬合和參數(shù)提取研究。

以上4種暗電流機(jī)制對(duì)應(yīng)的電阻為：diff，gr，bbt，tat。表面漏電流的機(jī)制比較復(fù)雜，對(duì)器件的的影響跟串聯(lián)電阻一樣，且在大的正向偏壓時(shí)不可忽略，所以對(duì)動(dòng)態(tài)電阻分析時(shí)，把表面漏電流對(duì)應(yīng)的電阻考慮為器件的串聯(lián)電阻。于是，總的動(dòng)態(tài)電阻可以表示為：

對(duì)于HgCdTe光電二極管，需要擬合提取的參數(shù)主要有6個(gè)。它們是：n區(qū)摻雜濃度、d、p區(qū)電子遷移率與壽命之比n/n、空間電荷區(qū)有效壽命0、陷阱能級(jí)相對(duì)位置t/g和陷阱濃度t，以及串聯(lián)電阻s。

2.2 HgCdTe探測(cè)器暗電流變溫特性分析

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)的王俊[23]對(duì)As摻雜長(zhǎng)波HgCdTe紅外探測(cè)器的暗電流溫度依賴特性進(jìn)行了研究。通過(guò)以上所述的參數(shù)提取方法對(duì)實(shí)驗(yàn)中測(cè)得的-曲線進(jìn)行了擬合，得到的結(jié)果如圖4所示。

從圖4中可以看出：在小的正向偏壓時(shí)，動(dòng)態(tài)電阻有隨溫度增高而減小的趨勢(shì)，低溫時(shí)diff為主導(dǎo)暗電流，高溫時(shí)gr為主導(dǎo)暗電流；在反偏電壓下，tat和bbt都隨溫度增加而增加。d隨著溫度的增加逐漸減小；p區(qū)少子壽命n和耗盡區(qū)載流子壽命0都隨溫度的增高而降低；硼離子注入成結(jié)的As摻雜長(zhǎng)波n-on-p型HgCdTe器件的缺陷濃度t隨溫度增加而減小，同時(shí)隨溫度升高缺陷位置向深能級(jí)移動(dòng)；t/g與串聯(lián)電阻s隨著溫度的增加在減小。

3 新型HgCdTe紅外探測(cè)器的進(jìn)展

為了提高HgCdTe紅外探測(cè)器的性能，最直接的辦法就是降低暗電流或提高光電流。目前，HgCdTe中波和長(zhǎng)波的量子效率已經(jīng)在70%以上，光電流的提升空間不大。相比之下，通過(guò)降低暗電流，HgCdTe紅外探測(cè)器的性能能提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)[24]。研究人員們紛紛尋找降低暗電流的方法，并取得了一定的研究成果。

3.1 具有n-on-p平面結(jié)的長(zhǎng)波HgCdTe光伏探測(cè)器的模擬研究

中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所的殷菲[25]對(duì)于砷摻雜n-on-p平面結(jié)的長(zhǎng)波HgCdTe光伏器件，取41K、62K、82K、100K四個(gè)溫度點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合。得到的擬合結(jié)果如圖5所示。

得到結(jié)論：①在零偏壓下，41K和62K時(shí)產(chǎn)生復(fù)合和陷阱主導(dǎo)暗電流，到82K和100K時(shí)，由擴(kuò)散電流和產(chǎn)生復(fù)合電流主導(dǎo)暗電流。②在小正偏壓下，低溫41K時(shí)產(chǎn)生復(fù)合電流主導(dǎo)著暗電流。隨溫度升高，擴(kuò)散電流增大，82K時(shí)由產(chǎn)生復(fù)合電流和擴(kuò)散電流共同決定。到100K后，擴(kuò)散電流比復(fù)合電流對(duì)暗電流的貢獻(xiàn)更大。③在反向小偏壓下，低溫下暗電流逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)橛僧a(chǎn)生復(fù)合電流和缺陷輔助隧穿電流決定，隨著溫度升高，擴(kuò)散電流增大，溫度升高到82K后，暗電流由擴(kuò)散電流和產(chǎn)生復(fù)合電流共同決定，溫度繼續(xù)升高到100K后，暗電流變?yōu)橛蓴U(kuò)散電流主導(dǎo)。④當(dāng)反向電壓繼續(xù)增加時(shí)，器件暗電流就主要受缺陷輔助隧穿電流限制。這說(shuō)明砷摻雜長(zhǎng)波器件的缺陷密度還是比較大，需要進(jìn)一步消除缺陷密度。當(dāng)反向偏壓接近0.5V時(shí)，直接隧穿電流也開(kāi)始起作用。

圖5 砷摻雜n-on-p平面結(jié)的長(zhǎng)波HgCdTe光伏器件的變溫實(shí)驗(yàn)R-V曲線及其擬合結(jié)果

3.2 硅基HgCdTe光伏器件的暗電流特性分析

中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所的殷菲[25]采用液相外延和分子束外延，在硅基復(fù)合襯底上生長(zhǎng)汞空位摻雜的的p型HgCdTe。選取不同溫度下的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合。結(jié)果如圖6所示。

LPE器件①在正偏壓下，低溫時(shí)產(chǎn)生復(fù)合電流主導(dǎo)著暗電流。隨溫度升高，擴(kuò)散電流迅速增大，由產(chǎn)生復(fù)合電流和擴(kuò)散電流共同決定。②零偏附近，60K時(shí)由陷阱輔助隧穿電流主導(dǎo)；80K時(shí)由陷阱輔助隧穿電流和產(chǎn)生復(fù)合電流共同決定，隨著溫度升高，產(chǎn)生復(fù)合電流貢獻(xiàn)增大；到110K時(shí)由產(chǎn)生復(fù)合電流主導(dǎo)。③反偏時(shí)，由陷阱輔助隧穿電流主導(dǎo)著暗電流，看不到直接隧穿電流對(duì)暗電流的貢獻(xiàn)。說(shuō)明在Si基襯底上LPE生長(zhǎng)的中波器件的缺陷密度還是比較大，需要進(jìn)一步消除缺陷密度。

MBE器件①零偏附近，暗電流由產(chǎn)生復(fù)合電流和陷阱輔助隧穿電流共同決定。MBE器件在零偏附近，擴(kuò)散電流也有所貢獻(xiàn)。②在大反偏下，暗電流由直接隧穿電流和陷阱輔助隧穿電流共同決定；反偏電壓小于0.5V時(shí)，由陷阱輔助隧穿電流主導(dǎo)。③正偏壓下，暗電流由擴(kuò)散電流主導(dǎo)。

3.3 烘烤對(duì)HgCdTe光伏器件的暗電流特性影響分析

中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所的殷菲[25]，對(duì)制備的HgCdTe光電焦平面樣品進(jìn)行了3h 80℃的烘烤，隨后7h 110℃的烘烤，并分在烘烤前和兩次烘烤后測(cè)量得到77K時(shí)的暗電流特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，通過(guò)擬合，圖像表明經(jīng)過(guò)3h 80℃的烘烤之后，產(chǎn)生復(fù)合電流下降，擴(kuò)散電流有所增加，陷阱輔助隧穿電流和帶到帶隧穿電流并沒(méi)有明顯的變化。隨后繼續(xù)7h 110℃的烘烤之后，產(chǎn)生復(fù)合電流和擴(kuò)散電流并沒(méi)有明顯的變化，陷阱輔助隧穿電流和帶到帶隧穿電流均有所下降。烘烤后，n區(qū)摻雜濃度d降低，陷阱能級(jí)t位置變高，陷阱濃度下降。

3.4 表面鈍化對(duì)HgCdTe光伏器件的暗電流特性影響分析

中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所的胡偉達(dá)、陳效雙[26]等人在相同薄片上分別利用3種不同的鈍化機(jī)制處理HgCdTe探測(cè)器件，對(duì)比暗電流值與動(dòng)態(tài)電阻值來(lái)研究鈍化機(jī)制對(duì)暗電流的影響。這3種鈍化機(jī)制分別是：傳統(tǒng)鈍化機(jī)制、原位CdTe沉積和混合表面鈍化（原位CdTe沉積和高密度氫等離子體改性）。

實(shí)驗(yàn)測(cè)得的暗電流值、動(dòng)態(tài)電阻值如圖7所示，同時(shí)擬合方法得到的特征參數(shù)如表1所示。

如圖7所示，原位CdTe鈍化機(jī)制的動(dòng)態(tài)電阻的最大值比傳統(tǒng)的增加了超過(guò)100%。混合表面鈍化機(jī)制的動(dòng)態(tài)電阻的最大值比傳統(tǒng)的增加了超過(guò)200%。為了揭示不同鈍化技術(shù)下暗電流的限制機(jī)制，用到了-同時(shí)擬合方法。提取的與輔助隧穿電流相關(guān)的特征參數(shù)的值呈現(xiàn)在表1中。

圖7 三種鈍化機(jī)制下測(cè)得的電流與動(dòng)態(tài)電阻值。其中左坐標(biāo)軸為電流值，右坐標(biāo)軸為動(dòng)態(tài)電阻值

由表1可知，原位CdTe鈍化和混合表面鈍化提取的特征參數(shù)比傳統(tǒng)的鈍化機(jī)制減少。通過(guò)原位CdTe鈍化，淺陷阱能級(jí)變?yōu)榱松钕葳迥芗?jí)。與原位CdTe鈍化相比，混合表面鈍化對(duì)于陷阱能級(jí)并沒(méi)有太大的貢獻(xiàn)。這說(shuō)明，原位CdTe鈍化能顯著消除淺陷阱，而淺陷阱有助于產(chǎn)生TAT電流。然而，混合表面鈍化減少了陷阱密度，是因?yàn)楦呙芏鹊牡入x子改性能夠鈍化結(jié)構(gòu)缺陷（例如螺型位錯(cuò)和失配位錯(cuò)）和處理?yè)p害（例如等離子體危害和熱危害），由于不成熟的CdTe鈍化技術(shù)，而這些危害存在于HgCdTe表面或CdTe層。所以，我們可以得出結(jié)論，對(duì)于HgCdTe長(zhǎng)波紅外探測(cè)器，原位CdTe鈍化和氫等離子體有利于抑制陷阱輔助隧穿電流，特別是混合表面鈍化。

表1 三種鈍化機(jī)制下由同時(shí)擬合方法得到的特征參數(shù)值

4 總結(jié)

降低暗電流是提高HgCdTe紅外探測(cè)器性能最有效的方式。在一般HgCdTe器件工作的溫度點(diǎn)80K，零偏壓附近主要的電流機(jī)制是陷阱輔助隧穿電流，產(chǎn)生復(fù)合電流，擴(kuò)散電流和表面漏電流。要提高器件的水平，必須降低陷阱輔助隧穿電流、產(chǎn)生復(fù)合電流和表面漏電流對(duì)暗電流的貢獻(xiàn)。因此，要降低器件的暗電流水平，提高材料少子壽命，改善表面鈍化、降低表面復(fù)合速率以降低產(chǎn)生復(fù)合電流和表面漏電流；提高材料質(zhì)量，降低pn結(jié)區(qū)的陷阱濃度，以降低陷阱輔助隧穿電流的貢獻(xiàn)應(yīng)該是主要的方向。

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Research Progresses on Dark Current Mechanisms of Long-wavelength HgCdTe Infrared Detectors

CHEN Xiao-shuang，XU Jiao，HU Wei-da，WANG Jun，CHEN Yong-guo，HUANG Yan，ZHOU Xiao-hao，LU Wei

(,200083,)

The dark current mechanism of HgCdTe long-wavelength infrared（LWIR）detectors is analyzed in detail. Simultaneous-mode nonlinear fitting method is proposed to extract and analyze the parameters from the experimental dark current curves. This paper presents a comprehensive review of research background and fundamental issues of HgCdTe LWIR detectors, as well as some recent progresses in the suppression of the dark current.

long-wavelength MCT infrared detector，dark current，simultaneous-mode nonlinear fitting method，hybrid surface passivation

TN215

A

1001-8891(2015)05-0353-08

2015-05-10.

陳效雙，中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所，研究員。

國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目，編號(hào)：61290301。