哪些半導體公司會成為22nm FDSOI的嘗鮮者?

Gl obal Foundr i es宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nmFD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。

FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Int el還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。Gl obal Foundr ies技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一陣放棄，14nm索性直接借用三星的。盡管如此，GF22nmFD-SOI工藝也是有一些獨特優(yōu)勢的，雖然無法制造高性能芯片，但也很適合移動計算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、射頻聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡基礎架構等領域。

Gl obal Foundr ies宣稱，該工藝功耗比28nmHKMG降低了70%，芯片面積比28nmBul k縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低，電壓可以做到業(yè)界最低的0.4V，并可通過軟件控制晶體管電壓，還集成了RF射頻，功耗降低最多50%。甚至，它可以提供類似FinFET工藝的性能。哪些半導體公司會成為22nmFDSOI的嘗鮮者呢?

GF22nmFD-SOI工藝將于2016年下半年在德國德累斯頓工廠投產(chǎn)，為此已投資2.5億美元。ARM、Imaginat ion、意法半導體、飛思卡、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表達了支持，將會采納。

意法半導體CEOJean-Mar c Cher y表示：GLOBALFOUNDRIES的FDX平臺，使用的先進FDSOI晶體管結構是我們長期的合作研究而來的，能滿足IoT對al ways-on和低功耗的需求，以及其它功耗敏感的設備的需求。

飛思卡爾的MCUgr oupVPRonMartino表示：飛思卡爾的下一代i.MX系列應用程序處理器利用FD-SOI工藝實現(xiàn)低功耗。GLOBALFOUNDRIES22FDX平臺將FD-SOI擴展到28nm以下，對成本和功耗都帶來顯著優(yōu)化。

ARM物理設計部總經(jīng)理Will Abbey表示：我們正在與LOBALFOUNDRIES密切合作,提供客戶所需的IP生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們從22FDX技術中獲益。

Imaginat ionTechnologies營銷副總裁TonyKing-Smith指出：GLOBALFOUNDRIES的22FDX與Imaginat ion的廣泛IP組合結合后會賦予我們共同的客戶更多創(chuàng)新設計，這些IP包括Power VR多媒、MIPSCPU和Ensigma通信。

IBS公司創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Handel Jones表示，F(xiàn)D-SOI技術可以提供一個多節(jié)點、低成本方案，GLOBALFOUNDRIES的22FDX在一個低成本平臺上實現(xiàn)了FD-SOI技術的最低功耗。

“Soit ec首席執(zhí)行官Paul Boudr e表示，對下一代的低功耗電子產(chǎn)品來說，這是一個關鍵的里程碑。作為GLOBALFOUNDRIES的戰(zhàn)略合作伙伴，我們的超薄SOI襯底已經(jīng)準備好應對22FDX技術量產(chǎn)。