微波器件高頻多層板制造工藝研究

楊維生（南京電子技術(shù)研究所，江蘇 南京 21001）

微波器件高頻多層板制造工藝研究

Paper Code: S-001

楊維生
（南京電子技術(shù)研究所，江蘇 南京 21001）

隨著現(xiàn)代通訊技術(shù)的飛速發(fā)展，高頻基板材料、以及高頻基板材料印制板的制作工藝技術(shù)，成為現(xiàn)階段業(yè)界同仁關(guān)注的焦點(diǎn)。本文就，高頻多層印制板制造用原材料-泰康利公司高頻介質(zhì)材料TSM-DS3，進(jìn)行了性能及特點(diǎn)介紹。在此基礎(chǔ)上，對選用此類高頻介質(zhì)基板材料及半固化片F(xiàn)astRise-28，制造高頻多層印制板的工藝技術(shù)，進(jìn)行了較為詳細(xì)的介紹。最后，還針對此次高頻多層印制板制造過程中的關(guān)鍵工藝技術(shù)進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述，其中包括有TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料的平面電阻阻值控制技術(shù)、高頻材料的多層化實現(xiàn)技術(shù)變形控制技術(shù)、多層板孔金屬化互連實現(xiàn)的背鉆深度控制技術(shù)、以及多層印制板局部外形側(cè)壁金屬化技術(shù)等。

微波器件；高頻印制板；工藝技術(shù)

1 引言

通常，人們將工作在微波波段（頻率為300～300000兆赫）的器件，稱為微波器件。微波器件按其功能可分為微波振蕩器（微波源）、功率放大器、混頻器、檢波器、微波天線、微波傳輸線等。

通過特殊的電路設(shè)計，可將這些器件組合成各種有特定功能的微波電路，例如，利用這些器件組裝成發(fā)射機(jī)、接收機(jī)、天線系統(tǒng)、顯示器等，由此被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和通信系統(tǒng)等電子裝備。

縱觀當(dāng)今世界通訊業(yè)現(xiàn)狀，電子設(shè)備的高頻化是發(fā)展趨勢，尤其隨著無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通訊的日益發(fā)展，以及通信產(chǎn)品走向容量大速度快的無線傳輸之語音、視像和數(shù)據(jù)規(guī)范化，信息產(chǎn)品走向高速與高頻化成為必然。

如此境況，高頻基板材料的快速發(fā)展成為現(xiàn)實。無論是美國三大巨頭的羅杰斯、雅龍（21014年傳來被羅杰斯公司收購的消息）、泰康利公司，還是剛剛邁過三十年成長史的民族品牌——泰州“旺靈”絕緣材料，都不同程度謀取了相當(dāng)?shù)氖袌龇蓊~。

微波器件用高頻基板材料的基本特性要求，大致有以下幾個方面：

（1）介電常數(shù)：小而且很穩(wěn)定，通常是越小越好；信號的傳送速率與材料介電常數(shù)的平方根成反比，高介電常數(shù)容易造成信號傳輸?shù)难舆t。

（2）介質(zhì)損耗：必須小，這主要影響到信號傳送的品質(zhì)，介質(zhì)損耗越小，造成的信號損耗也越小。

（3）吸水率：高頻介質(zhì)材料的吸水性要低，吸水性高將會導(dǎo)致潮濕環(huán)境中，由于受潮而影響介電常數(shù)與介質(zhì)損耗。

（4）剝離強(qiáng)度：隨著高頻多層印制板圖形制作精度的日漸提升，高頻基板材料銅箔附著力的要求隨之提升；此外，介質(zhì)材料的熱膨脹系數(shù)，與銅箔的熱膨脹系數(shù)盡量一致，因為不一致會在冷熱變化中造成銅箔分離。

（5）尺寸穩(wěn)定性：隨著微波器件高頻多層印制板加工需求的增多，尺寸穩(wěn)定性至關(guān)重要。尤其是較大尺寸高頻多層印制板的加工、埋置平面電阻高頻多層印制板的加工、多次壓合高頻多層印制板的加工，高頻介質(zhì)基板材料的“二維尺寸穩(wěn)定性”指標(biāo)，將直接決定著加工的品質(zhì)、甚至直接關(guān)乎加工的成敗。

（6）其它耐熱性、抗化學(xué)性、沖擊強(qiáng)度等亦必須良好。

在所有的樹脂體系中，聚四氟乙烯的介電常數(shù)（εr）和介質(zhì)耗角正切（tanδ）最小，而且耐高低溫性和耐老化性能好，最適合于作高頻基板材料。

本文就運(yùn)用于泰康利公司高頻介質(zhì)材料TSM-DS3頻多層印制板的工藝技術(shù)，進(jìn)行相關(guān)介紹。

2 高頻介質(zhì)基板材料介紹

2.1 泰康利公司TSM-DS3覆銅箔層壓板

美國TACONIC公司是全球著名的高頻介質(zhì)基板材料提供商，以其專注于聚四氟乙烯樹脂體系開發(fā)出的系列產(chǎn)品服務(wù)客戶而聞名于世。

此次工藝研究選取的TSM-DS3板材，是一種陶瓷粉填充增強(qiáng)、非常低玻璃纖維填充的聚四氟乙烯（PTFE）覆銅箔層壓板材料，它具有以下顯著特點(diǎn)：

（1）非常好的介質(zhì)損耗（Df=0.0011.10GHz）；

（2）具有高熱導(dǎo)0.65 W/m*K；

（3）低的玻璃纖維含量（約5%左右）；

（4）相較環(huán)氧樹脂介質(zhì)體系，滿足二維高度尺寸穩(wěn)定性；

（5）滿足高多層印制電路板的加工需求；

（6）可獲得預(yù)期設(shè)計一致性要求的復(fù)雜印制電路板加工；

（7）介電常數(shù)（Dk）的溫度溫度性±0.35%（-30?120℃）；

（8）可兼容電阻銅箔。

此種高頻介質(zhì)板材TSM-DS3的主要性能，參見表1。

2.2 泰康利公司的FR-28粘結(jié)片材料

TACONIC公司的fastRise-28半固化片，是專門為高速數(shù)字信號傳輸應(yīng)用和毫米波頻段射頻多層印制板制造設(shè)計研制提供的。

與TACONIC公司其他微波介質(zhì)基板材料相配，制造相應(yīng)設(shè)計要求的多層微波介質(zhì)基板，fastRise-28半固化片能夠滿足低介電損耗的帶狀線結(jié)構(gòu)設(shè)計要求。該粘結(jié)片材料的熱固性性能，使得其能滿足設(shè)計要求的多次層壓制造。

另外，由于該半固化片組成中，選用了較大量的陶瓷粉填充料，使得相應(yīng)制品的尺寸穩(wěn)定性很好。由于其選用的是高性能的熱固性樹脂，使其對銅箔和一些聚四氟乙烯材料顯示出較好的粘結(jié)效果。

此種粘結(jié)片材料的主要性能，參見表1。

表1 粘結(jié)片F(xiàn)R-28性能一覽

3 微波器件高頻多層板制造工藝研究

針對于此次微波器件高頻多層板的制作，在選擇高頻基板材料TSM-DS3的基礎(chǔ)上，按照多層化制作層間結(jié)合力要求，配合選取了同一高頻基板材料供應(yīng)商提供的粘結(jié)片材料——fastRise-28半固化片，在多種高溫層壓設(shè)備上，成功實現(xiàn)了設(shè)計需要的多層印制板的加工制作。

在此次微波器件高頻多層板的制作過程中，重點(diǎn)關(guān)注了下述諸多方面的制作工藝技術(shù)控制，簡要總結(jié)如下：

（1）定位方式的優(yōu)化和運(yùn)用；

（2）TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料的平面電阻實現(xiàn)技術(shù)；

（3）TSM-DS3高頻材料的多層化壓制技術(shù)；

（4）內(nèi)層線路引出端口保護(hù)技術(shù)；

（5）TSM-DS3高頻材料的變形控制技術(shù)；

（6）對孔電鍍技術(shù)；

（7）TSM-DS3高頻材料多層板孔金屬化互連的背鉆深度控制技術(shù)；

（8）TSM-DS3高頻材料多層印制板局部外形側(cè)壁金屬化技術(shù)。

針對于此次微波器件高頻多層板制作所選擇的FR-28粘結(jié)片材料，層壓制程控制要求如下：

① 選用真空層壓制程；

② 控制升溫速率（1.5～5.5）℃/min，直至215.5 ℃，其間，樹脂流動窗口控制為（80～150）℃；

③ 維持層壓壓力0.5 Mpa（73 psi）直至壓制板溫度達(dá)到37 ℃，然后施加全壓力3.45 Mpa（500 psi）；

④ 保溫保壓60 min；

⑤ 在保壓情況下，進(jìn)行降溫，維持降溫速率＜3 ℃/min

具體層壓過程溫度、壓力、以及時間關(guān)系圖，參見如下：

圖1 FR-28層壓參數(shù)控制要求

對于高層數(shù)的多層介質(zhì)基板制造，維持一個較低的升溫速率，會獲得最佳的樹脂流動和填充，對較低層數(shù)的多層板層壓，則沒有明顯的特征顯現(xiàn)。建議當(dāng)熱壓機(jī)的溫度降至75 ℃ ～ 95 ℃時，再打開壓機(jī)，取出壓制完成的多層介質(zhì)基板，盡管產(chǎn)品使用說明推薦溫度降至120 ℃后，即可打開壓機(jī)。同樣，針對于冷熱壓機(jī)的配合使用，同樣建議當(dāng)層壓溫度降至120 ℃后，方可將熱壓板轉(zhuǎn)至冷壓機(jī)繼續(xù)實施保壓降溫處理。

4 問題討論

4.1 TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料的平面電阻實現(xiàn)技術(shù)

在過往相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)中，埋入無源元件板又稱為平面無源元件板，這是因為埋入無源元件需以平面類型而埋入，故又稱為平面電阻技術(shù)。采用薄膜電阻的平面電阻設(shè)計，綜合考慮到性能、成本和工藝可實現(xiàn)性，通常會選用Ohmega公司提供的Ohmega-Ply膜電阻方案。Ohmega-Ply膜電阻是存在于電路板中介質(zhì)和銅箔之間的一層Ni/P合金膜，厚度根據(jù)方阻不同有0.1 μm（50 Ω/o）、0.05μm（100 Ω/o）等幾種。由于電阻膜很薄，其存在對電路阻抗的影響很小，可以忽略。最早，由GOGERS公司將Ohmega公司提供的Ohmega-Ply膜電阻運(yùn)用到其高頻覆銅箔層壓板基材中，制造出RT/duroid6002平面電阻高頻覆銅箔層壓板基材。

下面給出的是平面電阻的制作工藝流程：

下料→一次覆膜→曝光、顯影→檢查→一次蝕刻（蝕刻銅）→ 二次蝕刻（蝕電阻層）→褪膜→清洗→二次覆膜→曝光、顯影→檢查→酸洗→三次蝕刻（蝕刻銅）→清洗檢查→褪膜→測量電阻→清洗→目檢→層壓（埋電阻）

（1）平面電阻圖形制作的制程建立；

（2）平面電阻阻值的補(bǔ)償控制；

（3）平面電阻阻值板面分布均勻性評估；

（4）多層化加工對平面電阻阻值的影響程度。

對于此次微波器件高頻多層板的制作，首次接觸到泰康利公司的TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料，盡管有著多年雅龍公司CLTE-XT-50OHM高頻電阻材料制作多層印制板經(jīng)驗，但是由于各家公司材料特性差異，必須開展相對應(yīng)的“平面電阻阻值的補(bǔ)償控制”、“平面電阻阻值板面分布均勻性評估”、以及“多層化加工對平面電阻阻值的影響程度”研究。

4.1.1 TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料平面電阻阻值補(bǔ)償研究

設(shè)計制作相關(guān)模版圖形，開展電阻阻值補(bǔ)償測試工作。

表2 電阻圖形阻值設(shè)計一覽（單位：Ω）

針對上述電阻圖形，通過平面電阻制作標(biāo)準(zhǔn)程序，進(jìn)行相關(guān)測試板的平面電阻圖形制作，并進(jìn)行對應(yīng)位置電阻阻值的度量，詳見下表3。

表3 對應(yīng)位置電阻圖形阻值實際測量值（單位：Ω）

根據(jù)多次電阻圖形對應(yīng)位置電阻值的測試，推斷出對應(yīng)材料類型的平面電阻制作時，電阻圖形的補(bǔ)償修正值，最終反映在模版圖形設(shè)計中。

4.1.2 TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料平面電阻板面分布均勻性評估

在確定相關(guān)高頻平面電阻介質(zhì)基板材料的電阻補(bǔ)償值后，通過開展正式生產(chǎn)板的加工，測試附連板圖形電阻阻值，開展TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料的平面電阻板面分布均勻性評估，為電阻圖形制程控制提供依據(jù)。

下表4和表5，給出了兩件微波多層印制板制作中，埋置平面電阻圖形加工完成件的附連板測試電阻測量值。

表4 附連板位置電阻圖形阻值測量（加工板A）（單位：Ω）

表5 附連板位置電阻圖形阻值測量（加工板B）（單位：Ω）

4.1.3 多層化加工對TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料埋置平面電阻阻值的影響程度

眾所周知，無論何種高頻介質(zhì)基板材料，其對應(yīng)的埋置平面電阻覆銅箔基板，在電阻圖形制作完成基礎(chǔ)上，實施多層化層壓加工，均會對平面電阻阻值產(chǎn)生一定的影響。一定情況下，層壓可能會導(dǎo)致對應(yīng)的埋置平面電阻阻值整體升高一些；也有可能出現(xiàn)埋置平面電阻整體降低一些的情形發(fā)生。同樣是上述提及的加工板A和加工板B，當(dāng)多層化完成并最終實施結(jié)束整個加工制程后，通過設(shè)計要求加工出之引出端圖形（50OHM電阻值的并聯(lián)設(shè)計）進(jìn)行電阻值測試，其數(shù)據(jù)值詳見下表6。按照此次微波器件高頻多層板設(shè)計要求，埋置電阻誤差范圍為±5%，對應(yīng)的成品板埋置電阻阻值范圍為：23.75～26.25Ω。鑒于上述表6中電阻阻值顯示，此次加工板A和加工板B，層壓前后電阻阻值的變化態(tài)勢（層壓后電阻阻值降低了約10%左右）。對應(yīng)采取的對策為：電阻圖形制作過程中，將原來控制電阻阻值提高10%左右，期望層壓后電阻阻值回落到設(shè)計要求的范圍內(nèi)。遵照上述修正執(zhí)行，在隨后的同圖號微波器件高頻多層板加工中，成功實現(xiàn)了預(yù)期的埋置平面電阻阻值控制要求，合格率達(dá)到90%以上。

表6 加工板A和加工板B各拼板實測電阻值（單位：Ω）

4.2 TSM-DS3高頻材料的多層化實現(xiàn)技術(shù)

作為聚四氟乙烯高頻微波多層印制基板制造的層壓方式，從材料學(xué)的角度出發(fā)，前后出現(xiàn)過三種粘結(jié)方式。

首先，基于材料粘結(jié)理論，高頻介質(zhì)聚四氟乙烯之本體粘結(jié)，是一個相當(dāng)不錯的選擇，并曾經(jīng)在微波器件高頻多層板的加工中，立下過“汗馬功勞”。隨著現(xiàn)代通訊設(shè)計要求的提升，此種粘結(jié)方式中層壓溫度較高的條件制約，不幸漸漸“淡出”人們的視野。其次，獲得牢固粘結(jié)力之“相似相容”原則，含有聚四氟乙烯相似樹脂體系的熱塑性粘結(jié)劑，成為人們追逐的目標(biāo)。例如氯氟共聚物樹脂（有時，統(tǒng)稱為氟樹脂薄膜）粘結(jié)片體系，發(fā)揮著其獨(dú)特的功效；另一方面，其層壓溫度也有所降低，應(yīng)用市場相對較大，粘結(jié)效果相對較佳。對于低熔點(diǎn)氟樹脂薄膜，可以選用普通的層壓機(jī)進(jìn)行層壓制造。因為層壓溫度不算高，具有較好的尺寸穩(wěn)定性；但是，粘結(jié)片200℃以上會熔解，缺乏耐熱性。對于高熔點(diǎn)氟樹脂薄膜，由于具有和芯板氟樹脂更為接近的性質(zhì)，粘結(jié)的可靠性較高。但因為層壓所采用的溫度相對較高，聚四氟乙烯高頻微波多層印制基板的尺寸穩(wěn)定性相對較難控制。最后，還有一種熱固性樹脂粘結(jié)方式。熱固性樹脂類粘結(jié)片，根據(jù)材料結(jié)構(gòu)的差異，有多種應(yīng)用選擇。其中，有類似FR-4多層板工藝條件進(jìn)行層壓制作的粘結(jié)片材料；有改性類熱固性樹脂粘結(jié)片，對應(yīng)的多層化壓合溫度較高。此次微波器件高頻多層板的多層化制作，所實施的實際壓合條件如下：

（1）溫升速率：（1.5～5）℃/min；（2）壓力：2.45 Mpa（25 kg/cm2）；（3）層壓溫度：215 ℃；（4）保溫保壓時間：90 min；（5）降溫速率：±3 ℃/min。

4.3 TSM-DS3高頻材料的變形控制技術(shù)

鑒于微波器件高頻多層板制造所選用的高頻介質(zhì)基板材料，屬于聚四氟乙烯樹脂體系，其熱塑性樹脂體系的特性，決定了其二維尺寸穩(wěn)定性往往不能滿足特定情況下，較高圖形引出端口位置精度的加工要求。為此，針對此次TSM-DS3高頻材料微波器件高頻多層板的加工，考慮到上述材料的變形因素，決定采取如下措施：

4.3.1 多層板定位方式的選擇

由于眾所周知的理由，當(dāng)微波器件高頻多層板的加工尺寸，能夠選取到相應(yīng)的Multiline定位模具系統(tǒng)時，原則上建議優(yōu)先使用四槽定位系統(tǒng)。

前期經(jīng)驗，加上此次微波器件高頻多層板的加工再次證明，當(dāng)出現(xiàn)不可避免的高頻材料變形時，多層化加工的四槽定位模具體系，不失為一個行之有效的“靈丹妙藥”，有時盡管無法處處“藥到病除”，但減緩降低癥狀發(fā)生，還是有效的。另外，還要提出的是，當(dāng)運(yùn)用高頻平面電阻銅箔介質(zhì)基板，開展平面電阻圖形加工時，四槽定位系統(tǒng)的運(yùn)用，有時不僅能降低材料變形帶來的質(zhì)量問題，同時，對于電阻圖形的二次圖形轉(zhuǎn)移位置重合精度實現(xiàn)，效率提升明顯。

4.3.2 鉚釘定位方式的運(yùn)用

對于較大尺寸高頻多層板的加工，由于超出了Multiline定位模具系統(tǒng)的能力范圍；或者，出于材料利用率的考量，也可以選用鉚釘定位的方式進(jìn)行。

在此次多圖號微波器件高頻多層板的制造工藝研究中，上述兩種方式均有采用。對于鉚釘定位方式，于層壓制程結(jié)束后，需借助于X-ray鉆靶機(jī)，進(jìn)行后續(xù)數(shù)控加工制程所需定位孔的鉆制。如下圖3所示。

圖3 高頻多層板X-ray鉆靶示意

有道是“天道酬勤”、“無心插柳柳成行”，在選購X-ray鉆靶機(jī)時，主要是出于高頻混合介質(zhì)高多層綜合背板的成功制造。由于不可避免的不同介質(zhì)樹脂的變形差異，層間最佳定位孔位置的獲取，必須依賴于X-ray鉆靶機(jī)。沒曾想，在隨后的微波器件高頻多層板的制造過程中，發(fā)揮了其度量材料變形的精準(zhǔn)和快捷性。

通過此次微波器件高頻多層板的制造，充分顯示出泰康利公司的新款高頻介質(zhì)基板材料——TSM-DS3（包括TSM-DS3-50OHM），相較于其他早現(xiàn)于世的聚四氟乙烯介質(zhì)體系，具有更佳的二維尺寸穩(wěn)定性。參見下表。

4.3.3 多層板的數(shù)控鉆孔文件修正

如上所述，對于材料變形，可以借助于X-ray鉆靶機(jī)，獲取材料在多層化等工序后的變形量。如此，可針對原始基準(zhǔn)鉆孔文件，進(jìn)行不同變形量高頻多層板的鉆孔文件修正，最大程度贏取良品率。

4.4 TSM-DS3高頻材料多層板孔金屬化互連實現(xiàn)的背鉆深度控制技術(shù)

微波器件高頻多層板的成功制造，層間不同設(shè)計需求的金屬化孔互連，是關(guān)鍵技術(shù)之一，其中，垂直互連是微波器件多層電路中實現(xiàn)不同層電路之間連接的主要方式。由圖4可見垂直互連主要由金屬化盲孔和埋孔實現(xiàn)，同時，為了成功獲得信號傳輸，金屬化孔的電路優(yōu)化設(shè)計非常重要，有時，不可避免會出現(xiàn)圖4所示的背靠背互連。

圖4 某網(wǎng)絡(luò)設(shè)計結(jié)構(gòu)圖示意

背靠背互連盲孔制造的要求，必須通過設(shè)計層次的層壓制作、金屬化孔制作、背鉆制作才能實現(xiàn)。具體為：

（1）層壓制作；

（2）通孔金屬化孔制作；

（3）背鉆（控深）制作。

其中，最為關(guān)鍵是，背鉆的深度控制技術(shù)運(yùn)用了。

鑒于此次背鉆深度控制精度為：＜0.1 mm，首先，要選擇滿足該種鉆孔Z向深度控制精度能力要求的三維線性數(shù)控鉆床，瑞士產(chǎn)POSALUX鉆機(jī)不失為選擇之一。

另外，由于較大尺寸高頻基板材料的厚度均勻性制約、加之多層化之后的厚度影響、以及多次孔金屬化制作所帶來的銅層厚度分布差，給背鉆的高精度深度控制帶來了不小的難度。

為此，通過采用“控深鉆孔位置布設(shè)附連板孔、附連板孔優(yōu)先鉆孔、制作金相切片、度量背鉆實際深度”的方式，成功獲得了符合要求的背鉆孔。具體背鉆深度控制效果，參見下圖5。

圖5 背鉆深度控制實物板示意

經(jīng)檢測度量，最終背鉆實際深度控制為：0.058 mm、0.065 mm……符合設(shè)計控深＜ 0.1 mm的要求。

4.5 TSM-DS3高頻材料多層印制板局部外形側(cè)壁金屬化技術(shù)

多層印制板的局部外形側(cè)壁金屬化技術(shù)，許多年前曾經(jīng)有所嘗試，那時也是針對某型號平面電阻高頻多層板的加工。

此次，運(yùn)用泰康利公司的TSM-DS3新款高頻介質(zhì)基板材料，再次按照設(shè)計需要，開展了多層印制板局部外形側(cè)壁金屬化制造。

選擇方式一：采用“內(nèi)層相關(guān)圖形制作（包括平面電阻圖形制作）、多層化壓合、定位孔加工、數(shù)控鉆孔、數(shù)控銑局部外形、孔金屬化、全板電鍍、干膜圖形轉(zhuǎn)移、酸性蝕刻”的方法，成功實現(xiàn)了側(cè)壁金屬化制造。

選擇方式二：采用“內(nèi)層相關(guān)圖形制作（包括平面電阻圖形制作）、多層化壓合、定位孔加工、數(shù)控鉆孔、數(shù)控銑局部外形、孔金屬化、干膜圖形轉(zhuǎn)移、圖形電鍍、堿性蝕刻”的方法，順利獲得了側(cè)壁金屬化加工。

5 結(jié)語

本文圍繞加工中高頻多層印制板，針對首次選用的泰康利公司榮譽(yù)產(chǎn)品——高頻介質(zhì)材料TSM-DS3，以及TSM-DS3-50OHM，開展了多款高頻多層印制板的制造工藝研究。

為了獲取高可靠性的多層化層間結(jié)合力，我們專門選擇了泰康利公司的半固化片材料——FastRise-28，通過層壓過程工程化參數(shù)優(yōu)化、內(nèi)層圖形表面處理方式選擇、以及高頻介質(zhì)表面的活化處理，最終成功實現(xiàn)了設(shè)計需求的高頻多層印制板。

本次工藝研究，開展了多項關(guān)鍵技術(shù)嘗試，具體解決了TSM-DS3-50OHM高頻電阻材料的平面電阻阻值控制、TSM-DS3高頻材料的多層化加工、TSM-DS3高頻材料的變形控制、TSM-DS3高頻材料多層板孔金屬化互連實現(xiàn)的背鉆深度控制、以及TSM-DS3高頻材料多層印制板局部外形側(cè)壁金屬化等。

此外，由于埋置平面電阻等高多層高頻印制板設(shè)計要求的日益增多，加之互連多樣化制作的需求遞增，相關(guān)制造工藝技術(shù)的成功實現(xiàn)面臨巨大挑戰(zhàn)。其中，對于高頻介質(zhì)基板材料的變形控制，成為當(dāng)前及未來必須認(rèn)真面對的重要任務(wù)。

楊維生，高級工程師，主要從事印制板制造工藝技術(shù)及品質(zhì)控制工作，公開發(fā)表學(xué)術(shù)論文百余篇。

Study on the processing technology of the high frequency multilayer PCB for the microwave devices

YANG Wei-sheng

With the rapid development of modern communication technology, the high frequency substrate material, and the technology of the high frequency substrate material PCB, have become the focus of the colleagues of the present stage. In this paper, the performance and characteristics of the raw materials of the high frequency dielectric material TSM-DS3 of the TACONIC company are introduced, which are manufactured for the highfrequency multilayer PCB applied to a certain type of radar in microwave devices. Besides, the advantage of process technology of the manufacturing of the high frequency multilayer printed circuit board applied to a certain type of radar in microwave devices using the FastRise-28 prepreg and the high frequency dielectric material TSMDS3 was introduced in detail. Finally, the key technology of the high frequency multilayer printed circuit board manufactured was expatiated particularly, including the technology of process control of the planar resistor of the TSM DS3-50OHM, the manufacturing technology of the multilayer printed circuit board with the high frequency substrate material TSM-DS3, the deformation control technology of manufacturing by the high-frequency material TSM-DS3, the back drill depth control technology of PTH manufacturing by the high-frequency material TSMDS3, and the local shape side metallization technology manufacturing by the high-frequency material TSM-DS3.

Microwave Devices; High Frequency Printed Circuit Board; Process

TN41

A

1009-0096（2015）03-0174-10