王中王：Core i7—5960X處理器及X99主板

雨寒

旗艦級(jí)的LGA2011平臺(tái)三年來倒也升級(jí)了兩代了，今年則會(huì)輪到Haswell-E架構(gòu)登場(chǎng)了，還好這一次的升級(jí)力度還是挺大的，CPU要從6核升級(jí)到8核，主板要從X79升級(jí)到X99，就連主流的DDR3內(nèi)存也要升級(jí)到全新的DDR4了，來了個(gè)三位一體的全方位換代。

這兩年AMD無(wú)心戀戰(zhàn)高性能處理器市場(chǎng)，Intel早已高處不勝寒，從Sandy Bridgge到Ivy Bridge再到Haswell，每代處理器升級(jí)最大的都是GPU性能，CPU架構(gòu)性能提升有限。旗艦級(jí)的LGA2011平臺(tái)三年來倒也升級(jí)了兩代了，今年則會(huì)輪到Haswell-E架構(gòu)登場(chǎng)了，還好這一次的升級(jí)力度還是挺大的，CPU要從6核升級(jí)到8核，主板要從X79升級(jí)到X99，就連主流的DDR3內(nèi)存也要升級(jí)到全新的DDR4了，來了個(gè)三位一體的全方位換代。如此給力的升級(jí)免不了讓發(fā)燒玩家躍躍欲試，除了能體驗(yàn)到更強(qiáng)大的CPU性能、更高級(jí)的主板之外，土豪玩家還能搶先其他桌面用戶一兩年用上DDR4內(nèi)存——Intel要到Broadwell之后的Skylake處理器上才會(huì)提供主流市場(chǎng)的DDR4支持。

Haswell-E處理器：桌面系統(tǒng)首款原生8核

Core i7 EE是Intel的旗艦級(jí)平臺(tái)，身份和地位要比桌面處理器高出一截，所以規(guī)格上也要高端一些，桌面級(jí)Core i7最多是4核8線程，支持雙通道內(nèi)存，Core i7 EE系列之前都是6核12線程，支持三通道甚至四通道內(nèi)存。

第一代LGA2011處理器SNB-E實(shí)際上是8核的，Intel屏蔽了2個(gè)核心，到了IVB-E上才是原生的6核心，不過Haswell-E這一代，Intel終于肯網(wǎng)開一面了，推出了Intel系首款桌面8核處理器——這距離AMD推出首款8核桌面處理器FX-8150已經(jīng)過去將近三年了，只是AMD的8核這么多年也沒干過Intel的6核處理器。

新一代LGA2011處理器使用是但是Haswell-E架構(gòu)，主要技術(shù)特性跟22nm工藝的Haswell處理器差不多——不鎖頻、支持HT超線程、Turbo Boost加速等等，同時(shí)具備xxx-E系列處理器的40條PCI-E 3.0通道（Hasell桌面版是16條PCI-E 3.0通道）及四通道內(nèi)存（普通桌面版是雙通道），而且這一次還率先支持DDR4內(nèi)存。

Haswell-E系列處理器都是不鎖頻的，定位發(fā)燒級(jí)玩家和超頻玩家，超頻功能自然是一大看點(diǎn)。Haswell-E處理器的超頻設(shè)計(jì)源自于Haswell，后者的超頻技術(shù)我們之前也做過詳細(xì)介紹，不同的地方在于Haswell-E沒有核顯，不需要考慮GFX核顯的超頻。在這個(gè)處理器上，Intel同樣放寬了Turbo加速限制、倍頻提升到80x，內(nèi)存方面也解鎖了內(nèi)存控制器、支持200、266MHz外頻，PCH的時(shí)鐘頻率及PLL電壓也放寬了限制，總之Intel盡可能放寬了CPU/內(nèi)存/PLL/PCH電路的限制，提升了處理器的超頻潛力。

Intel這一次同樣發(fā)布了三款處理器，最高端的是Core i7-5960X，8核16線程，頻率3.0，加速頻率3.5GHz，售價(jià)999美元。其次是6核12線程的Core i7-5930K，售價(jià)為583美元，最后則是Core i7-5820K處理器，也是6核12線程，不過PCI-E 3.0通道數(shù)砍到了28條，售價(jià)389元，比通常Core i7-4820K的323美元高了20%，不過Intel的提價(jià)+砍PCI-E通道雙重削弱依然改變不了Core i7-5820K性價(jià)比最高的事實(shí)。

以Core i7-5960X為例，它使用的還是22nm 3D晶體管工藝，但因?yàn)樵?核的設(shè)計(jì)，晶體管數(shù)量依然達(dá)到了26億個(gè)，核心面積355mm2，比Core i7-4960X的18.6億晶體管、257mm2面積高得多。

配套的X99除了支持DDR4內(nèi)存和原生USB 3.0兩大改變之外，還支持PCI-E x8*5配置，不過目前的顯卡最多也就是四路CF/SLI，這個(gè)5x8配置還需要第三方PCI-E切換芯片，實(shí)際意義也不大。對(duì)比X79及X99芯片組，它們?cè)诔l、四通道內(nèi)存、SRT智能響應(yīng)、RST、SATA 6Gbps接口上差別不大，X99主要是支持彈性I/O配置，增加了6個(gè)原生USB 3.0接口，SATA 6Gbps接口維持10個(gè)。其實(shí)Intel在Z97芯片組及X99芯片組中實(shí)際上已經(jīng)支持了SATA Express接口，只不過官方?jīng)]有明確宣布這個(gè)功能，但我們?cè)赯97及X99主板上可以看到很多廠商做了SATA Exress接口，此前技嘉、微星曝光的X99主板都已經(jīng)支持了SATA Express接口，還有M.2接口，這二者實(shí)際上都是PCI-E通道的，技術(shù)上有共通性。

Intel在桌面處理器上保持著插槽接口2年一換（之前的一年一換被人吐槽了好久）的“優(yōu)良傳統(tǒng)”，Core i7 EE及服務(wù)器平臺(tái)看似厚道多了，因?yàn)長(zhǎng)GA1366之后一直在用LGA2011接口，但是同為L(zhǎng)GA2011，X79和X99也是不能兼容的，針腳數(shù)沒變，但是規(guī)格尺寸有變化了。X99主板上使用的插槽叫做LGA2011-3，而之前至強(qiáng)E5-X600及Core i7-3900/3800、Core i7-4900/4800系列使用的是LGA2011-1，至強(qiáng)E7 v2處理器上使用了LGA2011-2插槽，三種插槽互不兼容。新的LGA2011-3封裝高度增加到了49.2mm，而SNB-E/IVB-E適用的LGA2011封裝高度是43mm，最主要的是X1、X2定位點(diǎn)之間的距離也不同，想向下兼容是不可能的了。

雖然Haswell-E及X99主板的升級(jí)看點(diǎn)不少，但是新一代旗艦中升級(jí)最大的其實(shí)是DDR4內(nèi)存，從首款支持DDR3內(nèi)存的Intel P35芯片組算起到現(xiàn)在已經(jīng)有7年多了，這么久了才輪到一次內(nèi)存升級(jí)，這可比CPU或者主板升級(jí)換代重要多了。endprint

DDR4內(nèi)存規(guī)范早在2012年9月底就發(fā)布了，這兩年多來DRAM顆粒及內(nèi)存模組廠商一直在推進(jìn)，不過影響DDR4內(nèi)存走向的關(guān)鍵問題之一在于支持平臺(tái)，AMD那邊就不要抱有多大期望了，Intel的主流處理器架構(gòu)也沒打算很快支持DDR4，Haswell沒有，Broadwell也沒有，下下代的Skylake上才會(huì)有DDR4內(nèi)存，只有Haswell-E因?yàn)檎戳朔?wù)器平臺(tái)的光才開始支持DDR4。

新一代DDR4內(nèi)存能帶給用戶什么樣的優(yōu)勢(shì)？這是JEDEC官方組織制定DDR4標(biāo)準(zhǔn)的目的，也是用戶最關(guān)心的地方。在Haswell-E及DDR4內(nèi)存正式來臨之前，我們有必要先了解一下DDR4內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)。

從DDR1到DDR3，每一代DDR技術(shù)的內(nèi)存預(yù)取位數(shù)都會(huì)翻倍，前三者分別是2bit、4bit及8bit，以此達(dá)到內(nèi)存帶寬翻倍的目標(biāo)，不過DDR4在預(yù)取位寬上保持了DDR3的8bit設(shè)計(jì)，因?yàn)槔^續(xù)翻倍為16bit預(yù)取的難度太大，DDR4轉(zhuǎn)而提升Bank數(shù)量，它使用的是Bank Group（BG）設(shè)計(jì)，4個(gè)Bank作為一個(gè)BG組，可自由使用2-4組BG，每個(gè)BG都可以獨(dú)立操作。使用2組BG的話，每次操作的數(shù)據(jù)就是16bit，4組BG則能達(dá)到32bit操作，這其實(shí)變相提高了預(yù)取位寬。

DDR3內(nèi)存的主流頻率在1066-2133MHz（起步是800MHz），目前常見的是DDR3-1600和DDR3-1866，主流平臺(tái)大都支持雙通道配置，總位寬128bit，總帶寬分別是25.6GB/s、29.9GB/s，LGA2011平臺(tái)是四通道配置，所以帶寬還要翻倍。DDR4保持了DDR3一樣的8位數(shù)據(jù)預(yù)取設(shè)計(jì)，所以同頻率下帶寬不變，但是DDR4內(nèi)存頻率更高，起步就是1600MHz，不過廠商大都是從DDR4-2133MHz起，目前開賣的消費(fèi)級(jí)DDR4普遍達(dá)到了2400MHz、2667MHz及2800MHz，DDR4-3000以及DDR4-3200規(guī)格的也開發(fā)成功了，不過上市還要等等。當(dāng)然，這還不是極限，規(guī)劃的最高頻率則能達(dá)到DDR4-4266MHz，雙通道帶寬可達(dá)68GB/s。

就以DDR4-2133MHz內(nèi)存為例，128bit雙通道帶寬已經(jīng)達(dá)到了34GB/s，DDR4-2400/2666/3200MHz的帶寬則是38.4GB/s、42.7GB/s及51.2GB/s，所以在總帶寬上DDR4相比DDR3依然有很多優(yōu)勢(shì)。

當(dāng)然，目前的DDR3內(nèi)存還沒到衰落的地步，很多廠商也開發(fā)了DDR3-2133MHz以上的高頻內(nèi)存，甚至還有一些DDR3-3000及更高頻率的內(nèi)存，不過代價(jià)也相當(dāng)高，售價(jià)也自然高不可攀。

頻率和帶寬提升并不是DDR4唯一的重點(diǎn)，對(duì)服務(wù)器應(yīng)用來說內(nèi)存功耗也是要考慮在內(nèi)的，DDR4內(nèi)存的工作電壓從DDR3的1.5V降低到了1.2V，這有助于提升DDR4內(nèi)存的效率，降低電力消耗，同時(shí)對(duì)散熱也大有裨益。DDR那一代的工作電壓高達(dá)2.5V，隨后DDR2降低到了1.8V，DDR3又降低到了1.5V，DDR3L低電壓版則是1.35V，而DDR4的工作電壓只要1.2V，低電壓版尚未完全確定，不過可以低至1.0-1.05V，相比DDR3L進(jìn)一步降低功耗。具體來說，DDR3需要的VDD、VDDQ電壓都是1.5V，不需要VPP電壓，DDR4的VDD、VDDQ電壓降低到了1.2V，不過需要2.5V的VPP電壓。如果?？从嘘P(guān)美光DDR4內(nèi)存的新聞，那么有讀者可能會(huì)記得美光的宣傳中提到了DDR4內(nèi)存相比DDR3可節(jié)能40%，其中電壓下降帶來的功耗降低大約是20%，剩下月15%的節(jié)能則是靠DDR4內(nèi)存的POD Bus、DLL-Off模式、數(shù)據(jù)總線倒轉(zhuǎn)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。

DDR3內(nèi)存中常見的內(nèi)存容量是2-4GB，再有就是單條8GB了，單條16GB的非常少，而且需要特殊手段才能實(shí)現(xiàn)，而見諸報(bào)道的DDR4內(nèi)存經(jīng)?？梢砸姷?6GB單條的，SK Hynix甚至展示過128GB容量的DDR4內(nèi)存，這都說明一點(diǎn)——DDR4內(nèi)存的存儲(chǔ)密度更高，內(nèi)存容量更大。

隨著Haswell-E處理器的發(fā)布，X99主板及DDR4內(nèi)存也會(huì)隨之浮出水面，開啟新一輪的升級(jí)換代大戰(zhàn)。

Haswell-E這次從6核升級(jí)到了8核，最低端的Core i7-5820K也從前代的4核升級(jí)到了6核，再加上HT超線程，可以預(yù)計(jì)新平臺(tái)的多線程性能會(huì)有明顯提升，有此需求的玩家應(yīng)該會(huì)感受到體驗(yàn)升級(jí)，不過單核性能就別期待了，IVB到Haswell沒有什么變化，IVB-E到Haswell-E也不會(huì)有質(zhì)變。

X99主板比X79主板多了原生USB 3.0，而且其他技術(shù)規(guī)格也更先進(jìn)，陸續(xù)曝光的X99主板中普遍支持M.2及SATA Express接口以及802.11ac無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，新一代主板的超頻能力也值得期待一下。DDR4內(nèi)存可以說是Haswell-E中最大的亮點(diǎn)了，高頻率高帶寬、低電壓低功耗的特性聽上去十分吸引人，而且新一代DDR4內(nèi)存容量更大，8條內(nèi)存插槽的X99主板普遍都會(huì)支持128GB內(nèi)存，比目前的X79主板高一倍，可以滿足玩家對(duì)大容量?jī)?nèi)存的需要。

不過最大的變數(shù)也是DDR4內(nèi)存，因?yàn)閷儆谛率挛铮珼DR4內(nèi)存現(xiàn)在數(shù)量太少，美光、海盜船、威剛、芝奇都展示過相關(guān)的產(chǎn)品，但是現(xiàn)在供貨還是非常少，而且價(jià)格也比DDR3內(nèi)存高得多，就算發(fā)燒玩家不差錢，購(gòu)買渠道不暢也會(huì)影響他們的積極性。

DDR4內(nèi)存規(guī)范早在2012年9月底就發(fā)布了，這兩年多來DRAM顆粒及內(nèi)存模組廠商一直在推進(jìn)，不過影響DDR4內(nèi)存走向的關(guān)鍵問題之一在于支持平臺(tái)，AMD那邊就不要抱有多大期望了，Intel的主流處理器架構(gòu)也沒打算很快支持DDR4，Haswell沒有，Broadwell也沒有，下下代的Skylake上才會(huì)有DDR4內(nèi)存，只有Haswell-E因?yàn)檎戳朔?wù)器平臺(tái)的光才開始支持DDR4。endprint