一覽眾山小

小王

近些年AMD無(wú)力挑戰(zhàn)高性能處理器市場(chǎng)，Intel早已高處不勝寒，從Sandy Bridge到Ivy Bridge再到Haswell，每代處理器升級(jí)最大的都是GPU性能，而CPU運(yùn)算單元性能提升有限。旗艦級(jí)的LGA2011平臺(tái)三年來(lái)倒也升級(jí)了兩代了，今年則會(huì)輪到Haswell-E架構(gòu)登場(chǎng)了，還好這一次的升級(jí)力度還是挺大的，CPU要從6核升級(jí)到8核，主板芯片組要從X79升級(jí)到X99，就連主流的DDR3內(nèi)存也要升級(jí)到全新的DDR4了，來(lái)了個(gè)三位一體的全方位換代。如此給力的升級(jí)免不了讓發(fā)燒玩家躍躍欲試，除了能體驗(yàn)到更強(qiáng)大的CPU性能、更高級(jí)的主板之外，土豪玩家還能搶先其他桌面用戶(hù)一兩年用上DDR4內(nèi)存——Intel要到Broadwell之后的Skylake處理器上才會(huì)提供主流市場(chǎng)的DDR4支持。

Haswell-E處理器

Core i7 EE是Intel的旗艦級(jí)平臺(tái)，身份和地位要比桌面處理器高出一截，所以規(guī)格上也要高端一些，桌面級(jí)Core i7最多是4核8線程，支持雙通道內(nèi)存，Core i7 EE系列之前都是6核12線程，支持三通道甚至四通道內(nèi)存。

Haswell-E規(guī)格簡(jiǎn)介

第一代LGA2011處理器SNB-E實(shí)際上是8核的，Intel屏蔽了2個(gè)核心，到了IVB-E上才是原生的6核心，不過(guò)Haswell-E這一代，Intel終于肯網(wǎng)開(kāi)一面了，推出了Intel系首款桌面8核處理器——這距離AMD推出首款8核桌面處理器FX-8150已經(jīng)過(guò)去將近三年了，只是AMD的8核這么多年也沒(méi)干過(guò)Intel的6核處理器。

新一代LGA2011處理器使用是但是Haswell-E架構(gòu)，主要技術(shù)特性跟22nm工藝的Haswell處理器差不多——不鎖頻、支持HT超線程、Turbo Boost加速等等，同時(shí)具備xxx-E系列處理器的40條PCI-E 3.0通道（Hasell桌面版是16條PCI-E 3.0通道）及四通道內(nèi)存（普通桌面版是雙通道），而且這一次還率先支持DDR4內(nèi)存。

Haswell-E超頻功能簡(jiǎn)介

Haswell-E系列處理器都是不鎖頻的，定位發(fā)燒級(jí)玩家和超頻玩家，超頻功能自然是一大看點(diǎn)。

Haswell-E處理器的超頻設(shè)計(jì)源自于Haswell，后者的超頻技術(shù)我們之前也做過(guò)詳細(xì)介紹，不同的地方在于Haswell-E沒(méi)有核顯，不需要考慮GFX核顯的超頻。在這個(gè)處理器上，Intel同樣放寬了Turbo加速限制、倍頻提升到80x，內(nèi)存方面也解鎖了內(nèi)存控制器、支持200、266MHz外頻，PCH的時(shí)鐘頻率及PLL電壓也放寬了限制，總之Intel盡可能放寬了CPU/內(nèi)存/PLL/PCH電路的限制，提升了處理器的超頻潛力。

Haswell-E處理器型號(hào)及價(jià)格

跟前兩代LGA2011處理器一樣，Haswell-E也會(huì)提供從高到低（相對(duì)來(lái)說(shuō)的低）三款產(chǎn)品，旗艦級(jí)是Core i7-5960X，8核16線程，20MB緩存，基礎(chǔ)頻率3.0GHz，加速頻率3.5GHz，支持四通道DDR4-2133內(nèi)存，TDP為140W。

次階的是Core i7-5930K，6核12線程，15MB緩存，頻率3.5-4.0GHz，TDP也是140W。最次的也是Core i3-5820K，6核12線程，頻率3.3-3.7GHz，TDP為140W。

至于價(jià)格，前兩款應(yīng)該會(huì)維持官方標(biāo)準(zhǔn)的999美元、599美元，不過(guò)Core i7-5820K有點(diǎn)特殊，前任Core i7-4820K是4核的，現(xiàn)在變成了6核了，如果維持原來(lái)的399美元售價(jià)肯定會(huì)使得Core i7-5820K性?xún)r(jià)比大增，影響其他產(chǎn)品銷(xiāo)售，所以漲價(jià)是免不了的，根據(jù)預(yù)訂價(jià)來(lái)看漲了也有20%左右。

當(dāng)然，Intel還在PCI-E 3.0通道上砍了Core i7-5820K另一刀，它只有28條，不能支持雙x16，只能x16+x8，三卡也只有x16+x8+x4的分配方式。

即便如此，這三款處理器中最為人看好的還是Core i7-5820K，6核12線程的配置達(dá)到了Core i7-4960X的水平，但是價(jià)格低得多，而且不鎖頻，性?xún)r(jià)比超高。

Core i7-5960X的性能表現(xiàn)估計(jì)會(huì)讓人有些糾結(jié)，8核16線程很好很強(qiáng)大，但是也因此讓它的頻率降低到了3.3-3.5GHz，比不過(guò)Core i7-4790K的3.9-4.4GHz，也比不過(guò)Core i7-5930K的3.5-4.0GHz，除非是追求多線程的應(yīng)用，否則游戲和一般應(yīng)用中旗艦Core i7-5960X的性能恐怕都跑不過(guò)后兩者，未免有些尷尬。

X99芯片組

除了CPU升級(jí)八核之外，這一次的LGA2011平臺(tái)連主板也要升級(jí)了，之前的X79已經(jīng)在SNB-E、IVB-E處理器上服役2年了，雖然還不如X58更長(zhǎng)壽，不過(guò)X79在原生USB 3.0、彈性I/O（優(yōu)化PCI-E硬盤(pán)）等方面有點(diǎn)落伍了，這一次的升級(jí)可以補(bǔ)足缺憾了。

X99規(guī)格更新：原生USB 3.0終于來(lái)了

對(duì)比X79及X99芯片組，它們?cè)诔l、四通道內(nèi)存、SRT智能響應(yīng)、RST、SATA 6Gbps接口上差別不大，X99主要是支持彈性I/O配置，增加了6個(gè)原生USB 3.0接口，SATA 6Gbps接口維持10個(gè)。其實(shí)Intel在Z97芯片組及X99芯片組中實(shí)際上已經(jīng)支持了SATA Express接口，只不過(guò)官方?jīng)]有明確宣布這個(gè)功能，但我們?cè)赯97及X99主板上可以看到很多廠商做了SATA Exress接口，此前技嘉、微星曝光的X99主板都已經(jīng)支持了SATA Express接口，還有M.2接口，這二者實(shí)際上都是PCI-E通道的，技術(shù)上有共通性。但是同為L(zhǎng)GA2011，X79和X99也是不能兼容的，針腳數(shù)沒(méi)變，但是規(guī)格尺寸有變化了。

X99主板上使用的插槽叫做LGA2011-3，而之前至強(qiáng)E5-X600及Core i7-3900/3800、Core i7-4900/4800系列使用的是LGA2011-1，至強(qiáng)E7 v2處理器上使用了LGA2011-2插槽，三種插槽互不兼容。新的LGA2011-3封裝高度增加到了49.2mm，而SNB-E/IVB-E適用的LGA2011封裝高度是43mm，最主要的是X1、X2定位點(diǎn)之間的距離也不同，想向下兼容是不可能的了。

除了CPU和內(nèi)存升級(jí)帶來(lái)的改變之外，X79、X99在規(guī)格上的差異并不大，原生USB 3.0在X79主板的缺憾其實(shí)可以用第三方芯片彌補(bǔ)。不過(guò)對(duì)主板廠商來(lái)說(shuō)，這一次升級(jí)換代是一次好機(jī)會(huì)，X99主板上可以支持很多X79主板上沒(méi)有的功能，比如M.2接口、SATA Express接口、專(zhuān)業(yè)音頻技術(shù)等等，賣(mài)點(diǎn)要比X79主板更多，所以發(fā)燒玩家在主板這塊倒是最沒(méi)糾結(jié)的，CPU、主板和內(nèi)存一起換了吧。

DDR4內(nèi)存

雖然Haswell-E及X99主板的升級(jí)看點(diǎn)不少，但是新一代旗艦中升級(jí)最大的其實(shí)是DDR4內(nèi)存，從首款支持DDR3內(nèi)存的Intel P35芯片組算起到現(xiàn)在已經(jīng)有7年多了，這么久了才輪到一次內(nèi)存升級(jí)，這可比CPU或者主板升級(jí)換代重要多了。

DDR4內(nèi)存規(guī)范早在2012年9月底就發(fā)布了，這兩年多來(lái)DRAM顆粒及內(nèi)存模組廠商一直在推進(jìn)，不過(guò)影響DDR4內(nèi)存走向的關(guān)鍵問(wèn)題之一在于支持平臺(tái)，AMD那邊就不要抱有多大期望了，Intel的主流處理器架構(gòu)也沒(méi)打算很快支持DDR4，Haswell沒(méi)有，Broadwell也沒(méi)有，下下代的Skylake上才會(huì)有DDR4內(nèi)存，只有Haswell-E因?yàn)檎戳朔?wù)器平臺(tái)的光才開(kāi)始支持DDR4。

新一代DDR4內(nèi)存能帶給用戶(hù)什么樣的優(yōu)勢(shì)？這是JEDEC官方組織制定DDR4標(biāo)準(zhǔn)的目的，也是用戶(hù)最關(guān)心的地方。在Haswell-E及DDR4內(nèi)存正式來(lái)臨之前，我們有必要先了解一下DDR4內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)。

從DDR1到DDR3，每一代DDR技術(shù)的內(nèi)存預(yù)取位數(shù)都會(huì)翻倍，前三者分別是2bit、4bit及8bit，以此達(dá)到內(nèi)存帶寬翻倍的目標(biāo)，不過(guò)DDR4在預(yù)取位寬上保持了DDR3的8bit設(shè)計(jì)，因?yàn)槔^續(xù)翻倍為16bit預(yù)取的難度太大，DDR4轉(zhuǎn)而提升Bank數(shù)量，它使用的是Bank Group（BG）設(shè)計(jì)，4個(gè)Bank作為一個(gè)BG組，可自由使用2-4組BG，每個(gè)BG都可以獨(dú)立操作。使用2組BG的話，每次操作的數(shù)據(jù)就是16bit，4組BG則能達(dá)到32bit操作，這其實(shí)變相提高了預(yù)取位寬。

DDR4內(nèi)存優(yōu)點(diǎn)之一：頻率飆升，帶寬更高

DDR3內(nèi)存的主流頻率在1066-2133MHz（起步是800MHz），目前常見(jiàn)的是DDR3-1600和DDR3-1866，主流平臺(tái)大都支持雙通道配置，總位寬128bit，總帶寬分別是25.6GB/s、29.9GB/s，LGA2011平臺(tái)是四通道配置，所以帶寬還要翻倍。

DDR4保持了DDR3一樣的8位數(shù)據(jù)預(yù)取設(shè)計(jì)，所以同頻率下帶寬不變，但是DDR4內(nèi)存頻率更高，起步就是1600MHz，不過(guò)廠商大都是從DDR4-2133MHz起，目前開(kāi)賣(mài)的消費(fèi)級(jí)DDR4普遍達(dá)到了2400MHz、2667MHz及2800MHz，DDR4-3000以及DDR4-3200規(guī)格的也開(kāi)發(fā)成功了，不過(guò)上市還要等等。當(dāng)然，這還不是極限，規(guī)劃的最高頻率則能達(dá)到DDR4-4266MHz，雙通道帶寬可達(dá)68GB/s。

就以DDR4-2133MHz內(nèi)存為例，128bit雙通道帶寬已經(jīng)達(dá)到了34GB/s，DDR4-2400/2666/3200MHz的帶寬則是38.4GB/s、42.7GB/s及51.2GB/s，所以在總帶寬上DDR4相比DDR3依然有很多優(yōu)勢(shì)。

當(dāng)然，目前的DDR3內(nèi)存還沒(méi)到衰落的地步，很多廠商也開(kāi)發(fā)了DDR3-2133MHz以上的高頻內(nèi)存，甚至還有一些DDR3-3000及更高頻率的內(nèi)存，不過(guò)代價(jià)也相當(dāng)高，售價(jià)也自然高不可攀。

DDR4內(nèi)存優(yōu)點(diǎn)之二：電壓更低，功效更高

頻率和帶寬提升并不是DDR4唯一的重點(diǎn)，對(duì)服務(wù)器應(yīng)用來(lái)說(shuō)內(nèi)存功耗也是要考慮在內(nèi)的，DDR4內(nèi)存的工作電壓從DDR3的1.5V降低到了1.2V，這有助于提升DDR4內(nèi)存的效率，降低電力消耗，同時(shí)對(duì)散熱也大有裨益。

DDR那一代的工作電壓高達(dá)2.5V，隨后DDR2降低到了1.8V，DDR3又降低到了1.5V，DDR3L低電壓版則是1.35V，而DDR4的工作電壓只要1.2V，低電壓版尚未完全確定，不過(guò)可以低至1.0-1.05V，相比DDR3L進(jìn)一步降低功耗。

具體來(lái)說(shuō)，DDR3需要的VDD、VDDQ電壓都是1.5V，不需要VPP電壓，DDR4的VDD、VDDQ電壓降低到了1.2V，不過(guò)需要2.5V的VPP電壓。如果常看有關(guān)美光DDR4內(nèi)存的新聞，那么有讀者可能會(huì)記得美光的宣傳中提到了DDR4內(nèi)存相比DDR3可節(jié)能40%，其中電壓下降帶來(lái)的功耗降低大約是20%，剩下月15%的節(jié)能則是靠DDR4內(nèi)存的POD Bus、DLL-Off模式、數(shù)據(jù)總線倒轉(zhuǎn)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。

DDR4內(nèi)存優(yōu)點(diǎn)之三：更高的密度，更大的容量

DDR3內(nèi)存中常見(jiàn)的內(nèi)存容量是2-4GB，再有就是單條8GB了，單條16GB的非常少，而且需要特殊手段才能實(shí)現(xiàn)，而見(jiàn)諸報(bào)道的DDR4內(nèi)存經(jīng)常可以見(jiàn)到16GB單條的，SK Hynix甚至展示過(guò)128GB容量的DDR4內(nèi)存，這都說(shuō)明一點(diǎn)——DDR4內(nèi)存的存儲(chǔ)密度更高，內(nèi)存容量更大。

DDR3內(nèi)存主流的Die容量是512Mb-4GB，而DDR4內(nèi)存的Die容量提高到了4GB-16GB，存儲(chǔ)密度提升了一倍，同樣的顆粒數(shù)量下DDR4內(nèi)存的容量也高出一倍，可以輕易實(shí)現(xiàn)16GB單條內(nèi)存，而X99主板通常都會(huì)配備8條DDR4插槽，土豪們可以安裝整整128GB的內(nèi)存，相比普通臺(tái)機(jī)至多8GB的內(nèi)存來(lái)說(shuō)，這種感覺(jué)是何等的優(yōu)越。

誠(chéng)然，在個(gè)人計(jì)算領(lǐng)域，硬件的發(fā)展早已超過(guò)了應(yīng)用的需求。幾千元的主流價(jià)位下即可打造一臺(tái)相當(dāng)給力的個(gè)人電腦。但是Haswell-E畢竟帶來(lái)了處理器、芯片組、內(nèi)存的全面升級(jí)換代，這在核心技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中也是比較少見(jiàn)的，換句話說(shuō)——這絕對(duì)算是一次里程碑式的平臺(tái)革命了，土豪們還在等什么？