IGBT功耗計(jì)算及其優(yōu)化的研究

摘 要： 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因具備雙極和功率MOSFET兩種特性的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在超高電壓電力傳輸、新能源的開(kāi)發(fā)利用等方面獲得廣泛應(yīng)用。但目前國(guó)內(nèi)IGBT發(fā)展滯后，且其功耗性能及優(yōu)化一直是國(guó)際上功率器件領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。在先前研究的IGBT模型的基礎(chǔ)上，對(duì)PSpice軟件仿真所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)利用一種新的計(jì)算方法，對(duì)IGBT的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗進(jìn)行了定量計(jì)算， 并與實(shí)際IGBT的功耗值進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明，兩者的數(shù)據(jù)基本一致，同時(shí)對(duì)IGBT功耗的優(yōu)化進(jìn)行了探討研究。

關(guān)鍵詞： IGBT； 靜態(tài)功耗； 動(dòng)態(tài)功耗； MOSEET； PSpice

中圖分類號(hào)： TN386.2?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2014）17?0122?03

Abstract： Insulated gate bipolar transistor （IGBT） is widely used in ultra high voltage power transmission and new energy development utilization duo to its unique advantage of bipolar and MOSFET characteristics. In fact， the IGBT development in China lags behind， and its power performance and optimization have been the hotspot and difficulty in the field of power devices in the world. Based on previous studies on IGBT model， a new method to quantitatively calculate the static and dynamic power consumption of IGBT by using the experimental data of PSpice software simulation is proposed. The calculated data was compared with the actual power consumption values of IGBT. The results show that the data is consistent with the values. The optimization of IGBT power consumption is discussed in this paper.

Keyword： IGBT； static power consumption； dynamic power consumption； MOSEET； PSpice

0 引 言

絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）綜合了功率MOSFET和雙極晶體管（BJT）的輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大[1]等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。但電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中最受關(guān)注的就是它的功耗，IGBT也不例外[2]。器件的功率損耗對(duì)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其實(shí)際應(yīng)用都至關(guān)重要，降低器件的功率損耗是提高器件工作效率和實(shí)際應(yīng)用效果的重要手段，同時(shí)也是國(guó)際上電力電子器件研究的熱點(diǎn)。當(dāng)然，國(guó)內(nèi)外有關(guān)損耗研究的文獻(xiàn)有很多，方法也很多。在作者先前研究功率器件IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)模型的基礎(chǔ)上，對(duì)Pspice軟件仿真所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)應(yīng)用一種新的計(jì)算方法，對(duì)IGBT功耗進(jìn)行研究、對(duì)比、分析及優(yōu)化探討。

1 IGBT結(jié)構(gòu)及模型

IGBT的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，是在功率MOSFET的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其縱向結(jié)構(gòu)為PNPN型結(jié)構(gòu)，類似于MOS晶閘管，也相當(dāng)于一個(gè)VDMOS與PN結(jié)二極管串聯(lián)；橫向結(jié)構(gòu)與VDMOS結(jié)構(gòu)沒(méi)有區(qū)別，電流也是垂直方向流動(dòng)的[3]。

3 IGBT功耗分析及優(yōu)化

依據(jù)2.2節(jié)中計(jì)算功耗的方法和式（1）～（4），并按照?qǐng)D3所示的流程，就可以計(jì)算出模型開(kāi)通狀態(tài)及開(kāi)通瞬時(shí)、關(guān)斷瞬時(shí)和總的動(dòng)態(tài)功耗；并與實(shí)際IGBT器件功耗比較，通過(guò)上述方法對(duì)IGBT器件模型開(kāi)關(guān)功耗的測(cè)試值都在實(shí)際器件所提供的數(shù)據(jù)范圍內(nèi)，兩者的結(jié)果基本一致。

器件的功耗是決定開(kāi)關(guān)電路效率的重要因素。IGBT功耗優(yōu)化的宗旨就是將靜態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的功率損耗都降到最小，最終得到功率損耗最低的IGBT器件[7]。

根據(jù)計(jì)算靜態(tài)功耗的式子可知，要降低靜態(tài)功耗就是要降低通態(tài)壓降，而通態(tài)壓降是受器件結(jié)構(gòu)參數(shù)影響的。比如，圖1中增加集電極P+的摻雜濃度可以使電阻率降低，寄生電阻減小，從而降低IGBT的通態(tài)壓降；在其他條件不變的情況下，增大P+集電極的摻雜濃度，IGBT器件的正向飽和壓降就降低，但這不可能是無(wú)止境增大的；其次，增大N+緩沖層的濃度，能使阻斷特性所需要的寬度變小，但N+緩沖層的濃度又影響著器件IGBT的通態(tài)壓降，這又是一個(gè)相互制約的關(guān)系；N基區(qū)載流子壽命直接影響N基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，好的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)可以有效地降低通態(tài)壓降。

根據(jù)計(jì)算動(dòng)態(tài)功耗的式子可知，要降低動(dòng)態(tài)功耗主要考慮的是開(kāi)通、關(guān)斷瞬時(shí)器件IGBT集電極電流、集射極間的電壓以及IGBT的開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)間這四個(gè)量。對(duì)于開(kāi)關(guān)器件IGBT而言，關(guān)斷過(guò)程的時(shí)間要比開(kāi)通過(guò)程的長(zhǎng)，所以主要考慮關(guān)斷功耗[7]。P+集電極摻雜濃度越高，在關(guān)斷時(shí)電流下降的速度就越慢，關(guān)斷功耗就越大；增加N+緩沖層濃度，關(guān)斷時(shí)電流下降速度增快，關(guān)斷功耗降低。

總而言之，對(duì)P+集電極摻雜及N+緩沖層濃度等影響IGBT功耗的因素都要進(jìn)行折中考慮，這樣才能使器件的功耗降到理想程度。

4 結(jié) 語(yǔ)

文中用來(lái)計(jì)算IGBT的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗的方法在實(shí)踐中具有一定的應(yīng)用價(jià)值，使用時(shí)只要將實(shí)際功率器件在PSpice軟件中仿真出靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，就可以得到計(jì)算功耗所需要的數(shù)據(jù)。對(duì)IGBT功耗優(yōu)化的探討研究，在制作IGBT器件和使用中有一定的理論指導(dǎo)意義。

參考文獻(xiàn)

[1] 蔣超，陳海民.電力電子器件概況及應(yīng)用現(xiàn)狀[J].世界電子元器件，2004（4）：74?76.

[2] 王燁.關(guān)于IGBT模塊損耗的研究[J].儀器儀表與分析監(jiān)測(cè)，2011（3）：35?36.

[3] 王瑞.基于PSpice的IGBT器件模型及功率損耗的仿真研究[D].西安：西安科技大學(xué)，2007.

[4] 李現(xiàn)兵，牛忠霞，張峰，等.現(xiàn)代電力電子器件[J].電源世界，2006（8）：54?57.

[5] 鄧夷，趙爭(zhēng)鳴，袁立強(qiáng)，等.適用于復(fù)雜電路分析的IGBT模型[J].中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)，2010，30（9）：1?7.

[6] 何進(jìn)，張興，黃如.電導(dǎo)調(diào)制型功率器件用穿通結(jié)構(gòu)的基區(qū)優(yōu)化理論[J].半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2000，8（8）：786?791.

[7] 凌宇.IGBT功耗優(yōu)化的研究[D].沈陽(yáng)：沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)，2013.

摘 要： 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因具備雙極和功率MOSFET兩種特性的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在超高電壓電力傳輸、新能源的開(kāi)發(fā)利用等方面獲得廣泛應(yīng)用。但目前國(guó)內(nèi)IGBT發(fā)展滯后，且其功耗性能及優(yōu)化一直是國(guó)際上功率器件領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。在先前研究的IGBT模型的基礎(chǔ)上，對(duì)PSpice軟件仿真所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)利用一種新的計(jì)算方法，對(duì)IGBT的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗進(jìn)行了定量計(jì)算， 并與實(shí)際IGBT的功耗值進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明，兩者的數(shù)據(jù)基本一致，同時(shí)對(duì)IGBT功耗的優(yōu)化進(jìn)行了探討研究。

關(guān)鍵詞： IGBT； 靜態(tài)功耗； 動(dòng)態(tài)功耗； MOSEET； PSpice

中圖分類號(hào)： TN386.2?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2014）17?0122?03

Abstract： Insulated gate bipolar transistor （IGBT） is widely used in ultra high voltage power transmission and new energy development utilization duo to its unique advantage of bipolar and MOSFET characteristics. In fact， the IGBT development in China lags behind， and its power performance and optimization have been the hotspot and difficulty in the field of power devices in the world. Based on previous studies on IGBT model， a new method to quantitatively calculate the static and dynamic power consumption of IGBT by using the experimental data of PSpice software simulation is proposed. The calculated data was compared with the actual power consumption values of IGBT. The results show that the data is consistent with the values. The optimization of IGBT power consumption is discussed in this paper.

Keyword： IGBT； static power consumption； dynamic power consumption； MOSEET； PSpice

0 引 言

絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）綜合了功率MOSFET和雙極晶體管（BJT）的輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大[1]等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。但電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中最受關(guān)注的就是它的功耗，IGBT也不例外[2]。器件的功率損耗對(duì)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其實(shí)際應(yīng)用都至關(guān)重要，降低器件的功率損耗是提高器件工作效率和實(shí)際應(yīng)用效果的重要手段，同時(shí)也是國(guó)際上電力電子器件研究的熱點(diǎn)。當(dāng)然，國(guó)內(nèi)外有關(guān)損耗研究的文獻(xiàn)有很多，方法也很多。在作者先前研究功率器件IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)模型的基礎(chǔ)上，對(duì)Pspice軟件仿真所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)應(yīng)用一種新的計(jì)算方法，對(duì)IGBT功耗進(jìn)行研究、對(duì)比、分析及優(yōu)化探討。

1 IGBT結(jié)構(gòu)及模型

IGBT的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，是在功率MOSFET的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其縱向結(jié)構(gòu)為PNPN型結(jié)構(gòu)，類似于MOS晶閘管，也相當(dāng)于一個(gè)VDMOS與PN結(jié)二極管串聯(lián)；橫向結(jié)構(gòu)與VDMOS結(jié)構(gòu)沒(méi)有區(qū)別，電流也是垂直方向流動(dòng)的[3]。

3 IGBT功耗分析及優(yōu)化

依據(jù)2.2節(jié)中計(jì)算功耗的方法和式（1）～（4），并按照?qǐng)D3所示的流程，就可以計(jì)算出模型開(kāi)通狀態(tài)及開(kāi)通瞬時(shí)、關(guān)斷瞬時(shí)和總的動(dòng)態(tài)功耗；并與實(shí)際IGBT器件功耗比較，通過(guò)上述方法對(duì)IGBT器件模型開(kāi)關(guān)功耗的測(cè)試值都在實(shí)際器件所提供的數(shù)據(jù)范圍內(nèi)，兩者的結(jié)果基本一致。

器件的功耗是決定開(kāi)關(guān)電路效率的重要因素。IGBT功耗優(yōu)化的宗旨就是將靜態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的功率損耗都降到最小，最終得到功率損耗最低的IGBT器件[7]。

根據(jù)計(jì)算靜態(tài)功耗的式子可知，要降低靜態(tài)功耗就是要降低通態(tài)壓降，而通態(tài)壓降是受器件結(jié)構(gòu)參數(shù)影響的。比如，圖1中增加集電極P+的摻雜濃度可以使電阻率降低，寄生電阻減小，從而降低IGBT的通態(tài)壓降；在其他條件不變的情況下，增大P+集電極的摻雜濃度，IGBT器件的正向飽和壓降就降低，但這不可能是無(wú)止境增大的；其次，增大N+緩沖層的濃度，能使阻斷特性所需要的寬度變小，但N+緩沖層的濃度又影響著器件IGBT的通態(tài)壓降，這又是一個(gè)相互制約的關(guān)系；N基區(qū)載流子壽命直接影響N基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，好的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)可以有效地降低通態(tài)壓降。

根據(jù)計(jì)算動(dòng)態(tài)功耗的式子可知，要降低動(dòng)態(tài)功耗主要考慮的是開(kāi)通、關(guān)斷瞬時(shí)器件IGBT集電極電流、集射極間的電壓以及IGBT的開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)間這四個(gè)量。對(duì)于開(kāi)關(guān)器件IGBT而言，關(guān)斷過(guò)程的時(shí)間要比開(kāi)通過(guò)程的長(zhǎng)，所以主要考慮關(guān)斷功耗[7]。P+集電極摻雜濃度越高，在關(guān)斷時(shí)電流下降的速度就越慢，關(guān)斷功耗就越大；增加N+緩沖層濃度，關(guān)斷時(shí)電流下降速度增快，關(guān)斷功耗降低。

總而言之，對(duì)P+集電極摻雜及N+緩沖層濃度等影響IGBT功耗的因素都要進(jìn)行折中考慮，這樣才能使器件的功耗降到理想程度。

4 結(jié) 語(yǔ)

文中用來(lái)計(jì)算IGBT的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗的方法在實(shí)踐中具有一定的應(yīng)用價(jià)值，使用時(shí)只要將實(shí)際功率器件在PSpice軟件中仿真出靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，就可以得到計(jì)算功耗所需要的數(shù)據(jù)。對(duì)IGBT功耗優(yōu)化的探討研究，在制作IGBT器件和使用中有一定的理論指導(dǎo)意義。

參考文獻(xiàn)

[1] 蔣超，陳海民.電力電子器件概況及應(yīng)用現(xiàn)狀[J].世界電子元器件，2004（4）：74?76.

[2] 王燁.關(guān)于IGBT模塊損耗的研究[J].儀器儀表與分析監(jiān)測(cè)，2011（3）：35?36.

[3] 王瑞.基于PSpice的IGBT器件模型及功率損耗的仿真研究[D].西安：西安科技大學(xué)，2007.

[4] 李現(xiàn)兵，牛忠霞，張峰，等.現(xiàn)代電力電子器件[J].電源世界，2006（8）：54?57.

[5] 鄧夷，趙爭(zhēng)鳴，袁立強(qiáng)，等.適用于復(fù)雜電路分析的IGBT模型[J].中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)，2010，30（9）：1?7.

[6] 何進(jìn)，張興，黃如.電導(dǎo)調(diào)制型功率器件用穿通結(jié)構(gòu)的基區(qū)優(yōu)化理論[J].半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2000，8（8）：786?791.

[7] 凌宇.IGBT功耗優(yōu)化的研究[D].沈陽(yáng)：沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)，2013.

摘 要： 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因具備雙極和功率MOSFET兩種特性的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在超高電壓電力傳輸、新能源的開(kāi)發(fā)利用等方面獲得廣泛應(yīng)用。但目前國(guó)內(nèi)IGBT發(fā)展滯后，且其功耗性能及優(yōu)化一直是國(guó)際上功率器件領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。在先前研究的IGBT模型的基礎(chǔ)上，對(duì)PSpice軟件仿真所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)利用一種新的計(jì)算方法，對(duì)IGBT的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗進(jìn)行了定量計(jì)算， 并與實(shí)際IGBT的功耗值進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明，兩者的數(shù)據(jù)基本一致，同時(shí)對(duì)IGBT功耗的優(yōu)化進(jìn)行了探討研究。

關(guān)鍵詞： IGBT； 靜態(tài)功耗； 動(dòng)態(tài)功耗； MOSEET； PSpice

中圖分類號(hào)： TN386.2?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2014）17?0122?03

Abstract： Insulated gate bipolar transistor （IGBT） is widely used in ultra high voltage power transmission and new energy development utilization duo to its unique advantage of bipolar and MOSFET characteristics. In fact， the IGBT development in China lags behind， and its power performance and optimization have been the hotspot and difficulty in the field of power devices in the world. Based on previous studies on IGBT model， a new method to quantitatively calculate the static and dynamic power consumption of IGBT by using the experimental data of PSpice software simulation is proposed. The calculated data was compared with the actual power consumption values of IGBT. The results show that the data is consistent with the values. The optimization of IGBT power consumption is discussed in this paper.

Keyword： IGBT； static power consumption； dynamic power consumption； MOSEET； PSpice

0 引 言

絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）綜合了功率MOSFET和雙極晶體管（BJT）的輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大[1]等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。但電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中最受關(guān)注的就是它的功耗，IGBT也不例外[2]。器件的功率損耗對(duì)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其實(shí)際應(yīng)用都至關(guān)重要，降低器件的功率損耗是提高器件工作效率和實(shí)際應(yīng)用效果的重要手段，同時(shí)也是國(guó)際上電力電子器件研究的熱點(diǎn)。當(dāng)然，國(guó)內(nèi)外有關(guān)損耗研究的文獻(xiàn)有很多，方法也很多。在作者先前研究功率器件IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)模型的基礎(chǔ)上，對(duì)Pspice軟件仿真所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)應(yīng)用一種新的計(jì)算方法，對(duì)IGBT功耗進(jìn)行研究、對(duì)比、分析及優(yōu)化探討。

1 IGBT結(jié)構(gòu)及模型

IGBT的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，是在功率MOSFET的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其縱向結(jié)構(gòu)為PNPN型結(jié)構(gòu)，類似于MOS晶閘管，也相當(dāng)于一個(gè)VDMOS與PN結(jié)二極管串聯(lián)；橫向結(jié)構(gòu)與VDMOS結(jié)構(gòu)沒(méi)有區(qū)別，電流也是垂直方向流動(dòng)的[3]。

3 IGBT功耗分析及優(yōu)化

依據(jù)2.2節(jié)中計(jì)算功耗的方法和式（1）～（4），并按照?qǐng)D3所示的流程，就可以計(jì)算出模型開(kāi)通狀態(tài)及開(kāi)通瞬時(shí)、關(guān)斷瞬時(shí)和總的動(dòng)態(tài)功耗；并與實(shí)際IGBT器件功耗比較，通過(guò)上述方法對(duì)IGBT器件模型開(kāi)關(guān)功耗的測(cè)試值都在實(shí)際器件所提供的數(shù)據(jù)范圍內(nèi)，兩者的結(jié)果基本一致。

器件的功耗是決定開(kāi)關(guān)電路效率的重要因素。IGBT功耗優(yōu)化的宗旨就是將靜態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的功率損耗都降到最小，最終得到功率損耗最低的IGBT器件[7]。

根據(jù)計(jì)算靜態(tài)功耗的式子可知，要降低靜態(tài)功耗就是要降低通態(tài)壓降，而通態(tài)壓降是受器件結(jié)構(gòu)參數(shù)影響的。比如，圖1中增加集電極P+的摻雜濃度可以使電阻率降低，寄生電阻減小，從而降低IGBT的通態(tài)壓降；在其他條件不變的情況下，增大P+集電極的摻雜濃度，IGBT器件的正向飽和壓降就降低，但這不可能是無(wú)止境增大的；其次，增大N+緩沖層的濃度，能使阻斷特性所需要的寬度變小，但N+緩沖層的濃度又影響著器件IGBT的通態(tài)壓降，這又是一個(gè)相互制約的關(guān)系；N基區(qū)載流子壽命直接影響N基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，好的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)可以有效地降低通態(tài)壓降。

根據(jù)計(jì)算動(dòng)態(tài)功耗的式子可知，要降低動(dòng)態(tài)功耗主要考慮的是開(kāi)通、關(guān)斷瞬時(shí)器件IGBT集電極電流、集射極間的電壓以及IGBT的開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)間這四個(gè)量。對(duì)于開(kāi)關(guān)器件IGBT而言，關(guān)斷過(guò)程的時(shí)間要比開(kāi)通過(guò)程的長(zhǎng)，所以主要考慮關(guān)斷功耗[7]。P+集電極摻雜濃度越高，在關(guān)斷時(shí)電流下降的速度就越慢，關(guān)斷功耗就越大；增加N+緩沖層濃度，關(guān)斷時(shí)電流下降速度增快，關(guān)斷功耗降低。

總而言之，對(duì)P+集電極摻雜及N+緩沖層濃度等影響IGBT功耗的因素都要進(jìn)行折中考慮，這樣才能使器件的功耗降到理想程度。

4 結(jié) 語(yǔ)

文中用來(lái)計(jì)算IGBT的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗的方法在實(shí)踐中具有一定的應(yīng)用價(jià)值，使用時(shí)只要將實(shí)際功率器件在PSpice軟件中仿真出靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，就可以得到計(jì)算功耗所需要的數(shù)據(jù)。對(duì)IGBT功耗優(yōu)化的探討研究，在制作IGBT器件和使用中有一定的理論指導(dǎo)意義。

參考文獻(xiàn)

[1] 蔣超，陳海民.電力電子器件概況及應(yīng)用現(xiàn)狀[J].世界電子元器件，2004（4）：74?76.

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