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    不同測(cè)試條件下電磁輻射測(cè)試相關(guān)系數(shù)的計(jì)算

    2014-04-29 06:41:36聶睿瑞李勃
    電子世界 2014年21期
    關(guān)鍵詞:相關(guān)系數(shù)電磁兼容測(cè)試

    聶睿瑞 李勃

    【摘要】在不同的測(cè)試環(huán)境下進(jìn)行電磁兼容測(cè)試,所得出的測(cè)試結(jié)果會(huì)有一定的誤差。但從理論上說(shuō),從一個(gè)獨(dú)立的標(biāo)準(zhǔn)得出的測(cè)試結(jié)果應(yīng)該和測(cè)試方法無(wú)關(guān)。由此,根據(jù)偶極子的輻射發(fā)射建立模型,針對(duì)自由空間、半空間、TEM室和混響室等四種常用測(cè)試條件,計(jì)算出了不同測(cè)試條件下測(cè)試結(jié)果的相關(guān)系數(shù)。根據(jù)這些相關(guān)系數(shù)對(duì)實(shí)際測(cè)試結(jié)果進(jìn)行修正,可以提高電磁兼容測(cè)試的精度和可重復(fù)性。

    【關(guān)鍵詞】電磁兼容;測(cè)試;相關(guān)系數(shù)

    1.前言

    在進(jìn)行電磁兼容測(cè)試時(shí),根據(jù)實(shí)際情況會(huì)選擇不同類型的電磁兼容測(cè)試設(shè)施,而在不同的測(cè)試環(huán)境下所得到的測(cè)試結(jié)果往往會(huì)存在一定的誤差。但從理論上說(shuō),在同一個(gè)獨(dú)立的標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)行測(cè)試,得到的測(cè)試結(jié)果應(yīng)該與測(cè)試地點(diǎn)無(wú)關(guān)。也就是說(shuō),如果某設(shè)備在某個(gè)實(shí)驗(yàn)室中通過(guò)了電磁兼容測(cè)試,那么在其它的實(shí)驗(yàn)室里它也應(yīng)該能夠通過(guò)測(cè)試;反之亦然[1-4]。因此根據(jù)偶極子模型,對(duì)不同測(cè)試環(huán)境的相關(guān)性進(jìn)行了分析,得出了各測(cè)試環(huán)境下測(cè)試結(jié)果的相關(guān)系數(shù)。

    2.不同測(cè)試環(huán)境的偶極子模型

    2.1 自由空間

    首先只考慮一個(gè)電偶極子在自由空間下的情況,磁偶極子或是電/磁偶極子復(fù)合的情況推導(dǎo)過(guò)程與電偶極子相同。對(duì)于一個(gè)位于原點(diǎn),沿z軸分布,長(zhǎng)度為dl,最大電流I0的短電偶極子,它的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射為:

    (1)

    其中ω為角頻率,μ為偶極子所處介質(zhì)的磁導(dǎo)率,k=2π/λ(λ為波長(zhǎng)),(θ,φ,r)為球坐標(biāo)系。

    引入坡印廷矢量,可以得到電偶極子的總輻射功率Po為:

    (2)

    其中η為介質(zhì)的固有阻抗(對(duì)于空氣來(lái)說(shuō)為120πΩ)。

    對(duì)于輻射發(fā)射測(cè)試,最大電場(chǎng)強(qiáng)度Emax與幾何形狀有關(guān)。在上面的幾何形狀中,當(dāng)θ=π/2時(shí),式(1)會(huì)出現(xiàn)最大值,此時(shí):

    (3)

    帶入(2)式,式(3)可以寫作:

    (4)

    式(4)也可寫為:

    (5)

    在最大方向性Dmax時(shí)(對(duì)于電/磁偶極子分別為3/2),輻射的電場(chǎng)強(qiáng)度和功率Po最大。在實(shí)際測(cè)試中,Emax是通過(guò)天線的輸出電壓Vmax與天線的系數(shù)AF來(lái)測(cè)量的。此時(shí)Vmax=AFEmax,由此我們可以得出:

    (6)

    定義傳播損耗因子PLFS=1/(4πr2),式(6)最終可以寫作:

    (7)

    2.2 半空間

    半空間是指在自由空間中加入一個(gè)理想的地平面(無(wú)限長(zhǎng)的完全導(dǎo)體)。在距地平面高度h的地方加入一個(gè)電偶極子,同時(shí)向水平和垂直方向發(fā)射,向其它方向的發(fā)射可以看成是這兩種情況的疊加。在分析時(shí)我們加入一個(gè)鏡像偶極子,采用直角坐標(biāo)系,地平面位于x-y平面上,偶極子在z軸上位于+h處,鏡像偶極子位于-h處。設(shè)偶極子到測(cè)量點(diǎn)的距離為r1,鏡像偶極子到測(cè)量點(diǎn)的距離為r2,測(cè)量點(diǎn)到原點(diǎn)的距離為r,測(cè)量點(diǎn)到z軸的垂距為ρ。那么遠(yuǎn)場(chǎng)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度為:

    (8)

    對(duì)于電/磁偶極子,Dmax仍為3/2,幾何因子gmax可以由下式定義:

    (9)

    如果ρ的值大大于偶極子和z軸的距離h,那么ρ/ r1≈1,ρ/ r2≈1,r / r1≈1,r / r2≈1,此時(shí)gmax可以簡(jiǎn)化為:

    (10)

    從式(10)可以看出,在水平和垂直方向上gmax=2,此時(shí)k(r1-r2)=π/2或π。這就表明由于地平面的反射,使得最大場(chǎng)強(qiáng)增加了一倍。在大多數(shù)情況下,gmax=2是合理的。因此,我們?cè)趯?shí)際電磁兼容測(cè)試中采用半自由空間測(cè)試狀態(tài)時(shí),可以認(rèn)為gmax=2。此時(shí),處于地平面上的電偶極子的最大測(cè)量電壓可以近似寫為:

    (11)

    在半自由空間狀態(tài)下:

    PLHS=4/(πr2)

    如果需要更精確的計(jì)算,那么可?。?/p>

    PLHS=gmax/(πr2)。

    2.3 TEM室

    TEM線上的偶極子會(huì)和TEM耦合并在測(cè)試端產(chǎn)生電壓。將這個(gè)電壓和偶極子的旋轉(zhuǎn)相結(jié)合就可以得出偶極子輻射出的總能量。例如,電偶極子的Po為[5]:

    (12)

    其中Z0為特性阻抗(通常為50Ω),是標(biāo)準(zhǔn)化的場(chǎng)因子,是偶極子和隔板的距離,SV表示偶極子旋轉(zhuǎn)一圈后測(cè)量到的輸出電壓。

    如果我們使偶極子向最大耦合處發(fā)射,那么測(cè)量到的電壓最大值為,而且:

    (13)

    將e0y帶入上式,將3/2化為Dmax,那么上式可以化為:

    (14)

    R為到測(cè)試單元的垂矩,在連續(xù)的TEM傳播線上,r就是偶極子到測(cè)量端的距離[6]。等價(jià)的天線因子可以寫為:

    (15)

    使用相同的方法,式(14)可以寫為:

    (16)

    2.4 混響室

    混響室是在數(shù)理統(tǒng)計(jì)上來(lái)模擬平面波的情況。一束理想的平面波應(yīng)該是向所有方向發(fā)射和極化的,好的混響室就可以很接近這種情況。匹配的無(wú)損耗天線接收到的處于諧振腔中的信號(hào)源的平均功率為[7]:

    (17)

    其中Q是混響室的質(zhì)量因子,V是混響室的體積,P0是電偶極子的輻射總功率。

    但是由于Q很難確定,而且要考慮天線的損耗,因此式(17)在實(shí)際應(yīng)用中很難計(jì)算。因此,確定P0的常規(guī)做法是在混響室條件不變的情況下,通過(guò)已知的信號(hào)源功率Pref來(lái)計(jì)算Po:

    (18)

    簡(jiǎn)化,并用平均接收電壓來(lái)表示式(18)有:

    (19)

    其中Pr=V2/Zc(Zc是天線測(cè)試端的阻抗,通常為50Ω)。我們定義Dmax,RC=1(無(wú)方向性),V2max,RC≈< V2 >,AF2RC=sZc/η(s=1m在測(cè)試條件中已經(jīng)給出),而且:

    (20)

    我們可以得到:

    (21)

    3.輻射測(cè)試在不同的測(cè)試條件下的相關(guān)系數(shù)

    式(7)、(11)、(16) 和(21)分別顯示了在四種不同的測(cè)試條件下(自由空間、半空間、TEM和混響室)測(cè)到的偶極子發(fā)射電壓。假設(shè)在每種情況下偶極子的發(fā)射功率不變,那么不同測(cè)試條件下的相關(guān)性可以用下式來(lái)描述:

    (22)

    其中的A和B代表FS、HS、TL和RC的任意兩兩組合。

    式(22)是由電偶極子(Dmax=3/2)的情況推算出的,但上式也適用于磁偶極子(Dmax=3/2)的情況或是實(shí)際中的測(cè)試設(shè)備。如果我們不與混響室相比較,那么待測(cè)設(shè)備的方向性也可以不考慮。對(duì)于混響室來(lái)說(shuō),Dmax,RC=1,那么與它比較時(shí),其它測(cè)試條件下的Dmax必須是已知或可以推斷的[8]。

    表1 輻射測(cè)試在不同測(cè)試場(chǎng)地下的相關(guān)系數(shù)表

    綜上所述,不同測(cè)試條件下的相關(guān)系數(shù)如表1所示。根據(jù)這些相關(guān)系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行修正,可以提高測(cè)試的精度和可重復(fù)性。

    參考文獻(xiàn)

    [1]Sreenivasiah I,Chang D,Ma M.Emission characteristics of electrically small radiating sources from inside a TEM cell.IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,1989,23(3):113-121.

    [2]Wilson P.On correlating TEM cell and OATS emission measurement.IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,1995,37(1):1-16.

    [3]Kanda M,Hill D.A three-loop method for determining the radiation characteristics of an electrically small source.IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,1992,34(1):1-2.

    [4]Holloway C,Wilson P,Koepke G,Candidi M.Total radiated power limits for emission measurements in a reverberation chamber. IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility on Electromagnetic,New York: IEEE Press,2003:838-843.

    [5]Electromagnetic Compatibility part 4-testing and measurement techniques section 20:Emission and immunity testing in transverse electromagnetic waveguides.International Electrotechnical Commission Press,2003:13.

    [6]Wilson P.Antenna gain equivalent for TEM cells.IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,2004,26(1):123-128.

    [7]Hill D.Electromagnetic theory of reverberation chambers.NIST Technical Note,1998:21-26.

    [8]Wilson P,Hill D, Holloway C.On Determining maximum emissions from electrically large sources.IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,2002,44 (1):79-86.

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