電子材料

安森美半導(dǎo)體推出高度集成的鋰離子電池保護(hù)控制器

7月23日，安森美半導(dǎo)體推出新的鋰離子電池保護(hù)控制器（LC05111CMT），用于智能手機(jī)和平板電腦。高度集成的LC05111CMT利用模擬電路技術(shù)、MOSFET技術(shù)、先進(jìn)封裝裝置和技術(shù)，在單個(gè)電路中集成控制器及驅(qū)動(dòng)器功能。

LC05111CMT實(shí)現(xiàn)了高精度電流控制，無(wú)須使用電流檢測(cè)電阻。該電流控制由于支持更大充電電流，故能縮短充電時(shí)間。該器件包含高精度電流檢測(cè)電路及檢測(cè)延遲電路，以預(yù)防電池過(guò)度充電、過(guò)度放電、過(guò)大電流放電及過(guò)大電流充電。高集成度減少元件數(shù)量，因而減少占用空間受限的電池組中所需的電路板空間。

安森美半導(dǎo)體智能電源方案分部總經(jīng)理IkuyaKawasaki說(shuō)：“先進(jìn)的便攜設(shè)備明確要求更精確的電池電流控制及小封裝。LC05111CMT結(jié)合多種技術(shù)，提供尺寸小但功能創(chuàng)新的器件，縮短充電時(shí)間，為電池充電電路提供多級(jí)保護(hù)?！保ㄖ袊?guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)

應(yīng)用材料公司近日宣布全新推出Applied Varian VII Sta 9003D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備，該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點(diǎn)的FinFET和3DNAND制程而開(kāi)發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實(shí)現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。

VIISta9003D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實(shí)現(xiàn)制程的可重復(fù)性，優(yōu)化器件性能。該系統(tǒng)采用獨(dú)特的熱注入技術(shù)和三重磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)，可通過(guò)降低缺陷率來(lái)進(jìn)一步提高良率。憑借這些優(yōu)勢(shì)，VIISta9003D系統(tǒng)能勝任復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)生產(chǎn)中所需的精確離子注入。

VIISta9003D系統(tǒng)的一個(gè)最重要的創(chuàng)新就是Superscan3技術(shù)，它可以借助獨(dú)特的離子束形狀控制能力，根據(jù)客戶需要提供精確、精準(zhǔn)的劑量方案，能完成幾乎所有圖案，實(shí)現(xiàn)定制化的硅片劑量圖形。Superscan3還能對(duì)非注入工藝中的變量進(jìn)行校正，從而提高3D器件的性能和良率。此外，加上該系統(tǒng)對(duì)于生產(chǎn)率的提升以及其極高的產(chǎn)出率，可為客戶降低更多的成本。（中國(guó)科學(xué)院）

美國(guó)阿爾法和歐米伽半導(dǎo)體公司推出新型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管

美國(guó)阿爾法和歐米伽半導(dǎo)體技術(shù)公司日前宣布推出6種新型25V和30V的功率場(chǎng)效應(yīng)管（AON7760、AON7510、AON7758、AON7764、AON7536、AON7538），對(duì)3×3mm兩邊扁平無(wú)引腳（DFN）封裝低壓系列產(chǎn)品提供新的補(bǔ)充。這些器件用于個(gè)人計(jì)算、服務(wù)器、遠(yuǎn)距離通信/數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的各種直流/直流降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

新型器件采用阿爾法和歐米伽公司專利性的功率槽功率場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)，品質(zhì)因數(shù)極低，適用于快速轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如最新的直流/直流轉(zhuǎn)換器可以在600kHz以上的頻率工作。AON7536為高端開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，能夠降低開(kāi)關(guān)功率損耗。當(dāng)同AON7760成對(duì)使用時(shí)，AON7536能夠在輸入12V、輸出1.8V、電流15A的情況下達(dá)到90%的效率。該新型3×3mm DFN封裝的系列產(chǎn)品同之前的產(chǎn)品相比，改善了20%的品質(zhì)因數(shù)。在保持相同導(dǎo)通阻抗的情況下，新型器件能夠在更高的開(kāi)關(guān)頻率下工作。除了直流/直流應(yīng)用以外，AON7510還能用于大電流系統(tǒng)開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)或馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等對(duì)傳導(dǎo)損耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)合。（中國(guó)國(guó)防科技信息中心）

IBM計(jì)劃30億美元研發(fā)處理器新技術(shù)

IBM宣布，其將在未來(lái)5年內(nèi)投資30億美元用于研發(fā)7nm芯片和碳納米管等多項(xiàng)技術(shù)，以推動(dòng)計(jì)算機(jī)處理器行業(yè)的發(fā)展。

未來(lái)5年內(nèi)，IBM的第1個(gè)目標(biāo)是開(kāi)發(fā)晶體管直徑僅為7nm的芯片。第2個(gè)目標(biāo)則是在當(dāng)今一系列前沿芯片技術(shù)中進(jìn)行有選擇性的研發(fā)，其中包括碳納米管、石墨烯、硅光子、量子計(jì)算、類(lèi)大腦結(jié)構(gòu)和硅替代品等。

IBM的這些投資將用于為該公司在美國(guó)紐約、加州和瑞士的實(shí)驗(yàn)室提供資金，該公司還將為研發(fā)部門(mén)聘請(qǐng)新員工。目前，IBM是材料科學(xué)、化學(xué)、物理學(xué)和納米技術(shù)等高科技產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。IBM曾經(jīng)聲稱，它在晶片處理器方面的專利比任何競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手都多一倍。然而，該公司的芯片產(chǎn)量增長(zhǎng)相對(duì)落后，其發(fā)展勢(shì)頭反而不如英特爾、三星和TSMC等公司。（中國(guó)科學(xué)院）

日本率先研發(fā)可彎曲OLED照明量產(chǎn)技術(shù)

由日本化學(xué)品廠商及產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所合資成立的研究機(jī)構(gòu)“次世代化學(xué)材料評(píng)價(jià)技術(shù)研究組合（CEREBA）”已領(lǐng)先全球并率先研發(fā)出可彎曲的OLED照明量產(chǎn)技術(shù)，該技術(shù)舍棄現(xiàn)有的玻璃基板，改在透明的樹(shù)脂薄膜上形成發(fā)光層，且日本廠商將利用該技術(shù)于今年秋天開(kāi)始量產(chǎn)OLED照明產(chǎn)品。

報(bào)道指出，CEREBA設(shè)立于2011年，由三菱化學(xué)、住友化學(xué)、旭化成、Fuji Film和Konica Minolta等13家公司/團(tuán)體出資而成，主要從事OLED的研發(fā)。

使用CEREBA技術(shù)所生產(chǎn)的OLED照明產(chǎn)品因可彎曲又薄，故可應(yīng)用在家具、汽車(chē)、航空器等各種不同形狀物品及用途上，且Konica目前在甲府工場(chǎng)廠區(qū)內(nèi)興建的新工廠就將用CEREBA的技術(shù)量產(chǎn)OLED照明產(chǎn)品。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

德科學(xué)家研發(fā)可嵌入玻璃的有機(jī)太陽(yáng)能電池組件

德國(guó)弗朗霍夫聚合物應(yīng)用研究所的研究人員目前正在開(kāi)發(fā)一種新型載體材料，他們將有機(jī)太陽(yáng)能電池組件（OPVs）嵌入超薄玻璃。玻璃不僅是理想的密封材料，且能承受高達(dá)400℃的加工溫度。投入使用的是合作伙伴康寧（Corning）公司提供的一種特殊玻璃，它與常見(jiàn)的比如水杯玻璃無(wú)大干系，因特有的物理性能可把它加工成僅100μm厚，約為一張紙的厚度。這種玻璃不僅超強(qiáng)、不易斷裂，而且在固體狀態(tài)也可彎曲。使用這種材料，科研人員與康寧公司在“片對(duì)片”（Sheet to Sheet）工藝中已經(jīng)做成了首個(gè)有效的有機(jī)太陽(yáng)能電池組件。研究人員接著又嘗試“卷對(duì)卷”工藝：類(lèi)似于印刷報(bào)紙，將載體基片繞于卷輥上，面對(duì)另一個(gè)空卷，在2個(gè)卷之間經(jīng)多道程序打印光活性層與電極。首次嘗試獲得成功，科研小組生產(chǎn)出了較小基板尺寸的同質(zhì)層。

為能最終投用工業(yè)生產(chǎn)，科研人員正著手對(duì)此工藝程序做多處調(diào)整。從長(zhǎng)期看，該技術(shù)可為不同的應(yīng)用意圖——從移動(dòng)電話的微小太陽(yáng)能電池到大規(guī)模的光伏組件——生產(chǎn)高強(qiáng)度、高性能的有機(jī)太陽(yáng)能電池組件。（科技部）

賀利氏與東亞合成共同開(kāi)發(fā)導(dǎo)電聚合物膜用隱形圖形化技術(shù)

得益于CleviosTM隱形圖形化觸控技術(shù)的應(yīng)用，日本東亞合成株式會(huì)社與德國(guó)賀利氏貴金屬事業(yè)集團(tuán)旗下的電子材料事業(yè)部簽訂了一份使用許可協(xié)議。這份協(xié)議標(biāo)志著賀利氏與東亞合成建立了合作伙伴關(guān)系，也意味著氧化銦錫（ITO）替代材料的量產(chǎn)化關(guān)鍵工藝，即電容式觸控技術(shù)的電極圖形化，取得了重大突破。

這一新技術(shù)的開(kāi)發(fā)體現(xiàn)了雙方通過(guò)鼓勵(lì)“以協(xié)作型技術(shù)推動(dòng)增長(zhǎng)”，來(lái)進(jìn)行新品開(kāi)發(fā)與業(yè)務(wù)拓展的方針政策。本次合作結(jié)合了東亞合成在應(yīng)用技術(shù)上的專業(yè)知識(shí)以及賀利氏的先進(jìn)材料。

用于觸控技術(shù)的CleviosTM材料是基于導(dǎo)電性極高的PEDOT：PSS聚合物。在電容式觸控面板與傳感器中采用CleviosTMEtch對(duì)CleviosTM導(dǎo)電聚合物的基材進(jìn)行圖形化處理——尤其是作為ITO替代材料，無(wú)疑是顯示屏技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵所在。然而，ITO需要通過(guò)成本極高的濺射法進(jìn)行制備，而且金屬價(jià)格浮動(dòng)也會(huì)給原材料成本帶來(lái)影響。相比之下，CleviosTM只需采用經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的印刷技術(shù)，而且產(chǎn)品原材料的價(jià)格較為穩(wěn)定。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

LG擴(kuò)大生產(chǎn)塑料材質(zhì)OLED面板

LG集團(tuán)負(fù)責(zé)人日前表示，公司考慮在可穿戴式裝置和智能手機(jī)需求激升前，投資擴(kuò)大生產(chǎn)塑料材質(zhì)的有機(jī)電激發(fā)光顯示器（OLED）。

LG社長(zhǎng)韓相范稱，預(yù)計(jì)會(huì)有更多的行動(dòng)裝置采用塑料OLED顯示器，因?yàn)槠滟|(zhì)量較輕，且可以彎曲適用于新型的智能手機(jī)和智能手表。

“LG顯示器將可能根據(jù)行動(dòng)裝置重要規(guī)格的改變而追加投資，”韓亞大投證券分析師Nam Dae-jong表示。

消息人士曾表示，LG顯示器是蘋(píng)果首款智能手表第一批產(chǎn)品的獨(dú)家面板供應(yīng)商。（中國(guó)觸控協(xié)會(huì)）

夏普將繼續(xù)增產(chǎn)中小尺寸面板應(yīng)對(duì)中國(guó)需求

夏普將提高面向平板終端的中小尺寸液晶面板的產(chǎn)量。將在2015財(cái)年（截至2016年3月）投資100億日元，以提高主力的龜山第2工廠的產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)節(jié)能型IGZO面板的出貨量提高到兩倍的目標(biāo)。在2014財(cái)年，夏普已有投資350億日元增加中小型面板產(chǎn)量的計(jì)劃。2015財(cái)年的投資將成為本財(cái)年的追加投資。將強(qiáng)化向需求大、盈利能力較好的中小型產(chǎn)品的過(guò)渡，提高液晶產(chǎn)業(yè)的收益能力。

目前，中小型面板的生產(chǎn)主要在龜山第2、第3工廠2處進(jìn)行。龜山第2工廠使用被稱為“第8代”的大型玻璃基板，使大量生產(chǎn)高盈利的中小型面板成為可能。

龜山第2工廠將把原來(lái)面向電視的液晶面板生產(chǎn)線為面向平板電腦等。在該工廠，目前的中小型面板的生產(chǎn)比率為40%左右，2015財(cái)年將有望提高到80%。

IGZO面板有著耗電量不到既往產(chǎn)品1/5的高度節(jié)能的特點(diǎn)，目前主要供貨給美國(guó)蘋(píng)果公司。為使向北京小米科技等中國(guó)企業(yè)大量供貨成為可能，夏普將提高IGZO的產(chǎn)能。

在龜山第2工廠，使用IGZO的中小型面板從2012年開(kāi)始增產(chǎn)。在智能手機(jī)領(lǐng)域，現(xiàn)在每月向中國(guó)廠商的供貨為200萬(wàn)～300萬(wàn)塊。將于2014財(cái)年增強(qiáng)面向智能手機(jī)生產(chǎn)的設(shè)備，年末有望將供貨規(guī)模擴(kuò)大到500萬(wàn)塊。（商務(wù)部）

同濟(jì)大學(xué)創(chuàng)柔性超級(jí)電容器

近日，同濟(jì)大學(xué)特殊人工微結(jié)構(gòu)材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種全新的電能存儲(chǔ)裝置——全固態(tài)柔性超級(jí)電容器。該產(chǎn)品使用具有高容量的三維過(guò)渡金屬氧化復(fù)合材料和低成本的活性碳作為電容器的負(fù)極和正極材料，并結(jié)合使用固態(tài)電解質(zhì)，將上述三者的優(yōu)點(diǎn)整合在一塊很小的基膜中，就能使電容器彎曲、折疊、任意裁剪。而這樣的材料成本，制作一個(gè)幾千毫安的移動(dòng)電源，價(jià)格不過(guò)幾十元。另外，由于采用的是非對(duì)稱電極組裝，可以增大2電極間的電壓，使得電容器儲(chǔ)存能量明顯提升，這使商業(yè)應(yīng)用成為可能。同時(shí)，它還比較安全，具備良好的環(huán)保特性。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

國(guó)產(chǎn)高性能導(dǎo)航芯片研發(fā)成功

近日，由中國(guó)電科集團(tuán)重慶聲光電公司自主研發(fā)的XN235衛(wèi)星導(dǎo)航芯片，其性能與國(guó)外同類(lèi)型先進(jìn)產(chǎn)品一致，但省電1倍以上，而且能夠同時(shí)兼容GPS（全球標(biāo)準(zhǔn)）、BD（中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)）、GALILEO（歐洲標(biāo)準(zhǔn)）3種導(dǎo)航模式，使用本芯片的導(dǎo)航產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)全球通用，暢游無(wú)阻。該芯片經(jīng)鑒定達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高性能導(dǎo)航芯片方面的空白。

據(jù)了解，該芯片已獲國(guó)家發(fā)明專利1項(xiàng)，集成電路布圖登記3項(xiàng)，并在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了應(yīng)用。目前全球僅推出的3款衛(wèi)星授時(shí)產(chǎn)品之一——北斗授時(shí)手表，已采用該芯片作為核心芯片，手表的時(shí)間與我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間能保持精確同步，其時(shí)間精度可控制在0.1秒內(nèi)。（新華網(wǎng)）

中微發(fā)布業(yè)界首創(chuàng)介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)Primo iDEA

中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡(jiǎn)稱“中微”）近日發(fā)布了雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)（Primo iDEATM），這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。Primo iDEATM主要針對(duì)2X納米及更先進(jìn)的刻蝕工藝，運(yùn)用中微已被業(yè)界認(rèn)可的D-RIE刻蝕技術(shù)和Primo平臺(tái)，避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷（PID），提高了工藝的靈活性，減少了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率并使生產(chǎn)空間更優(yōu)化。

對(duì)于2X納米及更先進(jìn)刻蝕工藝的芯片來(lái)說(shuō)，它們對(duì)表面電荷的積累極其敏感，并且面臨著PID帶來(lái)的潛在風(fēng)險(xiǎn)。Primo iDEATM可將4個(gè)等離子體反應(yīng)臺(tái)和2臺(tái)非接觸等離子體除膠反應(yīng)器整合在同一臺(tái)設(shè)備中，能夠替代原來(lái)需要2臺(tái)等離子體刻蝕機(jī)、1臺(tái)除膠器、1臺(tái)濕法清洗器等4個(gè)機(jī)臺(tái)所加工的后端過(guò)程。這一獨(dú)特的整合方法使工藝步驟得到了優(yōu)化，從而避免了因等離子體接觸引發(fā)的的器件損傷。此外，這一方法還大大提高了產(chǎn)量，減少了生產(chǎn)成本，并最大程度上減少了機(jī)臺(tái)的占地面積。Primo iDEATM同時(shí)擁有等離子體刻蝕和非接觸的等離子體源除膠功能（DSA），是大批量生產(chǎn)較復(fù)雜的極小尺寸芯片中集成多步制程的最佳選擇。（電子產(chǎn)品世界）

國(guó)產(chǎn)芯片獲泰國(guó)平板大單

日前，泰國(guó)TTI公司和深圳市辰星通科技有限公司舉行了關(guān)于泰國(guó)第2區(qū)教育平板項(xiàng)目（OTPC）交貨驗(yàn)收工作會(huì)，雙方已完成關(guān)于泰國(guó)第2區(qū)38萬(wàn)臺(tái)平板電腦交貨驗(yàn)收工作。據(jù)悉，此次泰國(guó)教育平板方案采用了國(guó)內(nèi)主控處理器芯片原廠新岸線的解決方案。

據(jù)了解，新岸線是一家坐落在廣州市的國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，專注于智能終端中處理器，移動(dòng)通信，無(wú)線局域網(wǎng)等核心技術(shù)的研發(fā)。此次中標(biāo)的方案采用了新岸線研發(fā)的Cortex-A9雙核處理器芯片NS115。據(jù)悉，新岸線采用新一代AP+BP SoC四核單芯片TL7689，研發(fā)面向發(fā)達(dá)地區(qū)具有3G移動(dòng)通信功能的電子書(shū)包，可使電子書(shū)包與云存儲(chǔ)、大數(shù)據(jù)等業(yè)務(wù)緊密集合。

業(yè)內(nèi)人士稱，此次國(guó)產(chǎn)芯片在泰國(guó)教育平板項(xiàng)目上的成功應(yīng)用，預(yù)示著中國(guó)已經(jīng)具備涵蓋芯片設(shè)計(jì)，硬件生產(chǎn)制造，應(yīng)用軟件開(kāi)發(fā)及系統(tǒng)集成的完整教育信息化產(chǎn)業(yè)鏈，會(huì)在即將到來(lái)的教育信息化產(chǎn)業(yè)升級(jí)中發(fā)揮重要作用。（科技日?qǐng)?bào)）

2015年集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入將超過(guò)3500億元

國(guó)務(wù)院日前印發(fā)的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出，到2015年集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入將超過(guò)3 500億元。相比較2013年的2 508億元，增長(zhǎng)近千億元。綱要同時(shí)提出，通過(guò)成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組、設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金等一系列保障措施切實(shí)助力產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展。

綱要提出，到2015年建立與產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律相適應(yīng)的融資平臺(tái)和政策環(huán)境，集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入將超過(guò)3 500億元；2020年與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷(xiāo)售收入年均增速超過(guò)20%；2030年產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國(guó)際第1梯隊(duì)，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。（工信部）

2013年京東方新增專利超4000件

京東方科技集團(tuán)股份有限公司執(zhí)行副總裁、首席技術(shù)官董友梅日前透露，2013年，京東方新增海外專利申請(qǐng)超過(guò)1 000件，新增PCT國(guó)際專利申請(qǐng)1 000件。截至目前，集團(tuán)自主專利申請(qǐng)數(shù)量累計(jì)超過(guò)12 000件，授權(quán)專利累計(jì)超過(guò)4 000件，可使用專利累計(jì)超過(guò)20 000件。

董友梅介紹，中國(guó)企業(yè)出征海外市場(chǎng)，不僅需要提升專利申請(qǐng)數(shù)量，還需要提升專利質(zhì)量。她介紹，京東方積累了大量高質(zhì)量專利技術(shù)。2014年6月，京東方自主研發(fā)的8K4K（QUHD）超高清顯示屏摘得全球SID專業(yè)展會(huì)獎(jiǎng)項(xiàng)，并獲得國(guó)際產(chǎn)業(yè)伙伴認(rèn)同。據(jù)悉，目前京東方已經(jīng)開(kāi)始加強(qiáng)其在美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)等區(qū)域的海外專利布局。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

天通股份定增募資20億元加碼藍(lán)寶石業(yè)務(wù)

天通股份近期發(fā)布公告稱，公司擬向包括公司股東天通高新集團(tuán)有限公司在內(nèi)的，不超過(guò)10名特定對(duì)象發(fā)行不超過(guò)2.1億股，發(fā)行價(jià)格不低于9.66元/股，募集資金不超過(guò)20億元。

公告表示，天通高新集團(tuán)有限公司承諾認(rèn)購(gòu)不低于本次發(fā)行總股數(shù)的5%，且不超過(guò)本次發(fā)行總股數(shù)的10%，且鎖定期為36個(gè)月。發(fā)行完成后，公司實(shí)際控制人潘建清、杜海利夫婦持股比例由24.08%降至20.64%。

募投資金使用方面，公司擬將募集資金不超過(guò)20億元全部投入智能移動(dòng)終端應(yīng)用大尺寸藍(lán)寶石晶片投資項(xiàng)目，并分前端晶體生長(zhǎng)和后端晶片加工分別在寧夏銀川和浙江海寧實(shí)施，擬使用募集資金分別為6億元和14億元。

天通股份表示，本次募集資金投資項(xiàng)目大幅提高公司藍(lán)寶石材料供應(yīng)能力，改善公司整體盈利，增厚公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。本次非公開(kāi)發(fā)行后有利于公司拓展在消費(fèi)電子行業(yè)特別是移動(dòng)終端窗口材料領(lǐng)域的應(yīng)用，并搶占更有利的市場(chǎng)位置。（新華網(wǎng)）

國(guó)內(nèi)首個(gè)高新技術(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)基地2016年在渝投產(chǎn)

重慶未來(lái)將成為國(guó)內(nèi)首個(gè)高新技術(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。近日，兩江新區(qū)管委會(huì)發(fā)布消息稱，位于兩江新區(qū)魚(yú)復(fù)工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)的奧特斯科技（AT&S）重慶基地項(xiàng)目一期土建工程已經(jīng)封頂，并完成高新技術(shù)設(shè)備以及高規(guī)格環(huán)保設(shè)施的安裝，正在進(jìn)行生產(chǎn)設(shè)備調(diào)試，預(yù)計(jì)2016年可批量生產(chǎn)。

兩江新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，該項(xiàng)目系A(chǔ)T&S聯(lián)手全球最大的半導(dǎo)體制造商，在渝打造的半導(dǎo)體封裝載板生產(chǎn)基地。該項(xiàng)目共占地188畝，分3期進(jìn)行建設(shè)，一期投資總額達(dá)4.47億美元，將打造中國(guó)第1家全球高新技術(shù)半導(dǎo)體封裝工廠。一期項(xiàng)目將于2016年1月進(jìn)行批量生產(chǎn)， 一期滿產(chǎn)后的銷(xiāo)售額將達(dá)到30億元人民幣?！拔磥?lái)，我們產(chǎn)品線寬僅為7μm，相當(dāng)于頭發(fā)絲的1/14?！眾W特斯科技（重慶）有限公司負(fù)責(zé)人表示。（重慶商報(bào)）