Cu-Ni交互作用對(duì)Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)液-固界面反應(yīng)的影響

黃明亮，陳雷達(dá)，趙 寧

(1.大連理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，大連 116024；2.大連理工大學(xué) 遼寧省先進(jìn)連接技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，大連 116024)

電子封裝技術(shù)中Cu作為倒裝芯片凸點(diǎn)下金屬層(UBM)被廣泛使用，但是，大量的研究表明，釬料凸點(diǎn)與Cu基UBM的反應(yīng)速率很快，在釬焊過程中會(huì)形成一層較厚的金屬間化合物(IMC)，嚴(yán)重影響微小焊點(diǎn)的可靠性[1-2]。Ni與釬料凸點(diǎn)的反應(yīng)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于Cu和釬料凸點(diǎn)的反應(yīng)速率，因此，Ni作為UBM也廣泛應(yīng)用在電子封裝芯片互連技術(shù)中[3]。目前，Cu/solder/Ni焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)已取代Cu/solder/Cu焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)成為常見的芯片互連形式。近年來，隨著高密度封裝的不斷發(fā)展，凸點(diǎn)的尺寸持續(xù)減小。當(dāng)凸點(diǎn)的尺寸減小到微米級(jí)時(shí)，凸點(diǎn)兩側(cè)的界面不再是相對(duì)獨(dú)立的體系，而是相互聯(lián)系、相互影響，這主要體現(xiàn)在微小焊點(diǎn)中一側(cè)的Ni或Cu金屬層原子會(huì)擴(kuò)散越過釬料到達(dá)對(duì)面一側(cè)界面，并在界面處發(fā)生Cu-Ni交互作用[4-6]。

近年來，國內(nèi)外對(duì)Cu、Ni在界面反應(yīng)過程中的作用進(jìn)行了大量研究[7-9]。HO等[7]研究發(fā)現(xiàn)，Sn-Ag-xCu釬料與Ni基板在250℃條件下液-固界面反應(yīng)時(shí)，界面IMC的類型與釬料中Cu濃度有很大關(guān)系：當(dāng)釬料中Cu含量低于0.2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí)，在界面處生成(Ni,Cu)3Sn4；當(dāng)釬料中Cu含量高于0.6%時(shí)，在界面處生成(Cu,Ni)6Sn5；當(dāng)釬料中Cu含量介于0.4%到0.5%之間時(shí)，界面處既生成(Ni,Cu)3Sn4，又生成(Cu,Ni)6Sn5。TSAI等[8]研究發(fā)現(xiàn)，Sn-3.5Ag釬料中添加不同含量的Ni會(huì)對(duì)Sn-3.5Ag-xNi/Cu界面反應(yīng)產(chǎn)生影響，Ni的添加雖然不能改變界面IMC的類型，但會(huì)改變其厚度及形貌。Sn-3.5Ag/Cu界面處的IMC為致密的層狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)釬料中加入Ni元素后，界面IMC轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷傻亩嗫谞罱Y(jié)構(gòu)，而且厚度大于未添加 Ni時(shí)的厚度。此外，本課題組的前期研究結(jié)果表明，基體中Cu、Ni的溶解、擴(kuò)散及交互作用對(duì)界面反應(yīng)具有顯著的影響[10-12]。由此可見，Cu和Ni作為參與凸點(diǎn)界面反應(yīng)中的重要元素，即使含量很微小也會(huì)顯著影響界面反應(yīng)的進(jìn)程。

對(duì)于Cu/solder/Ni焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)，在封裝工藝過程中，UBM中的Cu和Ni原子會(huì)溶解并擴(kuò)散越過釬料參與對(duì)面一側(cè)的界面反應(yīng)，進(jìn)而對(duì)微小焊點(diǎn)的可靠性產(chǎn)生影響。在Cu/solder/Ni焊點(diǎn)中，Cu和Ni作為無限的擴(kuò)散源對(duì)界面反應(yīng)的影響必然不同于微量的Cu和Ni對(duì)界面反應(yīng)的影響。因此，本文作者采用Cu/Sn/Ni線性焊點(diǎn)(即采用目前業(yè)界常見的焊點(diǎn)間距)研究液-固界面反應(yīng)過程中Cu與Ni交互作用及其對(duì)界面反應(yīng)產(chǎn)物及生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的影響。

1 實(shí)驗(yàn)

采用浸焊的方法來制備Cu/Sn/Ni線性焊點(diǎn)。先將Cu塊和Ni塊(5 mm×7 mm×12 mm)的端面(5 mm×7 mm)進(jìn)行預(yù)磨、拋光，然后電鍍一層3 μm厚的Sn，以增加潤濕性并避免釬焊孔洞出現(xiàn)。在Cu塊和Ni塊之間放置兩根直徑為200 μm的不銹鋼絲以控制焊點(diǎn)間距，將固定好的試樣浸入300 g液態(tài)純Sn中進(jìn)行釬焊，釬焊溫度為260 °C、時(shí)間為10 s。然后，將試樣立即取出并水冷至室溫。將釬焊后的試樣線切割加工制成橫截面尺寸約為600 μm×600 μm的條狀試樣，最后再將這些條狀試樣的4個(gè)側(cè)面分別進(jìn)行預(yù)磨拋光處理制備成橫截面尺寸為300 μm×300 μm的線性焊點(diǎn)。圖1所示為Cu/Sn/Ni線性焊點(diǎn)的液-固界面反應(yīng)裝置示意圖。液-固界面反應(yīng)實(shí)驗(yàn)在油浴中進(jìn)行，將線性焊點(diǎn)水平放置在矩形玻璃上，用密封膠將試樣固定在載玻片上，然后用特制的金屬夾具進(jìn)行固定，最后將整個(gè)裝置放入溫度為250℃的油浴中進(jìn)行液-固界面反應(yīng)，反應(yīng)時(shí)間分別為10 min、30 min、1 h、2 h、4 h和6 h。

圖1 Cu/Sn/Ni線性焊點(diǎn)液-固界面反應(yīng)示意圖Fig.1 Schematic diagram of liquid-solid interfacial reaction of line-type Cu/Sn/Ni interconnect

液-固界面反應(yīng)后的線性焊點(diǎn)首先進(jìn)行預(yù)磨，然后再依次用直徑分別為1.5和0.5 μm的金剛石拋光膏進(jìn)行拋光。拋光后再用92%酒精-5%硝酸-3%鹽酸(體積分?jǐn)?shù))的腐蝕液進(jìn)行腐蝕，腐蝕時(shí)間為10 s。采用JSM-5600LV型掃描電子顯微鏡和EPMA-1600型電子探針分別對(duì)界面金屬間化合物的形貌與成分進(jìn)行觀察與分析。采用Q500IW 型圖像分析軟件測(cè)定 SEM照片中界面IMC層的面積，然后除以測(cè)量區(qū)域的總長(zhǎng)度，得到界面IMC層的平均厚度。為了結(jié)果更加準(zhǔn)確，每個(gè)界面取3張照片，每張照片測(cè)量3次，最后取平均值。

2 結(jié)果與分析

圖2所示為Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)在260 °C下浸焊反應(yīng)10 s后的微觀組織。浸焊后Cu基板和Ni基板之間形成了良好的連接，Cu和Ni的實(shí)際間距為(210±5) μm。在焊點(diǎn)兩側(cè)的Sn/Ni和Sn/Cu界面上均生成了扇貝狀的IMC。EPMA分析得Sn/Ni界面IMC為Ni3Sn4，Sn/Cu界面IMC為Cu6Sn5，由此可見，在短時(shí)浸焊反應(yīng)后并沒有發(fā)生 Cu-Ni交互作用。測(cè)量得到Ni3Sn4層和Cu6Sn5層的厚度分別為0.25 μm和0.30 μm。在釬料基體中觀察到細(xì)小的共晶組織。WANG和LIU[13]研究了Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)在250℃條件下的液-固界面反應(yīng)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)反應(yīng)時(shí)間小于1 min時(shí)，Sn/Ni界面IMC的生長(zhǎng)速率小于Sn/Cu界面IMC的生長(zhǎng)速率，這與本實(shí)驗(yàn)的結(jié)果相吻合。

圖2 浸焊后Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)的微觀組織Fig.2 Microstructures of Cu/Sn/Ni interconnect after immersing soldering: (a) Entire micrograph; (b) Sn/Ni interface;(c) Sn/Cu interface

圖3所示為Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)在250℃液-固界面反應(yīng)不同時(shí)間后界面微觀組織演變。圖3(a)、(c)、(e)、(g)為Sn/Ni界面，圖3(b)、(d)、(f)、(h)為Sn/Cu 界面。由圖3(a)可知，液-固界面反應(yīng)10 min后，Sn/Ni界面IMC已由初始的Ni3Sn4轉(zhuǎn)變?yōu)镃u6Sn5類型，EPMA分析顯示其具體成分為(Cu0.83Ni0.17)6Sn5。在釬焊過程中，從Sn/Cu界面處溶解到液態(tài)釬料中的大量Cu原子會(huì)在化學(xué)勢(shì)梯度的驅(qū)動(dòng)下擴(kuò)散到Sn/Ni界面并參與界面反應(yīng)，由于Cu6Sn5具有更低的吉布斯自由能[14]，促使界面IMC由Ni3Sn4轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu0.83Ni0.17)6Sn5。同樣，Sn/Ni界面處的Ni原子溶解到液態(tài)釬料中后，也會(huì)在化學(xué)勢(shì)梯度的驅(qū)動(dòng)下擴(kuò)散到Sn/Cu界面并參與界面反應(yīng)，但界面IMC仍為Cu6Sn5類型，如圖3(b)所示。同時(shí)，由于Ni的溶解速率較低，Sn/Cu界面IMC為(Cu0.92Ni0.08)6Sn5，僅含有少量的Ni原子。此外，Sn/Ni和Sn/Cu界面IMCs形貌均由初始的扇貝狀轉(zhuǎn)變?yōu)槎贪魻?，厚度分別為2.59 μm和4.88 μm。在釬料基體中均勻分布著顆粒狀的IMC，EPMA分析表明這些顆粒狀的IMC為(Cu,Ni)6Sn5。WANG和LIU[13]的研究同樣發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過1 min后，在Sn/Cu和Sn/Ni界面上均生成了(Cu,Ni)6Sn5IMC，但界面 IMC的形貌卻有所不同，這主要是由于焊點(diǎn)兩側(cè)界面的間距有所不同(本研究中焊點(diǎn)的間距為200 μm，而文獻(xiàn)[13]中焊點(diǎn)的間距為100 μm)，從而導(dǎo)致焊點(diǎn)中元素的擴(kuò)散行為及界面處 Cu、Ni元素的原子濃度有所不同。可見，焊點(diǎn)間距對(duì)Cu-Ni交互作用及界面反應(yīng)有重要影響。

Cu原子和Ni原子在液態(tài)Sn中的擴(kuò)散速率均為10-5cm2/s數(shù)量級(jí)[15]，其擴(kuò)散距離可表示為

式中：S為擴(kuò)散距離，D為擴(kuò)散速率，t為擴(kuò)散時(shí)間。

根據(jù)式(1)計(jì)算可知，在本研究條件下，Cu原子和Ni原子僅需要40 s就可以擴(kuò)散到焊點(diǎn)對(duì)面一側(cè)，可見液-固界面反應(yīng)10 min后，Cu-Ni必將發(fā)生交互作用，并導(dǎo)致Sn/Ni界面IMC類型發(fā)生轉(zhuǎn)變(由Ni3Sn4轉(zhuǎn)變成Cu6Sn5類型)，兩側(cè)界面處的IMC形貌也發(fā)生轉(zhuǎn)變。

如圖3(c)和(d)所示，液-固界面反應(yīng) 30 min后，釬料中的顆粒狀I(lǐng)MC越來越多。Sn/Cu和Sn/Ni界面IMC厚度進(jìn)一步增加，分別達(dá)到6.17和4.93 μm。界面 IMC仍然為(Cu,Ni)6Sn5類型，EPMA分析可知 Sn/Cu和Sn/Ni界面 IMC的成分分別為(Cu0.90Ni0.10)6Sn5和(Cu0.83Ni0.17)6Sn5。Sn/Ni界面處的(Cu,Ni)6Sn5由短棒狀逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)殚L(zhǎng)棒狀。在Sn/Cu界面處并未發(fā)現(xiàn)有Cu3Sn生成，這是由于Ni的存在抑制了 Cu3Sn的生長(zhǎng)。WATANABE等[16]研究了 Ni對(duì)Sn-Ag-Cu/Cu液-固界面反應(yīng)的影響，發(fā)現(xiàn)當(dāng)釬料中加入微量 Ni元素時(shí)，能夠明顯抑制 Cu6Sn5/Cu界面處Cu3Sn層的生長(zhǎng)，這與本實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合。

圖3 Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)在250℃液-固界面反應(yīng)過程中界面組織演變Fig.3 Microstructures evolutions of Cu/Sn/Ni interconnects during liquid-solid interfacial reaction at 250℃: (a), (c), (e), (g)Sn/Ni interfaces; (b), (d), (f), (h) Sn/Cu interfaces

如圖3(e)和(f)所示，液-固界面反應(yīng)2 h后，Sn/Ni和Sn/Cu界面 IMC繼續(xù)增厚，分別達(dá)到了 11.31和10.33 μm。此時(shí)，Sn/Ni界面上IMC的厚度要比Sn/Cu界面上IMC的厚。由此可見，Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)在液-固界面反應(yīng)過程中，Sn/Cu和Sn/Ni界面處的IMC雖然均為(Cu,Ni)6Sn5類型，并且均隨液-固界面反應(yīng)時(shí)間的增加而增厚，但是其具有不同的生長(zhǎng)速率。在液-固界面反應(yīng)初期，Sn/Cu界面 IMC的生長(zhǎng)速率要大于Sn/Ni界面IMC的生長(zhǎng)速率，而經(jīng)過一段時(shí)間后，Sn/Ni界面IMC的生長(zhǎng)速率要大于Sn/Cu界面處IMC的生長(zhǎng)速率。EPMA分析可知，Sn/Cu和Sn/Ni界面IMC的成分分別為(Cu0.92Ni0.08)6Sn5和(Cu0.87Ni0.13)6Sn5。液-固界面反應(yīng)2 h后，Sn/Ni界面(Cu,Ni)6Sn5由短棒狀轉(zhuǎn)變?yōu)殚L(zhǎng)棒狀。

如圖3(g)和(h)所示，液-固界面反應(yīng)6 h后，Sn/Cu和Sn/Ni界面IMC的厚度分別達(dá)到15.78和23.44 μm。即使液-固界面反應(yīng)進(jìn)行了6 h，Sn/Ni界面IMC仍然為(Cu,Ni)6Sn5，在(Cu,Ni)6Sn5/Ni的界面處并沒有生成(Ni,Cu)3Sn4；Sn/Cu界面 IMC也為(Cu,Ni)6Sn5，并未發(fā)現(xiàn)Cu3Sn層的生成。EPMA分析顯示，Sn/Ni和Sn/Cu界面 IMC 的成分分別為(Cu0.89Ni0.11)6Sn5(圖3(g))和(Cu0.90Ni0.10)6Sn5(圖3(h))。與液-固界面反應(yīng)2 h后的焊點(diǎn)相比，Sn/Cu界面IMC的厚度僅增加了4.47 μm，而Sn/Ni界面IMC的厚度則增加了13.11 μm。由此可見，隨著液-固界面反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)，Sn/Cu界面IMC的增長(zhǎng)越來越緩慢，而Sn/Ni界面IMC的增長(zhǎng)卻越來越快。

圖4所示為250℃時(shí)Sn-Cu-Ni三元相圖的等溫截面圖[13]。由圖4可知，Cu在Sn中的飽和溶解度約為1.2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))，當(dāng)Sn中含有0.2%的Ni時(shí)，Cu在Sn中的飽和溶解度就會(huì)下降到0.6%。Ni在Sn中的飽和溶解度約為0.2%，但當(dāng)Sn中溶解有少量的Cu時(shí)(低于0.6%)，Ni在Sn中的溶解度變化并不大，只有當(dāng)Cu含量高于0.6%時(shí)，Ni在Sn中的飽和溶解度才會(huì)下降。對(duì)Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)而言，Sn/Cu界面附近釬料中的Cu濃度要大于Sn/Ni界面附近釬料中的Cu濃度，因此，Cu原子在釬料中存在一個(gè)濃度梯度，在該濃度梯度的作用下，Cu原子會(huì)不斷地從Cu端擴(kuò)散到Ni端；而Sn/Ni界面附近釬料中的Ni原子濃度雖然比Sn/Cu界面附近釬料中的Ni原子濃度大，但是與Cu原子在釬料中的濃度梯度相比要小很多，所以，Ni原子在釬料中的擴(kuò)散通量要明顯小于Cu原子在釬料中的擴(kuò)散通量。

圖4 250℃下Sn-Cu-Ni等溫相圖富Sn角處放大示意圖[13]Fig.4 Enlarged Sn corner of isothermal section of Sn-Cu-Ni ternary phase diagram at 250℃[13]

液-固界面反應(yīng)過程中界面IMC的厚度與反應(yīng)時(shí)間的關(guān)系可用以下經(jīng)驗(yàn)公式表示：

式中：ht為經(jīng)液-固界面反應(yīng)時(shí)間t后界面IMC層的厚度，h0為界面 IMC層的初始厚度(t=0)，K為IMC層生長(zhǎng)速率系數(shù)，n為IMC層生長(zhǎng)速率指數(shù)。

式(2)中的K可用Arrhenius方程來表示：

式中：K0為生成常數(shù)，Q為生長(zhǎng)激活能，T為絕對(duì)溫度，R為摩爾氣體常數(shù)。

將式(3)代入式(2)并對(duì)兩邊取對(duì)數(shù)得

圖5 Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)液-固界面反應(yīng)過程中界面 IMC的lg(ht-h0)—lgt關(guān)系曲線Fig.5 lg(ht-h0)—lgt plots of growth kinetics of IMC layers in Cu/Sn/Ni interconnect during liquid-solid reaction

焊點(diǎn)中界面 IMC的厚度及形貌會(huì)顯著影響焊點(diǎn)的力學(xué)性能，通過液-固反應(yīng)過程中交互作用對(duì)界面IMC的成分變化規(guī)律、金屬間化合物類型以及生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的影響可知，焊點(diǎn)中的Cu-Ni交互作用通過影響界面反應(yīng)，進(jìn)而會(huì)對(duì)焊點(diǎn)的力學(xué)性能產(chǎn)生重要影響。在交互作用下，一方面，Sn/Ni界面IMC的類型發(fā)生轉(zhuǎn)變且具有更大的生長(zhǎng)速率，界面IMC過快生長(zhǎng)將使焊點(diǎn)的可靠性下降；另一方面，由于被溶解的Cu原子參與Sn/Ni界面反應(yīng)，將使液態(tài)釬料中的Cu濃度降低，這會(huì)促使 Cu基板的加速溶解，從而降低焊點(diǎn)的可靠性。因此，焊點(diǎn)中的交互作用將對(duì)焊點(diǎn)的可靠性產(chǎn)生不利影響，在焊點(diǎn)設(shè)計(jì)及封裝工藝過程中應(yīng)予以避免。

3 結(jié)論

1) 250℃短時(shí)浸焊后(10 s)，Cu/Sn/Ni焊點(diǎn)中沒有發(fā)生Cu-Ni交互作用，Cu6Sn5和Ni3Sn4IMCs分別在Sn/Cu及Sn/Ni界面處生成。

2) 在250℃下液-固界面反應(yīng)10 min后，Cu-Ni交互作用明顯。Cu原子和Ni原子均溶解并擴(kuò)散到對(duì)面基體的界面上參與界面反應(yīng)，Sn/Ni及Sn/Cu界面的IMCs均轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu,Ni)6Sn5。

3) Sn/Cu與Sn/Ni界面IMCs的厚度均隨著液-固界面反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)而增加，其生長(zhǎng)指數(shù)分別為0.32和0.61。在液-固界面反應(yīng)的初始階段，Sn/Cu界面IMC的厚度要大于Sn/Ni界面IMC的厚度；液-固界面反應(yīng)2 h后，由于Cu與Ni之間的交互作用，Sn/Cu界面IMC的厚度要小于Sn/Ni界面IMC的厚度，并隨著界面反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)一直保持；液-固界面反應(yīng)6 h后，Sn/Cu與Sn/Ni界面IMCs厚度分別達(dá)到15.78和23.44 μm。

4) 交互作用的存在會(huì)加速Sn/Ni界面 IMC的生長(zhǎng)和Cu基板的溶解，降低焊點(diǎn)的可靠性，應(yīng)通過焊點(diǎn)設(shè)計(jì)及封裝工藝優(yōu)化予以避免。

[1]ZENG K J, STIERMAN R, CHIU T C, EDWARDS D, ANO K,TU K N.Kirkendall void formation in eutectic SnPb solder joints on bare Cu and its effect on joint reliability[J].Journal of Applied Physics, 2005, 97(2): 024508.

[2]CHANG C C, LIN Y W, WANG Y W, KAO C R.The effect of solder volume and Cu concentration on the consumption rate of Cu pad during reflow soldering[J].Journal of Alloys and Compounds, 2010, 492(1/2): 99-104.

[3]ZHANG F, LI M, CHUM C C, TUNG C H.Effects of substrate metallizations on solder/underbump metallization interfacial reactions in flip-chip packages during thermal aging[J].Journal of Materials Research, 2003, 18(6): 1333-1341.

[4]HONG K K, RYU J B, PARK C Y, HUH J Y.Effect of cross-interaction between Ni and Cu on growth kinetics of intermetallic compounds in Ni/Sn/Cu diffusion couples during aging[J].Journal Electronic Materials, 2008, 37(1): 61-72.

[5]CHANG C W, YANG S C, TU C T, KAO C R.Cross-interaction between Ni and Cu across Sn layers with different thickness[J].Journal Electronic Materials, 2007, 36(11): 1455-1461.

[6]WANG S J, LIU C Y.Study of interaction between Cu-Sn and Ni-Sn interfacial reactions by Ni-Sn3.5Ag-Cu sandwich structure[J].Journal Electronic Materials, 2003, 32(11):1303-1309.

[7]HO C E, TSAI R Y, LIN Y L, KAO C R.Effect of Cu concentration on the reactions between Sn-Ag-Cu solders and Ni[J].Journal of Electronic Materials, 2002, 31(6): 584-590.

[8]TSAI J Y, HU Y C, TSAI C M, KAO C R.A study on the reaction between Cu and Sn3.5Ag solder doped with small amounts of Ni[J].Journal of Electronic Materials, 2003, 32(11):1203-1208.

[9]YOON J W, NOH B I, JUNG S B.Effects of third element and surface finish on interfacial reactions of Sn-Ag-xCu (or Ni)/(Cu or ENIG) solder joints[J].Journal of Alloys and compounds,2010, 506(1): 331-337.

[10]陳雷達(dá), 周少明, 黃明亮.電遷移對(duì)Ni/Sn/Ni-P焊點(diǎn)界面反應(yīng)的影響[J].稀有金屬材料與工程, 2012, 41(10): 1785-1789.CHEN Lei-da, ZHOU Shao-ming, HUANG Ming-liang.Effect of electromigration on interfacial reaction in Ni/Sn/Ni-P solder joint[J].Rare Metal Materials and Engineering, 2012, 41(10):1785-1789.

[11]黃明亮, 陳雷達(dá), 周少明.電遷移對(duì)Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊點(diǎn)界面反應(yīng)的影響[J].金屬學(xué)報(bào), 2012, 48(3): 321-328.HUANG Ming-liang, CHEN Lei-da, ZHOU Shao-ming.Effect of electromigration on interfacial reaction in Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu flip chip solder joint[J].Acta Metallurgica Sinica, 2012, 48(3):321-328.

[12]黃明亮, 陳雷達(dá), 周少明, 趙 寧.電遷移對(duì)Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒裝無鉛焊點(diǎn)界面反應(yīng)的影響[J].物理學(xué)報(bào), 2012, 61(19): 198104.HUANG Ming-liang, CHEN Lei-da, ZHOU Shao-ming, ZHAO Ning.Effect of electromigration on interfacial reaction in Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P flip chip solder joints[J].Acta Physica Sinica, 2012, 61(19): 198104.

[13]WANG S J, LIU C Y.Kinetic analysis of the interfacial reactions in Ni/Sn/Cu sandwich structures[J].Journal Electronic Materials,2006, 35(11): 1955-1960.

[14]LAURILA T, VUORINEN V, KIVILAHTI J K.Interfacial reactions between lead-free solders and common base materials[J].Mater Sci Eng R, 2005, 49: 1-60.

[15]ROY A K, CHABRA R P.Prediction of solute diffusion coefficients in liquid metals[J].Metallurgical Transactions A,1988, 19(2): 273-279.

[16]WATANABE H, SHIMODA M, HIDAKA N, SHOHJI I.Effect of interfacial reaction in Sn-Ag-Cu solder alloy with Ni addition[J].Key Engineering Materials, 2011, 462/463:247-252.