MEMS壓力傳感器的可靠性評(píng)價(jià)方法

鮑芳，張德平

（1.蘇州中咨工程咨詢(xún)有限公司，江蘇 蘇州 215008；2.工業(yè)和信息化部電子第五研究所，廣東 廣州 510610）

0 引言

目前，MEMS壓力傳感器產(chǎn)品的應(yīng)用越來(lái)越多，在其發(fā)展過(guò)程中，開(kāi)始主要注重新工藝的開(kāi)發(fā)和新型裝置的研制，目的是為了驗(yàn)證微電子機(jī)械系統(tǒng)的功能，對(duì)其可靠性方面的研究較少；并且所得到的測(cè)試與驗(yàn)證數(shù)據(jù)也較少，缺乏標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范。由于其緊湊性和便攜性，壓力傳感器在移動(dòng)通信、汽車(chē)電子和航天航空中的應(yīng)用逐漸地增多，可靠性技術(shù)成為其能否大規(guī)模實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)之一，也是器件使用者最關(guān)心的問(wèn)題之一，從而確保其產(chǎn)品在任何使用環(huán)境中都能滿(mǎn)足壽命、可靠性的設(shè)計(jì)預(yù)期[1]。

在過(guò)去的20年中，越來(lái)越多的半導(dǎo)體公司進(jìn)入MEMS行業(yè)，可靠性測(cè)試要求也發(fā)生了變化，但并沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)化。由于微電子器件失效機(jī)理研究、可靠性評(píng)價(jià)體系基本完備，并且這些可靠性評(píng)價(jià)試驗(yàn)經(jīng)證明在預(yù)計(jì)IC和MEMS產(chǎn)品的現(xiàn)場(chǎng)可靠性方面是一樣有效的，可以利用諸如高溫下熱循環(huán)測(cè)試和加速壽命測(cè)試等電學(xué)性能評(píng)估方法，因而大大加速了MEMS產(chǎn)品在各領(lǐng)域的應(yīng)用。

另一方面，由于MEMS壓力傳感器需要與環(huán)境相互作用來(lái)執(zhí)行任務(wù)，所以必須考慮機(jī)械結(jié)構(gòu)在實(shí)際使用環(huán)境中的可靠性，需要使用諸如沖擊試驗(yàn)、靜態(tài)和動(dòng)態(tài)加載時(shí)的長(zhǎng)期耐疲勞度等各種機(jī)械測(cè)試。

因此，下文從可靠性角度出發(fā)，探討針對(duì)壓力傳感器的可靠性評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)、主要失效現(xiàn)象以及激發(fā)這些失效現(xiàn)象的可靠性試驗(yàn)方法。

1 可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的制定

曾經(jīng)有一種觀(guān)點(diǎn)認(rèn)為MEMS的制造方法和結(jié)構(gòu)尺寸千變?nèi)f化，因此MEMS產(chǎn)業(yè)不需要制定標(biāo)準(zhǔn)，但是標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)是產(chǎn)品可靠性評(píng)價(jià)的基礎(chǔ)。最近幾年，MEMS領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)化工作正在逐步地啟動(dòng)。國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）的半導(dǎo)體器件技術(shù)委員會(huì)（TC 47）下設(shè)MEMS工作組（TC 47/WG 4），現(xiàn)已發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IEC 62047，規(guī)范了MEMS術(shù)語(yǔ)和部分測(cè)試方法；ASTM International是一個(gè)開(kāi)發(fā)和制定材料方面技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際性標(biāo)準(zhǔn)化組織，目前已經(jīng)發(fā)布了利用光學(xué)干涉儀測(cè)量薄膜面內(nèi)長(zhǎng)度、殘余應(yīng)變和應(yīng)變梯度的標(biāo)準(zhǔn)（E 2244-06、E 2245-06和E 2246-06）[2]；SEMI是半導(dǎo)體制造供應(yīng)方面的產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)，對(duì)于MEMS，SEMI主要關(guān)注制備工藝的兼容性問(wèn)題，現(xiàn)已發(fā)布3項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)（MS 1-0307、MS 2-0307 和 MS 3-0307）。

對(duì)于MEMS壓力傳感器來(lái)說(shuō)，因其常用于汽車(chē)和軍事領(lǐng)域，要求的可靠性水平非常高。例如，汽車(chē)行業(yè)要求器件失效率低于10 FIT，甚至希望器件供應(yīng)商能夠提供故障率為0 ppm的器件。因此常常借用美國(guó)汽車(chē)工程協(xié)會(huì)（SAE）和美軍標(biāo)MIL-STD-750對(duì)其可靠性進(jìn)行評(píng)價(jià)測(cè)試。SAE J 1346《Guide to Manifold Absolute Pressure Transducer Representative Test Method》涵蓋了大部分壓力傳感器產(chǎn)品的可靠性試驗(yàn)方法。適用于半導(dǎo)體微電路的標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-750同時(shí)也是大部分從事設(shè)計(jì)制造壓力傳感器的工業(yè)企業(yè)參照的可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，但是，基于壓力傳感器與半導(dǎo)體微電路的顯著差異，必須考慮在嚴(yán)酷的使用環(huán)境下傳感器獨(dú)特的失效模式以及采用何種測(cè)試手段來(lái)誘發(fā)這些失效的問(wèn)題。

在國(guó)內(nèi)，GB/T 26111-2010規(guī)范了MEMS的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，GB/T 15478-1995規(guī)定了壓力傳感器的性能測(cè)試方法和部分，JB/T 10524-2005適用于MEMS壓阻式壓力傳感器的質(zhì)量管理。

2 壓力傳感器的失效原因

對(duì)于器件失效機(jī)理的研究是對(duì)失效器件進(jìn)行分析檢查，找出失效發(fā)生的原因，從而為改進(jìn)、提高器件可靠性指明方向。壓力傳感器已知的主要失效原因有如下幾種，與微電路相比，我們對(duì)導(dǎo)致這些失效的機(jī)理研究還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。

2.1 機(jī)械斷（破）裂

機(jī)械斷裂是指一個(gè)統(tǒng)一的材料斷裂為兩個(gè)獨(dú)立的部分。在MEMS中，它是一個(gè)嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題。

斷裂有3種類(lèi)型：韌性斷裂、脆性斷裂和晶間斷裂。韌性斷裂發(fā)生于韌性材料，特點(diǎn)是材料幾乎不間斷地發(fā)生塑性形變，通常表現(xiàn)為材料特定點(diǎn)的頸縮或極度變薄。脆性斷裂沿著晶面發(fā)生并且在極小的變形下迅速地展開(kāi)。晶間斷裂是一種脆性斷裂，它發(fā)生于多晶材料的晶界，通常是在雜質(zhì)或沉淀積累處開(kāi)始的。對(duì)于MEMS器件來(lái)說(shuō)，后面兩種類(lèi)型的斷裂較為常見(jiàn)[3]。

在硅晶體中，材料的斷裂強(qiáng)度呈現(xiàn)正態(tài)分布，由斷裂引起的失效率服從威布爾函數(shù)分布：

式（1）中：V——存在斷裂應(yīng)力的材料體積；

σu——最低應(yīng)力極限；

σ0——平均斷裂應(yīng)力；

m——威布爾模量。

2.2 粘附

粘附是微結(jié)構(gòu)最嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題之一，當(dāng)兩個(gè)光滑的微結(jié)構(gòu)表面相接觸時(shí)，依靠表面力相互吸引直至粘附在一起[4]。一般來(lái)說(shuō)，造成MEMS粘附的原因有液體橋接力（毛細(xì)力）、范德華力和靜電力，如圖1所示。對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，大部分器件結(jié)構(gòu)都被設(shè)計(jì)成可以消除表面吸引力，以排除粘附效應(yīng)。

圖1 懸臂梁粘附到襯底上

當(dāng)微結(jié)構(gòu)的兩個(gè)平行表面的間隔小于20 nm時(shí)，由范德華力在平行表面上形成的壓強(qiáng)可以表示為[4]：

式（2）中：A——哈梅克常數(shù)，對(duì)于硅材料，A=1.6 eV；

d——兩個(gè)平行表面的間距。

2.3 磨損

磨損是兩個(gè)接觸表面相對(duì)機(jī)械運(yùn)動(dòng)引起的固體表面材料的損耗，會(huì)給MEMS帶來(lái)不良的影響。據(jù)觀(guān)察，主要有4種運(yùn)動(dòng)方式會(huì)引起磨損，即粘附、研磨、腐蝕和表面疲勞[3]。

在壓力傳感器中，粘附磨損出現(xiàn)的概率較大。粘附磨損發(fā)生在兩個(gè)相對(duì)滑動(dòng)的材料表面，當(dāng)表面吸引力消失，相互吸附的兩個(gè)表面不會(huì)完整地相互分離，其中的一個(gè)表面會(huì)發(fā)生破裂、斷裂等磨損現(xiàn)象。粘附磨損的表達(dá)式為：

式（3）中：σy——材料的屈服強(qiáng)度；

kAW——材料的磨損系數(shù)；

x——滑動(dòng)位移；

F——材料受外力大小。

2.4 蠕變

蠕變是應(yīng)力作用下原子的緩慢運(yùn)動(dòng)引起的應(yīng)變隨時(shí)間延長(zhǎng)而增加的現(xiàn)象，長(zhǎng)時(shí)間的應(yīng)變積累會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)產(chǎn)生緩慢而連續(xù)的塑性變形，即蠕變現(xiàn)象，甚至發(fā)生斷裂，如圖2所示。

圖2 蠕變空洞及楔形裂紋

蠕變速率滿(mǎn)足公式：

式（4）中：ε——蠕變速率；

σ——應(yīng)力；

n——應(yīng)力指數(shù)；

Q——蠕變激活能。

2.5 分層

分層是多層結(jié)構(gòu)的界面粘附鍵斷裂而造成層層分離的現(xiàn)象，可由多種原因誘發(fā)，從光刻掩膜對(duì)準(zhǔn)誤差到晶圓加工過(guò)程中的微粒缺陷，也可能是由長(zhǎng)期循環(huán)條件下的熱膨脹系數(shù)失配誘發(fā)的機(jī)械疲勞引起的。無(wú)論何種原因引起，分層效應(yīng)都是災(zāi)難性的，它可能會(huì)引起短路或機(jī)械阻力。由于分層導(dǎo)致的機(jī)械結(jié)構(gòu)質(zhì)量損耗甚至?xí)鹌骷C(jī)械特性的漂移，最新的研究顯示，某些器件的諧振頻率因此變化達(dá)到25%之多[5]。

2.6 電介質(zhì)破壞

電介質(zhì)破壞是寄生電荷改變激勵(lì)電壓和器件機(jī)械特性的現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致漏電流、電流飽和和介質(zhì)擊穿等破壞效應(yīng)，主要包括介質(zhì)層中電荷慢俘獲、時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿、靜電放電和過(guò)電應(yīng)力，其中慢俘獲和時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿引起器件失效的機(jī)理是由于累積電荷的堆積進(jìn)而導(dǎo)致器件閾值電壓變化；靜電放電是由于瞬間電荷聚集，可使器件燒壞，引起器件過(guò)應(yīng)力失效。眾所周知的傳感器參數(shù)隨工作時(shí)間的延長(zhǎng)而發(fā)生漂移就是由于積累在介質(zhì)表面的電荷引起的。

2.7 環(huán)境因素

振動(dòng)是壓力傳感器可靠性中一個(gè)較大的關(guān)注點(diǎn)，由于脆性材料對(duì)受力的敏感性，外部振動(dòng)會(huì)通過(guò)誘發(fā)器件表面粘附或者支撐結(jié)構(gòu)變脆導(dǎo)致器件失效，如圖3所示。長(zhǎng)期的持續(xù)振動(dòng)也會(huì)造成材料疲勞。

圖3 單晶硅結(jié)構(gòu)上振動(dòng)引起的裂紋

沖擊是單次的機(jī)械撞擊，通過(guò)沖擊可以在器件上完成機(jī)械能轉(zhuǎn)換。沖擊引起的失效包括粘附、機(jī)械斷裂和焊接引線(xiàn)脫落。

潮濕被認(rèn)為是傳感器的另一個(gè)嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題。由于加工工藝的關(guān)系，表面微加工器件是非常親水的。在潮濕環(huán)境下，水氣會(huì)冷凝到微小的裂縫中，水珠凝結(jié)過(guò)程會(huì)使微結(jié)構(gòu)發(fā)生彎曲，并在間距很小的兩個(gè)表面之間形成毛細(xì)吸引力，從而引起器件的粘附失效。該毛細(xì)力在表面處形成的壓強(qiáng)滿(mǎn)足公式：

式（5）中：γ——水珠凝結(jié)引起的表面張力；

r1——水珠的曲率半徑；

θ——水珠與器件表面的接觸角；

d——兩個(gè)表面之間的距離

灰塵是指空氣中始終存在的一些極細(xì)微的粒子，這些粒子會(huì)引起傳感器的電短路和靜摩擦。灰塵可能會(huì)誘發(fā)的另一個(gè)問(wèn)題是粘附，完美的器件加工過(guò)程要求材料界面異常潔凈以確保良好的附著力，如果材料界面處存在灰塵會(huì)引起多層材料的分層現(xiàn)象發(fā)生，如圖4所示。

溫度變化是所有半導(dǎo)體器件可靠性關(guān)注的重點(diǎn)，由于材料線(xiàn)性膨脹系數(shù)的不匹配造成器件內(nèi)部應(yīng)力集中，導(dǎo)致金屬封裝膨脹壓裂器件襯底引發(fā)失效。對(duì)于傳感器來(lái)說(shuō)，另一種尚未得到充分研究的失效機(jī)理是溫度變化對(duì)半導(dǎo)體材料機(jī)械性能的影響，在劇烈的溫度變化下，硅材料的楊氏模量會(huì)發(fā)生顯著的變化，引起器件性能參數(shù)的漂移、退化甚至失效。

圖4 傳感器上的灰塵微粒

2.8 材料本征應(yīng)力

材料本征應(yīng)力誘發(fā)的失效是薄膜型MEMS傳感器所獨(dú)有的失效機(jī)理。在沒(méi)有外加應(yīng)力的情況下，材料本征應(yīng)力會(huì)帶來(lái)信號(hào)噪聲、結(jié)構(gòu)變形以及機(jī)械斷裂等失效現(xiàn)象。在MEMS加工過(guò)程中，形成薄膜的分子如果不處在最低能級(jí)狀態(tài)就會(huì)在薄膜中殘留一部分應(yīng)力；同時(shí)，生成薄膜的熱工藝本身也會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力。盡管高溫退火過(guò)程可以減小薄膜的這種本征應(yīng)力，但是其與傳感器整體加工工藝不一定兼容。

3 壓力傳感器可靠性評(píng)價(jià)項(xiàng)目

環(huán)境試驗(yàn)是將產(chǎn)品暴露在環(huán)境應(yīng)力中，誘發(fā)出潛在的失效模式，以此來(lái)檢驗(yàn)評(píng)價(jià)其在實(shí)際遇到的運(yùn)輸、儲(chǔ)存和使用環(huán)境條件下的性能。通過(guò)環(huán)境試驗(yàn)，可以提供傳感器設(shè)計(jì)、制造質(zhì)量可靠性方面的信息，是質(zhì)量和可靠性保障的重要手段。目前，壓力傳感器常用的環(huán)境可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目有以下幾

種[6]。

3.1 脈沖壓力溫度循環(huán)試驗(yàn)-帶載（PPTCB）

試驗(yàn)?zāi)軌蚰M壓力傳感器在真實(shí)工作場(chǎng)景下的應(yīng)力，將脈沖壓力和高低溫循環(huán)溫度應(yīng)力同時(shí)施加到處于帶電工作狀態(tài)的樣品上，考核樣品承受一定范圍內(nèi)溫度、壓力變化速率的能力。該試驗(yàn)可以全面評(píng)價(jià)樣品的綜合性能，包括傳感器芯片、內(nèi)引線(xiàn)、封裝焊接線(xiàn)及封裝密封性。

可以激發(fā)的潛在失效模式：開(kāi)路、短路和性能參數(shù)漂移。

潛在的失效機(jī)理：當(dāng)器件材料的性能匹配較差時(shí)，綜合應(yīng)力可引發(fā)由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效，如芯片裂紋、芯片引線(xiàn)疲勞、封裝焊接線(xiàn)疲勞、粘附和封裝材料蠕變。

3.2 濕熱試驗(yàn)-帶載（H3TB）

該試驗(yàn)是評(píng)價(jià)器件在潮濕和炎熱條件下的工作性能，可用于評(píng)定器件的封裝密封性及檢測(cè)芯片表面離子污染和工藝缺陷，也考核在潮濕和炎熱條件下傳感器材料發(fā)生和加劇電解的可能性。

可以激發(fā)的潛在失效模式：開(kāi)路、短路和性能參數(shù)漂移。

潛在的失效機(jī)理：在潮濕和炎熱條件下由化學(xué)過(guò)程產(chǎn)生的器件腐蝕、受表面離子污染而引起的參數(shù)漂移，由水汽的浸入和凝露而引起的微裂縫增大和絕緣材料電解導(dǎo)致電阻率發(fā)生變化而使抗介質(zhì)擊穿能力變?nèi)酢?/p>

3.3 高溫試驗(yàn)-帶載（HTB）

該試驗(yàn)是考核器件在高溫條件下的通電工作性能，常用于評(píng)價(jià)芯片材料界面間的密封性和薄膜材料穩(wěn)定性。

可以激發(fā)的潛在失效模式：參數(shù)漂移、靈敏度降低。

潛在的失效機(jī)理：高溫通電條件下的芯片表面離子污染引起的參數(shù)漂移，薄膜材料穩(wěn)定性下降引起的器件靈敏度降低和工藝缺陷在高溫下引起的材料界面損傷而導(dǎo)致器件的性能退化。

3.4 高、低溫貯存壽命試驗(yàn)（HTSL和LTSL）

存在嚴(yán)重工藝缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài)，是一種不穩(wěn)定態(tài)，極限溫度條件可以誘發(fā)產(chǎn)品失效，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過(guò)渡。該試驗(yàn)是模擬器件在運(yùn)輸和儲(chǔ)存階段的環(huán)境應(yīng)力，用于考核極端溫度對(duì)產(chǎn)品性能的影響。

可以激發(fā)的潛在失效模式：參數(shù)漂移、靈敏度降低。

潛在的失效機(jī)理：材料熱匹配較差引起蠕變失效、工藝缺陷誘發(fā)性能退化和失效。

3.5 溫度循環(huán)試驗(yàn)（TC）

該試驗(yàn)用于考核產(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力，主要是控制產(chǎn)品處于高溫和低溫時(shí)的溫度和時(shí)間及高低溫狀態(tài)轉(zhuǎn)換的速率。

可以激發(fā)的潛在失效模式：開(kāi)路、參數(shù)漂移和靈敏度降低。

潛在的失效機(jī)理：當(dāng)器件材料的性能匹配較差時(shí)，溫度循環(huán)可引發(fā)由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效，如芯片內(nèi)引線(xiàn)疲勞、封裝焊接線(xiàn)疲勞、粘附和封裝材料蠕變。

3.6 機(jī)械沖擊試驗(yàn)

該試驗(yàn)的目的是考核傳感器承受機(jī)械沖擊的能力，即考核器件承受在裝卸、運(yùn)輸和現(xiàn)場(chǎng)工作過(guò)程中突然受力的能力，如跌落、碰撞時(shí)器件會(huì)受到突發(fā)的機(jī)械應(yīng)力。

可以激發(fā)的潛在失效模式：開(kāi)路、參數(shù)漂移和靈敏度降低。

潛在的失效機(jī)理：壓力感應(yīng)隔膜破裂、漏氣、芯片脫落、管殼變形和內(nèi)引線(xiàn)封裝焊接線(xiàn)開(kāi)路失效。

3.7 機(jī)械振動(dòng)試驗(yàn)

該試驗(yàn)的目的是考核器件在不同振動(dòng)條件下的結(jié)構(gòu)牢固性和電特性的穩(wěn)定性。

可以激發(fā)的潛在失效模式：開(kāi)路、參數(shù)漂移和靈敏度降低。

潛在的失效機(jī)理：壓力感應(yīng)隔膜破裂、漏氣、芯片脫落、管殼變形和內(nèi)引線(xiàn)/封裝焊接線(xiàn)開(kāi)路失效。

3.8 可焊性評(píng)價(jià)試驗(yàn)

該試驗(yàn)的目的是考核在儲(chǔ)存一段時(shí)間后器件管腳的可焊性。

可以激發(fā)的潛在失效模式：管腳氣泡、潤(rùn)濕和去濕。

潛在的失效機(jī)理：管腳電鍍工藝質(zhì)量差或管腳表面污染而造成器件的可焊性差。

3.9 高壓試驗(yàn)

該試驗(yàn)的目的是考核器件在使用過(guò)程中承受極度高壓的能力，在試驗(yàn)中，壓力施加于感應(yīng)隔膜的正面或背面取決于實(shí)際的應(yīng)用情況。

可以激發(fā)的潛在失效模式：開(kāi)路。

潛在的失效機(jī)理：壓力感應(yīng)隔膜破裂、芯片附著處脫落。

4 加速壽命試驗(yàn)

對(duì)MEMS壓力傳感器進(jìn)行壽命試驗(yàn)，首先遇到的就是試驗(yàn)樣品數(shù)量和試驗(yàn)時(shí)間之間的矛盾，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，如果樣品較少甚至根本沒(méi)有失效，就難以獲得產(chǎn)品的可靠性統(tǒng)計(jì)特征。解決這個(gè)矛盾的有效方法之一就是進(jìn)行加速壽命試驗(yàn)，并通過(guò)數(shù)理統(tǒng)計(jì)及外推的方法，獲得有效的可靠性特征數(shù)據(jù)，在這個(gè)基礎(chǔ)上，再來(lái)預(yù)測(cè)工作在特定條件下的產(chǎn)品可靠性。

對(duì)于半導(dǎo)體微電路器件而言，溫度和電流密度是誘發(fā)器件失效的兩個(gè)最重要因素，溫度是最常用的加速環(huán)境應(yīng)力，Arrhenius模型能夠很好地描述器件的壽命過(guò)程。但是，對(duì)于MEMS壓力傳感器來(lái)說(shuō)，器件遇到的環(huán)境應(yīng)力包括壓力、溫度和工作電壓，因此加速壽命試驗(yàn)要復(fù)雜得多。正是基于這種考慮，脈沖壓力溫度循環(huán)試驗(yàn)-帶載（PPTCB）被用于壓力傳感器的加速壽命試驗(yàn)，壓力和溫度作為試驗(yàn)的加速環(huán)境應(yīng)力[7]。一般使用Eyring模型來(lái)描述器件性能參數(shù)的退化，其反應(yīng)速率為：

T——溫度應(yīng)力；

S——非溫度應(yīng)力；

h——普朗克常數(shù)；

f1=exp（CS）——考慮由非溫度應(yīng)力存在而對(duì)能量分布的修正因子；

f2=exp（DS/kT）——考慮到由非溫度應(yīng)力存在對(duì)激活能的修正因子；

a，C，D——待定常數(shù)。

5 結(jié)束語(yǔ)

壓力傳感器由于工作原理以及加工工藝的多樣性和失效機(jī)理的復(fù)雜性，其可靠性問(wèn)題一直阻礙著產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)模的進(jìn)一步擴(kuò)大。相比國(guó)外的技術(shù)水平，我國(guó)在壓力傳感器產(chǎn)品技術(shù)，特別是可靠性技術(shù)方面還比較落后，并且嚴(yán)重地制約了相關(guān)技術(shù)產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)工業(yè)和軍事領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，開(kāi)展傳感器可靠性技術(shù)的研究對(duì)加快物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，促進(jìn)工業(yè)與信息化的深度融合具有重要的意義。

工信部電子五所華東分所近年來(lái)加大了對(duì)傳感器產(chǎn)品可靠性技術(shù)研究的投入，與長(zhǎng)三角地區(qū)的傳感器設(shè)計(jì)制造企業(yè)、知名高校和科研院所聯(lián)合開(kāi)展該領(lǐng)域的研究，及時(shí)跟蹤國(guó)際技術(shù)的最新動(dòng)態(tài)，并依托電子五所總部的雄厚科研實(shí)力，為我國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供支撐。

[1]田火田修，土屋智由（日）.MEMS可靠性[M].宋競(jìng)，尚金堂，唐潔影，譯.南京：東南大學(xué)出版社，2009.

[2]LAVAN D A，TSUCHIYA T，COLES G，et al.Cross comparison of direct strength testing techniques on polysilicon films，in Mechanical Properties of Structural Films[C]//ASTM STP 1413，ASTM，2001.

[3]DIBENEDETTO A T.The structure and properties of materials[M].New York： McGraw-Hill，1967.

[4]BEERSCHWINGER U，MATHIESON D，REUBEN R L，et al.A study of wear on MEMS contact morphologies[J].J.Micromech.Microeng，1994（4）： 95-99.

[5]JACOBEN S C，PRICE R H，WOOD J E，et al.The wobble motor： An electrostatic，planetary armature，microactuator.Proc[C]//IEEE Microelec.Syst，1989.

[6]Motorola D.M.T.G.Reliability Audit Report[R].Q191.2005.

[7]MATAR J E，MAUDIE T.Reliability engineering and accelerated life testing[Z].Motorola Internal Training Text，1989.