徐汶東,李敬兆
(1.安徽理工大學(xué) 計(jì)算機(jī)科學(xué)與工程學(xué)院,安徽 淮南,232001)
激發(fā)極化(induced polarization,IP)效應(yīng)又稱激電效應(yīng),它是由地層中不同巖、礦石接觸面上產(chǎn)生的電極極化作用引起的,IP 效應(yīng)是一種廣泛存在的現(xiàn)象,文獻(xiàn)[1]中通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)證明了這種現(xiàn)象的存在??煽卦匆纛l大地電磁(controlled source audio-frequency magnetotelluric,CSAMT)法是一種頻率測(cè)深的電磁探測(cè)方法,通過(guò)人工源發(fā)射不同頻率的電信號(hào)獲得不同地層深度處的電阻率來(lái)尋找地下資源。由于IP 效應(yīng)的影響,地層的電阻率實(shí)際上是隨頻率變化的復(fù)數(shù),但是,因?yàn)镮P 效應(yīng)比較微弱,在CSAMT 方法中把地層的電阻率看作是與頻率無(wú)關(guān)的實(shí)數(shù)[2,3],如果在某些頻段IP 效應(yīng)較強(qiáng),必然會(huì)產(chǎn)生較大的誤差,影響探測(cè)的準(zhǔn)確性,近年來(lái),很多學(xué)者在這方面進(jìn)行了探討[4,5],但都沒(méi)有從極化模型參數(shù)影響顯著水平的角度進(jìn)行分析,而研究參數(shù)影響水平,才能發(fā)現(xiàn)有重要影響的參數(shù),這對(duì)于提取IP 信息、提 高 CSAMT 探 測(cè) 的 準(zhǔn) 確 性 是 至 關(guān) 重 要 的[6,7]。本 文 以Pelton W H 提出的 Cole-Cole 模型[8,10]作為極化模型,從模型參數(shù)變化的角度出發(fā),來(lái)研究各參數(shù)變化對(duì)IP 效應(yīng)影響的差異,為從CSAMT 中去除IP 效應(yīng)、提取IP 信息指明思路。
Cole-Cole 模型等效電路如圖1 所示,其中,阻抗Z=a/(iω)c,a 為一個(gè)實(shí)常數(shù),ω 為激勵(lì)源角頻率。
圖1 Cole-Cole 模型等效電路Fig 1 Equivalent circuit of Cole-Cole model
該模型復(fù)電阻率的數(shù)學(xué)表達(dá)式如下
其中,ρ0是零頻電阻率,Ω·m;m 為充電率(無(wú)量綱),相當(dāng)于時(shí)間域的極限極化率,本文稱之為極化率,m =R1/(R1+R2);τ 為時(shí)間常數(shù),s,τ =a(R1/m)1/c;c(0 < c <1)為頻率相關(guān)系數(shù)。
CSAMT 一般采用標(biāo)量工作方式[11],它用水平電偶極子作為激發(fā)源,通過(guò)測(cè)量一對(duì)正交的電磁場(chǎng)計(jì)算卡尼亞視電阻率推斷地層的電性特征,視電阻率的定義[11]如式(2)
式中 f 為激發(fā)源的發(fā)射頻率,T 則為發(fā)射源的周期,Ex,Hy為發(fā)射源激勵(lì)的二次電磁場(chǎng)。在層狀介質(zhì)中,Ex,Hy的數(shù)值濾波計(jì)算方法如式(3)、式(4)所示
上面各式中每部分函數(shù)的含義見(jiàn)文獻(xiàn)[13],式(3)、式(4)中 J0K241和 J1K241分別為 241 點(diǎn) 0 階和 1 階的 Hankel變換濾波系數(shù),本文計(jì)算電磁場(chǎng)時(shí)采用文獻(xiàn)[12]中給出的241 點(diǎn)濾波系數(shù)在Matlab 環(huán)境下進(jìn)行數(shù)值計(jì)算。
將層狀介質(zhì)中Ex,Hy計(jì)算公式中的電阻率用式(1)表示的復(fù)電阻率代替,利用式(3)和式(4)計(jì)算含有IP 效應(yīng)時(shí)的電磁場(chǎng),進(jìn)而再用式(2)就可以計(jì)算含IP 效應(yīng)時(shí)的視電阻率。
本文的計(jì)算中,CSAMT 工作參數(shù)設(shè)置為:供電極距dl=1 000 m,I= 4e-iωtA,r=8000 m。通過(guò) Cole-Cole 模型參數(shù)的變化,研究對(duì)視電阻率的影響程度。取三層模型進(jìn)行計(jì)算,根據(jù)每層電阻率 ρ1,ρ2,ρ3的大小關(guān)系,三層模型可分為4 種斷面類型,即 A,Q,H,K 型。設(shè)中間層為極化層,其Cole-Cole 模型參數(shù)為:m =0.3,c =0.5,τ =4 s。各層厚度為:h1=200 m,h2=500 m,h3=∞。
A 型地電斷面電阻率參數(shù)為:
ρ1=100 Ω·m,ρ2=300 Ω·m,ρ3=300 Ω·m。
Q 型地電斷面電阻率參數(shù)為:
ρ1=100 Ω·m,ρ2=50 Ω·m,ρ3=15 Ω·m。
K 型地電斷面電阻率參數(shù)為:
ρ1=100 Ω·m,ρ2=500 Ω·m,ρ3=50 Ω·m。
H 型地電斷面電阻率參數(shù)為:
ρ1=100 Ω·m,ρ2=25 Ω·m,ρ3=200 Ω·m。
圖2 ~圖5 為有、無(wú)IP 效應(yīng)時(shí)視電阻率幅值和相位響應(yīng)的對(duì)比曲線。
圖2 對(duì)A 型斷面電阻率幅值和相位的影響Fig 2 Effect on resistivity amplitude and phase of A-section
圖3 對(duì)Q 型斷面電阻率幅值和相位的影響Fig 3 Effect on resistivity amplitude and phase of Q-section
圖4 對(duì)K 型斷面電阻率幅值和相位的影響Fig 4 Effect on resistivity amplitude and phase of K-section
圖5 對(duì)H 型斷面電阻率幅值和相位的影響Fig 5 Effect on resistivity amplitude and phase of H-section
由圖2 ~圖5 可見(jiàn),IP 效應(yīng)對(duì)卡尼亞視電阻率的影響主要發(fā)生在中低頻段,頻率越低影響越大,視電阻率幅值和相位都大于沒(méi)有IP 效應(yīng)時(shí)的數(shù)值;但是當(dāng)頻率很低時(shí),根據(jù)電磁場(chǎng)在地中的波長(zhǎng)公式[13,14]:和有關(guān)的探測(cè)理論,實(shí)際上已進(jìn)入近場(chǎng)(在上面的各幅值響應(yīng)圖中,為更好地體現(xiàn)近場(chǎng)效應(yīng),橫坐標(biāo)用波長(zhǎng)與第一層深度的比值表示,頻率越低比值越大),這時(shí)根據(jù)電磁場(chǎng)計(jì)算的視電阻率主要受傳導(dǎo)類電場(chǎng)的影響,所以,研究CSAMT 中的IP 效應(yīng)問(wèn)題,應(yīng)集中在中頻段進(jìn)行研究。從以上各圖中數(shù)值上看,IP 響應(yīng)對(duì)電阻率幅值的影響要大于對(duì)相位的影響。
視電阻率幅值是反映地層電性特征的重要指標(biāo),地探領(lǐng)域中一般以此推斷地下的介質(zhì)狀況,視電阻率相位可看作一個(gè)輔助指標(biāo)[15]。下面依據(jù)前面計(jì)算分析的結(jié)果,在中頻段,進(jìn)一步研究Cole-Cole 模型各參數(shù)變化時(shí)對(duì)幅值的影響情況。Cole-Cole 初始模型參數(shù)為:m =0.3,c =0.5,τ =4 s;這里僅以H 型斷面為例(其他斷面類型的研究方法和結(jié)論與之相似),中間層為極化層,電阻率為:ρ1=100 Ω·m,ρ2=25 Ω·m,ρ3=200 Ω·m;厚度為 h1=200 m,h2=500 m,h3=∞。采用的分析方法為:保持中間層Cole-Cole模型的電阻率參數(shù)不變,計(jì)算m,c 參數(shù)各變化±20%,τ 變化±25%時(shí)分別產(chǎn)生的卡尼亞視電阻率幅值變化百分率曲線,觀察各參數(shù)對(duì)視電阻率影響水平的差異。幅值變化百分率曲線的計(jì)算公式為
式中 ρx為參數(shù)變化后計(jì)算的視電阻率幅值,ρ(ω0)為根據(jù)初始模型參數(shù)計(jì)算的視電阻率幅值。圖6 為各參數(shù)減少和增加時(shí)的視電阻率幅值相對(duì)變化百分率曲線對(duì)比圖。
圖6 各參數(shù)變化時(shí)視電阻率幅值變化百分率對(duì)比曲線Fig 6 Contrast curve of apparent resistivity magnitude altering percentage when parameters change
由圖6 可看出:不論模型參數(shù)增大或減小,視電阻率幅值曲線隨頻率變化形態(tài)類似,差別在于不同參數(shù)減小或增大時(shí)對(duì)視電阻率幅值變化率的影響方向不一樣;從同一參數(shù)產(chǎn)生的變化百分率曲線上看,m 參數(shù)減小,變化率變小,m 參數(shù)增大,變化率變大;c 參數(shù)減小,變化率增大,c 參數(shù)變大,變化率減小;τ 參數(shù)變化時(shí)對(duì)變化率曲線的影響與c參的影響類似。在低頻時(shí)極化率參數(shù)影響m 最大,但這時(shí)不能看作是IP 效應(yīng)的影響,而是近場(chǎng)效應(yīng)的緣故。從頻率變化的角度來(lái)看,隨著頻率的增大,m 的影響在減小,另2 個(gè)參數(shù)的影響在增加,不過(guò)它們?cè)谝粋€(gè)相近的頻點(diǎn)附近達(dá)到一個(gè)局部極大值;然后,隨著頻率的增加其影響都在減小并趨于零,這是因?yàn)樵诟哳l時(shí)不能產(chǎn)生IP 效應(yīng)的緣故,和前面的分析是類似的。從不同參數(shù)產(chǎn)生的變化百分率來(lái)看,在整個(gè)變化過(guò)程中,τ 和 c,m 參數(shù)相比,產(chǎn)生的變化百分率影響始終較小,本文為了突出說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題,故把τ 的變化范圍設(shè)置的較大些。
上面的分析啟示:在研究CSAMT 資料中的IP 效應(yīng)并利用它提取IP 參數(shù)時(shí),應(yīng)重點(diǎn)考慮影響水平大的極化率參數(shù)和頻率相關(guān)系數(shù),在某些情況下,為了提高計(jì)算速度,加快算法的收斂性,甚至可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)先把τ 看作一個(gè)常數(shù)。
1)由于IP 效應(yīng)的影響,在CSAMT 信號(hào)中存在 IP 效應(yīng),IP 效應(yīng)對(duì)視電阻率的影響主要發(fā)生在中低頻段,其中對(duì)視電阻率幅值的影響大于對(duì)相位的影響。
2)通過(guò)Cole-Cole 模型各參數(shù)對(duì)視電阻率產(chǎn)生的IP 效應(yīng)影響水平的分析,可以得到,極化率參數(shù)和頻率相關(guān)系數(shù)的影響顯著水平大于時(shí)間常數(shù)的影響水平,所以,在研究CSAMT 中的IP 效應(yīng)時(shí),應(yīng)主要考慮這2 個(gè)參數(shù)的影響。
本文的研究可為去除 CSAMT 中的 IP 效應(yīng),提高CSAMT 的探測(cè)精度和分辨力,以及利用CSAMT 資料提取IP 參數(shù)、擴(kuò)大激電法的應(yīng)用范圍提供借鑒意義。
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