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    無(wú)氰化學(xué)鍍金工藝的研究

    2012-12-27 03:51:16盧銀東凌宗欣趙晶晶
    電鍍與環(huán)保 2012年4期
    關(guān)鍵詞:乙二胺沉淀物氰化

    盧銀東, 凌宗欣, 趙晶晶

    (1.中國(guó)電子科技集團(tuán) 第55研究所,江蘇 南京210016;2.南京航空航天大學(xué) 材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,江蘇 南京211100;

    3.蘇州春興精工股份有限公司,江蘇 蘇州 215121)

    無(wú)氰化學(xué)鍍金工藝的研究

    盧銀東1, 凌宗欣2,3, 趙晶晶2

    (1.中國(guó)電子科技集團(tuán) 第55研究所,江蘇 南京210016;2.南京航空航天大學(xué) 材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,江蘇 南京211100;

    3.蘇州春興精工股份有限公司,江蘇 蘇州 215121)

    研究了亞硫酸鹽/硫代硫酸鹽復(fù)合體系下,2-巰基苯并噻唑(2-MBT)對(duì)鍍液穩(wěn)定性的影響,以及乙二胺對(duì)鍍速、鍍層厚度的影響。結(jié)果表明:2-MBT的存在有利于提高鍍液穩(wěn)定性;鍍速與鍍層厚度均隨著乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而增大。

    無(wú)氰;化學(xué)鍍金;2-巰基苯并噻唑;乙二胺

    0 前言

    化學(xué)鍍是指不依賴(lài)外加電流,而是依靠金屬的催化作用,通過(guò)可調(diào)控的氧化還原作用,使鍍液中的金屬離子沉積到鍍件上的方法。與電鍍相比,化學(xué)鍍具有鍍層均勻、致密、孔隙率低,分散能力好,無(wú)明顯的邊緣效應(yīng),可以在非金屬表面(如塑料、玻璃、陶瓷及半導(dǎo)體等)上形成鍍層,工藝設(shè)備簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。

    化學(xué)鍍金層具有良好的耐蝕性、導(dǎo)電性、可焊性和裝飾性等性能,目前已被廣泛應(yīng)用于集成電路的框架引線、宇宙空間技術(shù)、尖端軍事設(shè)備以及裝飾等領(lǐng)域[1-6]。1950年,美國(guó)通過(guò)了第一個(gè)化學(xué)鍍金專(zhuān)利。近年來(lái),化學(xué)鍍金技術(shù)發(fā)展迅速?;瘜W(xué)鍍金按工藝的不同可分為氰化物鍍金、亞鐵氰化鉀鍍金、低氰酸性鍍金及無(wú)氰化學(xué)鍍金等。傳統(tǒng)的化學(xué)鍍金工藝使用劇毒的氰化物,且在高溫和強(qiáng)堿性條件下操作,容易剝離掩蔽電路用的耐鍍層,侵蝕陶瓷基板。無(wú)氰化學(xué)鍍金具有無(wú)污染、作業(yè)環(huán)境安全、廢液處理的經(jīng)濟(jì)成本低等優(yōu)點(diǎn),已成為化學(xué)鍍金發(fā)展的一個(gè)重要方向。在無(wú)氰化學(xué)鍍金體系中,亞硫酸鹽或硫代硫酸鹽單獨(dú)作為配位劑的鍍金液體系不穩(wěn)定,使其應(yīng)用受到限制。無(wú)氰化學(xué)鍍金液的穩(wěn)定性問(wèn)題現(xiàn)已成為無(wú)氰鍍金領(lǐng)域研究的重點(diǎn)。本文介紹了亞硫酸鹽/硫代硫酸鹽復(fù)合體系下,以2-巰基苯并噻唑(2-MBT)為穩(wěn)定劑,以乙二胺為促進(jìn)劑的無(wú)氰化學(xué)鍍金工藝。

    1 實(shí)驗(yàn)

    1.1 工藝流程

    1.2 鍍液組成及工藝條件

    NaAuCl43g/L,Na2SO312g/L,Na2S2O324 g/L,L-抗 壞 血 酸 鈉 40g/L,Na2HPO410g/L,NaH2PO45g/L,2-MBT 1mg/L,乙二胺0~620 mg/L,pH 值6.8,60℃。

    2 結(jié)果與討論

    2.1 鍍液穩(wěn)定性

    表1為不同條件下生成金沉淀物的時(shí)間變化。由表1可知:當(dāng)乙二胺的質(zhì)量濃度為320mg/L,不含2-MBT時(shí),鍍液穩(wěn)定性差,鍍30min即生成金沉淀物;而當(dāng)乙二胺的質(zhì)量濃度為320mg/L,含有2-MBT時(shí),鍍液穩(wěn)定性好,鍍7天后才產(chǎn)生金沉淀物。表明2-MBT的存在對(duì)提高鍍液穩(wěn)定性有重要的作用。此外,在含有2-MBT的鍍液中,鍍液出現(xiàn)金沉淀物的時(shí)間隨乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而變短,表明鍍液穩(wěn)定性隨乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而降低。

    表1 不同條件下生成金沉淀物的時(shí)間變化

    2.2 鍍速

    表2為乙二胺的質(zhì)量濃度對(duì)鍍速的影響,施鍍時(shí)間為6h。由表2可知:鍍速隨著乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而增大;當(dāng)乙二胺的質(zhì)量濃度大于320 mg/L時(shí),鍍速保持不變。

    表2 乙二胺的質(zhì)量濃度對(duì)鍍速的影響

    2.3 鍍層厚度

    表3為乙二胺的質(zhì)量濃度對(duì)鍍層厚度的影響,施鍍時(shí)間為3h。由表3可知:隨著乙二胺的質(zhì)量濃度的增加,鍍層厚度不斷增大。

    表3 乙二胺的質(zhì)量濃度對(duì)鍍層厚度的影響

    3 結(jié)論

    無(wú)氰化學(xué)鍍金液具有無(wú)毒、作業(yè)環(huán)境安全、對(duì)環(huán)境友好以及工藝條件簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),是未來(lái)鍍金發(fā)展的一個(gè)重要方向。往鍍液中添加2-巰基苯并噻唑(2-MBT)可以大大提高鍍液的穩(wěn)定性,有利于鍍液的長(zhǎng)期反復(fù)操作。鍍液中乙二胺的質(zhì)量濃度對(duì)提高鍍速及鍍層厚度有重要的影響,從而大大提高了鍍金效率。目前對(duì)無(wú)氰化學(xué)鍍金機(jī)理的研究存在爭(zhēng)議,尚未統(tǒng)一[7-11]。這一問(wèn)題有待于后期實(shí)踐研究來(lái)解決。隨著無(wú)氰化學(xué)鍍金機(jī)理研究的深入和生產(chǎn)工藝的成熟,亞硫酸鹽/硫代硫酸鹽復(fù)合體系下的無(wú)氰化學(xué)鍍金因其在生產(chǎn)實(shí)踐中的優(yōu)越性必將在PCB等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

    [1] 李寧.化學(xué)鍍實(shí)用技術(shù)[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2004:342.

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    A Study of Non-cyanide Electroless Gold Plating

    LU Yin-dong1, LING Zong-xin2,3, ZHAO Jing-jing2

    (1.No.55Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Nanjing 210016,China;2.College of Material Science and Technology,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics,Nanjing 211100,China;3.Suzhou Chunxing Precision Mechanical Co.,Ltd.,Suzhou 215121,China)

    The effects of 2-mercaptobenzothiazole(2-MBT)on the bath stability as well as ethylenediamine on the plating speed and coating thickness under the sulfite/thiosulfate combination system were investigated.The results show that the presence of 2-MBT is conductive to improving the bath stability.Both plating speed and coating thickness increase with the increasing of the concentration of ethylenediamine.

    non-cyanide;electroless gold plating;2-mercaptobenzothiazole;ethylenediamine

    TQ 153

    A

    1000-4742(2012)04-0027-02

    2011-04-18

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