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    EDTA輔助水熱法合成硫化鉍晶體

    2012-11-21 11:41:40殷俊霞汪朝暉汪效祖
    合成化學 2012年2期
    關(guān)鍵詞:花狀水熱法晶體

    沈 林, 殷俊霞, 汪朝暉, 汪效祖

    (南京工業(yè)大學 材料化學工程國家重點實驗室,江蘇 南京 210009)

    硫?qū)侔雽w材料,由于獨特的物理化學性質(zhì)和潛在應(yīng)用價值引起了人們的廣泛關(guān)注。Bi2S3是一種斜方晶系的層狀半導體材料,它的直接能帶間隙能為1.3 eV,在光伏轉(zhuǎn)換、光電二極管陣列以及基于Peltier效應(yīng)的熱電冷卻技術(shù)等方面有廣泛的應(yīng)用[1~3]。

    納米材料的性能不僅與本身的結(jié)構(gòu)有關(guān),還取決于其尺寸和形貌。近年來,專家們通過熱蒸發(fā)法[4]、超聲化學法[5]、微波輻射法[6]、溶劑熱法[7]及水熱法[8]等對納米Bi2S3晶體的可控合成展開了廣泛研究。Zhu[9]等以尿素輔助低溫合成了納米管、納米花和納米棒等不同形貌的Bi2S3粉體,不同的硫源和溶劑對Bi2S3的最終形貌有著直接影響。Tian[10]等以單源前軀體Bi(SCOPh)3或多源前驅(qū)體,采用溶膠法或水熱法成功制備出納米棒、納米花、蒲公英狀結(jié)構(gòu)、葉片狀結(jié)構(gòu)和卷心菜狀結(jié)構(gòu)的Bi2S3晶體。Wu[11]等以氯化鉍和硫脲為原料,乙二醇為溶劑,于160 ℃回流反應(yīng)2 h制得三維雪花狀的Bi2S3納米結(jié)構(gòu),這些雪花納米結(jié)構(gòu)由直徑35 nm左右的納米棒有序排列而成。

    本文以Bi(NO3)3·5H2O和Na2S2O3·5H2O為原料,乙二胺四乙酸(EDTA)輔助下,采用水熱法成功合成了納米或微米級的Bi2S3晶體(1),其結(jié)構(gòu)、形貌和光譜性能經(jīng)XRD, FE-SEM和UV-Vis表征。考察了溶液的pH對1形貌的影響,提出了不同形貌1的形成機理,并對1的光譜性能進行了研究。

    1 實驗部分

    1.1 儀器與試劑

    SHIMADZU UV2550型紫外-可見分光光度計;D8-ADVANCE型X-射線衍射儀(XRD, Cu-Kα射線,管壓40 kV,管流20 mA,掃描區(qū)間10°~70°,掃描速率0.02°·s-1; Hitachi S4800型冷場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)。

    所用試劑均為分析純。

    1.2 1的合成(以11為例)

    將Bi(NO3)3·5H2O 1.212 g(2.5 mmol)溶于去離子水(10 mL)中,攪拌下緩慢滴加1 mol·L-1鹽酸至溶液澄清;加入EDTA 0.936 g(2.5 mmol)和Na2S2O3·5H2O 1.943 g(4 mmol);用飽和NaOH溶液調(diào)至pH 1.0。移至內(nèi)襯為聚四氟乙烯的50 mL高壓釜內(nèi),置于180 ℃烘箱中恒溫反應(yīng)15 h。冷卻至室溫,過濾,濾餅依次用去離子水和無水乙醇多次洗滌,于80 ℃干燥得灰褐色晶體11。

    僅改變?nèi)芤旱膒H(4, 7, 10),用類似的方法合成灰褐色晶體14, 17和110。

    2 結(jié)果與討論

    2.1 表征

    (1) XRD

    圖1為1n的XRD譜圖。由圖1可見,11~110的衍射峰與正交相Bi2S3(JCPDS No17-0320)的衍射峰相對應(yīng)。隨著pH值提高,<020>峰逐漸增強,說明晶體進一步銳化。

    (2) FE-SEM

    圖2是1n的FE-SEM照片。由圖2可見,溶液的pH對1的形貌有顯著的影響。11為大小均一,粒徑為3μm左右的微米球,而微米球是由許多納米棒組裝而成,納米棒的平均粒徑約20 nm~150 nm; 14則由納米棒組成的花狀結(jié)構(gòu),且納米棒以及單個形貌的尺寸都在增大;17全由微米片構(gòu)成的花狀結(jié)構(gòu);110中則已無花狀結(jié)構(gòu),僅有單一的片狀結(jié)構(gòu)。

    2θ/(°)圖1 1n的XRD譜圖Figure 1 XRD patterns of 1n

    圖2 1n的FE-SEM照片F(xiàn)igure 2 FE-SEM images of 1n

    圖的FE-SEM照片F(xiàn)igure 3 FE-SEM images of 1nx

    2.2 1的形成機理

    2.3 UV-Vis

    納米材料的尺寸和形貌影響著材料的光學性能。圖4為11和110的UV-Vis譜圖。由圖4可以看出,11和110的吸收峰分別為530 nm和542 nm,表明1是一種直接帶隙半導體材料,其吸收系數(shù)α與光學帶隙Eg的關(guān)系服從Tauc方程[(αhν)2=A(hν-Eg),其中,h是普朗克常數(shù),ν是頻率,A是與材料性質(zhì)有關(guān)的常數(shù)]。對UV-Vis數(shù)據(jù)進行處理,可得到(αhν)2-hν圖,外推至(αhν)2→0即可得到11的光學帶隙為1.50 eV,而110的光學帶隙為1.43 eV,相對于塊狀Bi2S3固體(約為1.3 eV)[14]分別增加了0.20 eV和0.13 eV,說明11和110都出現(xiàn)了藍移現(xiàn)象,這主要是由于量子尺寸效應(yīng)造成的。

    圖4 1n的UV-Vis譜圖與(αhν)2~hν的關(guān)系曲線Figure 4 UV-Vis absorption spectra and (αhν)2~hν curve of 1n

    3 結(jié)論

    在EDTA輔助下,Bi(NO3)3·5H2O和Na2S2O3·5H2O經(jīng)水熱法合成了不同形貌的納米或微米級的Bi2S3晶體,溶液pH值對其的形貌起著重要作用。

    Bi2S3晶體的形貌對光吸收有重要影響,11和110的光學帶隙分別1.50 eV和1.43 eV,相對于塊狀固體,都產(chǎn)生明顯藍移現(xiàn)象。

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