江銘波,賀 華,徐國旺
(湖北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院,湖北 武漢430068)
霍爾元件是根據(jù)霍爾效應(yīng)制成的四端子磁電轉(zhuǎn)換元件.主要由霍爾芯片、四根引線和殼體組成.芯片是一塊用半導(dǎo)體晶體制成的矩形或十字形薄片,四根引線中有兩根為外加激勵電流或激勵電壓的輸入電極,稱為激勵電極或控制電極;另兩根是霍爾電壓輸出端引線,稱為霍爾電極.外殼一般由塑膠樹脂材料、非導(dǎo)磁材料或陶瓷材料制成,但有些外殼上帶有高導(dǎo)磁率材料制成的磁性物質(zhì)貼片,為的是獲得較大的輸出電壓.
霍爾元件在垂直于芯片受磁平面的磁場B和控制電流I的作用下,產(chǎn)生霍爾電壓[1]
其中d是芯片厚度;RH為霍爾系數(shù).但嚴(yán)格講,式(1)僅適于無限長的霍爾芯片,實(shí)際上芯片的長度是有限的,若芯片長為l,寬為b,長寬比之值常設(shè)在不同形狀的芯片,將導(dǎo)致電流電極和霍爾電極對霍爾電壓產(chǎn)生影響.因此實(shí)際產(chǎn)生的霍爾電壓應(yīng)修正為[2]
設(shè)KH為比例系數(shù),則
式中,KH稱為霍爾乘積靈敏度;為元件的形狀函數(shù)或元件的形狀效應(yīng)系數(shù).形狀效應(yīng)系數(shù)之值隨元件的形狀而異.從實(shí)際情形來看,十字形元件的值受磁場的影響較小,為了得到較高的值,實(shí)際應(yīng)用的霍爾元件大都采用十字形.元件的形狀系數(shù)修正值分別如表1[3]和圖1所示.
表1 形狀效應(yīng)系數(shù)
圖1 霍爾元件形狀系數(shù)曲線
描述霍爾元件的特性參數(shù)較多,各廠家給出的參數(shù)不盡一致,對參數(shù)名稱的定義也不十分嚴(yán)謹(jǐn).這無疑給研究、設(shè)計及使用者等帶來不便.依筆者拙見,提出如下幾點(diǎn)看法,以和廣大讀者討論.
由于霍爾材料本身特性以及使用時受到環(huán)境、溫升、散熱條件等的影響,其控制電流受到限制,其所限控制電流的大小如何確定,在文獻(xiàn)中,大約有3種表述:1)當(dāng)霍爾元件自身溫升100C時所流過的控制電流,稱為額定控制電流Ic;當(dāng)霍爾元件達(dá)到其允許的最高溫升時,流過霍爾元件的電流稱為最大控制電流Icm[4].2)霍爾元件因電流而發(fā)熱,使在空氣中的霍爾元件產(chǎn)生允許溫升ΔT的控制電流稱為額定控制電流Icm,當(dāng)I>Icm時,器件溫升將大于允許的溫升,器件特性將變壞[5].3)根據(jù)額定功耗P0定義額定控制電流:在環(huán)境溫度250C時,允許通過霍爾元件的電流和電壓的乘積稱為霍爾元件的額定功耗P0,當(dāng)供給霍爾元件的電壓確定后,根據(jù)額定功耗P0就可以確定額定控制電流[6].
對霍爾元件,使用額定控制電流這一參數(shù)是完全必要的,在額定控制電流范圍內(nèi)使用霍爾元件是安全的;而對于“最大允許控制電流”的概念,可以并入額定控制電流這一概念之中,并對額控制電流嚴(yán)格定義為:在環(huán)境溫度250C時,使霍爾元件產(chǎn)生允許溫升ΔT的控制度電流稱為額定控制電流,即
式中,b、d分別為霍爾元件寬度和厚度;ρ為元件工作區(qū)電阻率;as為元件的散熱系數(shù).因此,額定控制電流Icm是與材質(zhì)、元件大小、散熱條件及允許溫升ΔT有關(guān)的量.
額定功耗定義為:在環(huán)境溫度250C時,允許通過霍爾元件的額定控制電流Icm和電壓的乘積,用P0表示.
霍爾乘積靈敏度
簡稱為霍爾靈敏度或靈敏度,由霍爾片自身的材料結(jié)構(gòu)和尺寸以及結(jié)構(gòu)決定,是反映霍爾元件磁電變換大小的一個重要參數(shù).一般要求KH越大越好,顯然d越小,KH越大.但元件厚度太薄,會使元件的輸入、輸出電阻增加,因此不宜太薄.此外KH與形狀系數(shù)有關(guān).在霍爾片的材質(zhì)和形狀尺寸以及結(jié)構(gòu)決定后,KH就成為一個常數(shù).在實(shí)際使用上,霍爾元件的使用手冊中經(jīng)常是在輸入Ic=1mA的控制電流,在垂直于感磁面方向施加0.1T的外磁場B條件下,給出其霍爾電極上產(chǎn)生的霍爾電壓值,以此種形式體現(xiàn)出霍爾元件的靈敏度,其單位為mV/(mA·T).
磁靈敏度定義為:當(dāng)控制電流為額定控制電流Icm時,單位磁感應(yīng)強(qiáng)度產(chǎn)生的開路霍爾電動勢稱為磁靈敏度,用KB表示.是在當(dāng)時,由于并根據(jù)式(5)計算出最大霍爾電壓
因而根據(jù)定義,求得
可見選用乘積μρ1/2和允許溫升ΔT大的半導(dǎo)體材料,就可以得到較大的磁靈敏度,N型砷化鎵霍爾元件的μ和ρ均較大,其磁靈敏度也大.
在額定控制電流Icm之下,不加磁場時,霍爾電極之間的空載霍爾電勢稱為不平衡電勢,或不等位電勢,用U0表示,單位為mV.不平衡電勢U0和額定控制電流之比稱為不平衡電阻,或不等位電阻,用r0表示.不平衡電勢U0是額定控制電流通過不平衡電阻r0產(chǎn)生的電壓降.不平衡電阻是由于元件輸出極焊接不對稱、厚薄不均勻以及兩個輸出極接觸不良等原因造成的.有的文獻(xiàn)對不等位電勢U0這樣定義:當(dāng)控制電流I流過元件時,即使磁感應(yīng)強(qiáng)度等于零,在霍爾電極上仍有電動勢存在,該電動勢稱為不等位電動勢U0.顯然這里的不等位電勢與前者不完全等同.有些產(chǎn)品提供不平衡電勢U0之值應(yīng)為前者,有些產(chǎn)品提供不平衡電阻r0參數(shù)數(shù)值,則更為確切.
在實(shí)際使用中,存在著各種影響霍爾元件精度的因素,即在霍爾電勢中存在著各種誤差電勢,產(chǎn)生這些誤差的因素主要有兩類,一類是半導(dǎo)體本身所固有的溫度特性;另一類是半導(dǎo)體制造工藝的缺陷.分別表現(xiàn)為溫度誤差和零位誤差.筆者僅分析零位誤差的物理機(jī)制.
零位誤差是在不加控制電流或不加外磁場時.出現(xiàn)的霍爾電勢.前述不平衡電勢是主要的零位誤差.不平衡電勢輸出,其數(shù)量級與霍爾電勢的數(shù)量級相當(dāng),因此對霍爾元件的不平衡電勢不能忽略.如果經(jīng)過測試確知霍爾電極偏離等位面的方向,則可以采用機(jī)械修磨或用化學(xué)腐蝕的方法來減小不等位電勢.現(xiàn)在一般采用補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行補(bǔ)償.
在沒有磁場下,元件通以交流控制電流,其輸出除了交流不等位電勢外,還有個直流電勢分量,此電勢稱為寄生直流電勢.產(chǎn)生寄生直流電勢的原因有兩個,一是由于電流控制極及霍爾電極的歐姆接觸不良,造成整流效應(yīng);二是由于霍爾電極的焊點(diǎn)大小不同,導(dǎo)致兩焊點(diǎn)的熱容量不同而產(chǎn)生溫差效應(yīng),造成直流附加電勢.
寄生直流電勢很容易導(dǎo)致輸出產(chǎn)生漂移,為減小其影響,在元件制作和安裝時應(yīng)盡量改善電極的歐姆電阻接觸性能和元件的散熱條件.
當(dāng)沒有控制電流時,在交流或脈動磁場作用下產(chǎn)生的電勢稱為感應(yīng)零電勢Ui0.它與霍爾電極引線構(gòu)成的感應(yīng)面積s成正比,如圖2a所示,根據(jù)電磁感應(yīng)定律有
為了減小感應(yīng)零電勢,可通過合理布線,使霍爾電極引線圍成感應(yīng)面積s所產(chǎn)生的感應(yīng)電勢互相抵消(圖2b).
圖2 感應(yīng)電勢及其補(bǔ)償
當(dāng)霍爾電極通以控制電流時,此電流會產(chǎn)生磁場,這一磁場稱為自激場(圖3a).由于元件的左右兩半場相等,故產(chǎn)生的電勢方向相反,而相互抵消.實(shí)際應(yīng)用時多為圖3b所示的形狀.由于控制電流引線也產(chǎn)生磁場,使元件左右兩磁場強(qiáng)度不相等,因而有霍爾電勢輸出,這一輸出電勢稱為自激場零電勢.
圖3 自激場零電勢示意圖
要克服自激場零電勢的影響,只要在安裝過程中將控制電流予以合理安排.
[1]江銘波,閻旭東,徐國旺.霍爾效應(yīng)及霍爾元件在物理檢測中的應(yīng)用[J].湖北工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2011(2):142-144.
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