程知群,周蘇萍,林隆乾,馮玉潔,張鋁坡
(杭州電子科技大學射頻電路與系統(tǒng)教育部重點實驗室,浙江杭州310018)
衛(wèi)星導航系統(tǒng)已經(jīng)在全球得到廣泛的應用,也正發(fā)揮著越來越多的作用。目前全世界已經(jīng)有4個衛(wèi)星導航定位系統(tǒng)(GPS、GLONASS、“北斗”和Galileo)。在我國已經(jīng)自主開發(fā)的第一套系統(tǒng)“北斗一號”系統(tǒng)存在著明顯的不足之處:一是終端的體積和功耗都較大,定位的時間也較長;二是它的定位的精度比較差。為了彌補上述不足,開展了“北斗二號”系統(tǒng)的開發(fā)。低噪聲放大器是接收機中的關(guān)鍵電路,其性能直接影響到接收機的性能。對于窄帶應用,源簡并電感共源共柵結(jié)構(gòu)因為其極好的噪聲系數(shù)和增益而得到廣泛應用[1]。報導了很多的改進結(jié)構(gòu),用電流鏡結(jié)構(gòu)代替共柵管來進行電流放大[2]、把大電感Lg用LC并聯(lián)匹配網(wǎng)絡代替,節(jié)省了芯片面積[3]、差分共源管漏極之間引入電感,以減少寄生電容的影響[4]。本文針對“北斗二號”的應用,設計了一種B1頻段的低噪聲放大器,其工作中心頻率為1 561.098MHz?;赟MIC0.18μm CMOS工藝,采用交叉耦合電容全差分共源共柵的電路結(jié)構(gòu),在噪聲系數(shù)、功耗、輸入輸出匹配、線性度等多個指標進行折中優(yōu)化,仿真結(jié)果表明,設計的低噪聲放大器性能良好。
低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)是基于cascode結(jié)構(gòu)改進型設計,如圖1所示。M1、M2為源極放大得到較優(yōu)的噪聲系數(shù)。輸入匹配網(wǎng)絡中的Lg1、Lg2、C1、C2、Cb1、Cb2與源極放大器的寄生電容Cgs使得輸入阻抗的虛部為零。差分共源放大器的輸出信號由Cc1和Cc2交流耦合M3和M4。負載電感Ld1和Ld2在工作頻率與電容C3、C5和C4、C6諧振,形成輸出匹配網(wǎng)絡。晶體管M5與 Rbias和Rref組成偏置電路為M1管和M2管提供偏置電壓。
圖1 LNA拓撲結(jié)構(gòu)
在未給定功耗約束的條件下,設定Is=7mA進行設計。由于共源共柵電路中噪聲主要由M1、M2決定,所以重點是在功率消耗限定的情況下,求出M1、M2的尺寸。根據(jù)在功耗限定的條件下獲得最優(yōu)噪聲,晶體管的優(yōu)化柵寬為[1]:
式中,ω =9.8rad/s,柵長L=0.18μm,柵氧化層電容 Cox=8.92 ×10-3F/m2,Rs=50Ω,Qsp為噪聲最優(yōu)匹配時輸入端的品質(zhì)因數(shù),取值范圍為3.5-5.5[6],本文取值為4.5。經(jīng)計算可得 Wopt約為423μm。由于電路存在寄生參數(shù)的影響,電路最終優(yōu)化出來的M1與M2的寬度為500μm。
傳統(tǒng)的輸入匹配網(wǎng)絡小信號等效電路如圖2所示。由該小信號等效電路可以看出,輸入阻抗表達式為:
若用此輸入匹配網(wǎng)絡,在滿足匹配條件下,即使輸入阻抗的實部為50O,虛部為零。此時Ls=顯然,柵極電感 Lg的值較大會帶來集成實現(xiàn)不便和附加噪聲較大的問題[7],因此引入電容C1(C2),輸入端小信號模型如圖3所示。這樣輸入阻抗的表達為:
式中,C1(C2)的引入增加了輸入匹配的調(diào)諧裕度,使得Ls的值下降,更有利于工藝的集成。經(jīng)過電路最后的調(diào)諧和優(yōu)化,各元件的取值為Lg=8.0nH,C1=0.625pF,Ls=0.64nH。
圖2 改進前小信號等效電路
圖3 改進后小信號等效電路
設計中采用了交叉耦合電容以提高共柵管的跨導。共柵管是用來減小第一級共源管的Cgd引起的Miller效應以及增強整個電路的反向隔離性能。在沒有考慮柵漏電容、晶體管的Miller效應的情況下,共柵極的跨導可以表示如下[7]:
所以當Cc?Cgs時,有效跨導為晶體管gm的兩倍,因此提高了整個電路的增益。
電路設計采用了SMIC0.18μm CMOS工藝庫,使用ADS軟件進行電路的仿真和優(yōu)化。小信號S參數(shù)如圖4所示。從圖4中可以看出,在工作的中心頻率1.561GHz,S21為19.684dB,表現(xiàn)出較高的增益;S11和數(shù)S22分別小于-13dB和-40dB,表明端口反射較小;S12小于-40dB,表明反向隔離度較高。LNA的噪聲系數(shù)隨頻率的變化曲線如圖5所示,在中心頻率點1.561GHz的噪聲系數(shù)為2.045dB。三階交調(diào)測試曲線如圖6所示,圖6中顯示在中心頻率處的IIP3為-5.5dBm,表現(xiàn)出電路良好的線性度。
圖4 S參數(shù)
圖5 噪聲系數(shù)NF
圖6 IIP3仿真結(jié)果
本文采用SMIC0.18μm CMOS工藝,設計了應用于北斗二號B1頻段的低噪聲放大器。仿真結(jié)果表明,在功耗限制的情況下,放大器有較低的噪聲,有較好的增益和線性度,因此,滿足了預期的設計要求。
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