微波暗室設(shè)計研究

易鳴鏑，王 迪

（北京環(huán)球信息應(yīng)用開發(fā)中心，北京100094）

0 引 言

微波暗室，又稱電波無反射室或者吸波室。微波暗室是通過對來波盡可能多的吸收以提供一個能夠抑制內(nèi)部電磁多路徑反射干擾、屏蔽外界電磁干擾的相對寂靜的電磁測量環(huán)境。近年來，隨著通信技術(shù)、仿真試驗技術(shù)、隱身技術(shù)以及各種電子戰(zhàn)武器裝備的發(fā)展，微波暗室受到普遍關(guān)注與重視，并廣泛應(yīng)用于通信、雷達、微波技術(shù)、導(dǎo)彈、航空等領(lǐng)域。微波暗室可以節(jié)約人力、物力，縮短產(chǎn)品的試驗周期，具有明顯的經(jīng)濟價值和社會意義［1，2］。

1 國內(nèi)外微波暗室設(shè)計技術(shù)的發(fā)展

20世紀50年代初，美國麻省理工學院把微波吸納材料應(yīng)用于輻射實驗室，從此微波暗室技術(shù)開始發(fā)展起來。在同一時期，美國海軍實驗室、德國哥廷根大學、瑞士郵電部等也建立了微波暗室。1958年，日本東京大學建立了日本第一個微波暗室，并發(fā)展迅速。

在國外，一般的微波暗室靜區(qū)反射率電平為－30 dB～－40 dB，可以滿足一般的微波工程試驗，但是有些精密實驗則要求－50 dB～－70 dB的反射率電平。美國加利福尼亞州火箭導(dǎo)彈中心的微波暗室的靜區(qū)可以達到－65 dB，前蘇聯(lián)也有－60 dB～－70 dB的微波暗室［3］。

微波暗室性能的好壞，在很大程度上受到微波吸納材料的性能的影響，美國和日本在微波吸納材料方面做了大量的研究。20世紀50年代初，微波吸納材料只有－20 dB的水平；但是到50年代末，就達到了－40 dB的水平；60年代中期，就有了吸納衰減可以達到－60 dB的材料。微波吸納材料的發(fā)展，為微波暗室設(shè)計提供了重要基礎(chǔ)。對于微波暗室的結(jié)構(gòu)造型，研究人員也進行了很多研究，設(shè)計出矩形、錐形、橫向隔板形、縱向隔板形、孔徑形、半圓形等，通過不同的造型以達到提高微波暗室靜區(qū)的性能，從而提高測試精度。

雖然微波暗室的投資比較大，但是由于微波暗室可以大幅提高實驗精度，縮短實驗時間，各國仍然大力建造微波暗室。日本已經(jīng)建立了幾十個微波暗室，美國則建立了400多個微波暗室。

我國早在20世紀60年代初期就開始了微波暗室的研究，但是由于發(fā)展過程比較曲折，目前與國外還有一定差距。60年代末，我國只有少量的微波暗室，并且性能也不高，只能適用于喇叭天線和天線單元的測試。從70年代末開始，為了滿足火箭、人造衛(wèi)星、宇航技術(shù)等的需要，大連中山化工廠、南京14所等單位相繼研制了高性能吸納材料，吸收衰減可以達到－50 dB～－60 dB。目前，我國已經(jīng)建立了80多個微波暗室，結(jié)構(gòu)形狀以矩形、錐形為主，吸波材料主要選用尖劈形、橡膠圓錐形、角錐形等。南京14所的微波暗室，長26 m、寬18 m、高16 m，內(nèi)部鋪設(shè)角錐形吸波材料，重要區(qū)域鋪設(shè)800 mm高的雙錐形吸波材料，其性能達到了較高水平［4，5］。此外，西安電子科技大學、南京航空航天大學、北京航空航天大學等單位也建立了微波暗室。

在微波暗室內(nèi)進行的測量方法一般可以分為近場測量與遠場測量兩種。在距離天線口徑3到10個波長的距離進行的測量稱為近場測量，近場測量由于受到實時性等因素的制約，加上需要成本較高的專用配套測試系統(tǒng)，因而在應(yīng)用上很受限制；在天線的輻射遠場區(qū)直接進行的測量稱為遠場測量，遠場測量由于簡單易行，并且測試系統(tǒng)的組建也比較方便，因此應(yīng)用非常廣泛。

在菲涅爾過渡區(qū)，先要將此天線饋源在微波暗室里的離散測量值用初等函數(shù)精確擬合，再由專用程序定量求出過渡區(qū)CINRAD天線輻射場的方向圖，考慮到CINRAD的工作方式后進行預(yù)處理；得到某被測點由CINRAD電磁輻射造成的環(huán)境影響。

2 微波暗室設(shè)計的研究

2．1 微波暗室?guī)缀未笮〉倪x擇

根據(jù)不同的實驗需要以及遠區(qū)場的條件，微波暗室的長度一般在數(shù)米到數(shù)十米。下面以比較常見的矩形微波暗室為例，說明微波暗室的幾何大小的選擇。

（1）微波暗室的長度選擇

通常根據(jù)被試驗物體的尺寸以及被使用的最高頻率來確定微波暗室的設(shè)計長度，因為這些因素決定了平面波照射的遠場特點。設(shè)兩天線之間的距離為R，被測物體的口徑為D，工作波長為λ，由于在天線口面上電磁波的最大相位差一般不應(yīng)超過π／8，可以得出被測物體與發(fā)射源之間的最小距離滿足式（1）。設(shè)微波暗室的總長度為L，發(fā)射端與接收端到相鄰墻壁的距離分別為a、b，則微波暗室的總長滿足式（2）［6］。

（2）微波暗室的寬度與高度選擇

從已建造的微波暗室的現(xiàn)狀來看，暗室的長寬比一般都在3：1到2：1之間。微波暗室的寬度選擇要滿足鏡反射點在一定的范圍內(nèi)，并使入射角限制在使反射能量處于所需要的精度上，由于吸波材料在入射角超過60°時性能會變差，為了盡可能有效地應(yīng)用吸波材料，入射角一般小于60°，微波暗室的寬度W 一般應(yīng)滿足式（3）［6］。

微波暗室的高度選擇與寬度選擇原則一致，為了減少較差極化分量的產(chǎn)生，降低通路損耗的不均勻性，微波暗室的高度一般與寬度相同或者相近。

2．2 屏蔽層的設(shè)計

為了防止能量泄漏以及外來電磁波的干擾，微波暗室除了在室內(nèi)表面覆蓋吸波材料以外，還對暗室進行屏蔽隔離。屏蔽隔離一般是在吸波材料的背面貼上金屬薄板屏蔽層可以把未經(jīng)吸波材料吸收的能量再反射回去，從而可以進行多次吸收，提高能量的吸收率。屏蔽層材料一般選用鋼板、銅板、銅網(wǎng)等材料［7］。

由于增加了屏蔽層，會對微波暗室的設(shè)計、成本、建造等方面提出新的要求。對于吸波材料的間隙也要求不能太大，否則會導(dǎo)致入射的電磁波未被吸波材料吸收而被屏蔽層反射回來，從而影響微波暗室的性能［8，9］。

屏蔽層的接地也是重要的考慮因素。接地電阻不能過大，否則會影響屏蔽效果。屏蔽層接地有單點接地與多點接地兩種形式，常用的是單點接地。另外，對屏蔽門、觀察窗、通風口等也需要認真設(shè)計，對所有進入微波暗室的電源以及相關(guān)設(shè)備儀器的地線，都應(yīng)該采取濾波措施。

2．3 吸波材料的選用

吸波材料作為微波暗室的關(guān)鍵部分，主要用來減少或者消除微波的反射與散射。微波暗室的性能好壞在很大程度上取決于吸波材料的吸波性、形狀、厚度、頻帶特性、種類等。吸波材料的吸收率越高，則反射性越小，周圍環(huán)境也就越接近自由空間，微波暗室的作用效果也就越明顯。

吸波材料的性能可以用反射率電平、散射率電平、比吸收功率、工作頻率、允許的入射角范圍等五項電氣參數(shù)來評價。吸波材料的選用和設(shè)計一般按照微波暗室的設(shè)計要求進行，吸波材料可以選擇復(fù)合吸波材料與異形結(jié)構(gòu)，以提高吸波效果［10，11］。

目前微波暗室主要采用微波、毫米波超寬帶微波吸波體。超寬帶吸波體一般采用多層結(jié)構(gòu)，并選用楔形或者錐形，從而使入射波能量能夠逐步被吸收，材料一般選用碳、聚丙烯、聚乙烯等有機材料合成。

2．4 靜區(qū)的設(shè)計

微波暗室中反射信號低于直射信號某一技術(shù)指標的區(qū)域稱為靜區(qū)。在靜區(qū)中的內(nèi)部或邊緣的任何一點，從天花板、墻壁、地板等反射回來的電磁波都小于到達該點的直射信號的某個指標值，比如－40 dB。衡量靜區(qū)性能的指標為靜度，可以由反射系數(shù)或者反射率電平來確定，如式（4）所示，靜度的單位為dB［2，9］。

式中，Emax＝ED＋ER；Emin＝ED－ER；ED為直射信號；ER為反射信號。

靜區(qū)的形狀有球形、圓柱形、正方形、長方形等。靜區(qū)的性能考慮主要包括靜區(qū)的位置、范圍、形狀等，而這些又取決于微波暗室的形狀、大小、被測物體的大小、工作頻率、以及吸波材料的性能等因素。在測量天線的輻射參數(shù)時，靜區(qū)就是滿足遠區(qū)條件的測試區(qū)，靜區(qū)的直徑d必須不小于待測天線的直徑，一般可以用式（5）來表示。

3 結(jié) 論

根據(jù)不同的實驗需要以及遠區(qū)場的條件，微波暗室的長度一般在數(shù)米到數(shù)十米。微波暗室的長度選擇通常根據(jù)被試驗物體的尺寸以及被使用的最高頻率來確定，暗室的長寬比一般都在3：1到2：1之間，微波暗室的高度選擇與寬度選擇原則一致，為了減少較差極化分量的產(chǎn)生，降低通路損耗的不均勻性，微波暗室的高度一般與寬度相同或者相近。

為了防止能量泄漏以及外來電磁波的干擾，微波暗室除了在室內(nèi)表面覆蓋吸波材料以外，還對暗室進行屏蔽隔離。屏蔽層需要考慮屏蔽層的材料、結(jié)構(gòu)、成本、接地等方面。

吸波材料作為微波暗室的關(guān)鍵部分，主要用來減少或者消除微波的反射與散射。吸波材料的性能可以用反射率電平、散射率電平、比吸收功率、工作頻率、允許的入射角范圍等五項電氣參數(shù)來評價。

衡量靜區(qū)性能的指標為靜度，可以由反射系數(shù)或者反射率電平來確定。

［1］ 秦 毅，藍朝良．暗室工程的概念設(shè)計［J］．電子信息對抗技術(shù)，2009，（1）：70－73．

［2］ 段榮春．微波暗室的設(shè)計［J］．大連海運學院學報，1992，（4）：360－364．

［3］ 趙 雷．微波暗室靜區(qū)反射率電平的設(shè)計仿真［D］．西安：西安電子科技大學，2006．

［4］ 董國華．微波暗室天線自動化測試系統(tǒng)及誤差分析［D］．南京：南京理工大學，2005．

［5］ 貢志鋒．微波暗室運動平臺系統(tǒng)設(shè)計［D］．哈爾濱：哈爾濱工業(yè)大學，2011．

［6］ 王光保．微波暗室的設(shè)計方法綜述［J］．戰(zhàn)術(shù)導(dǎo)彈技術(shù)，1980，（1）：35－42．

［7］ 劉鳳培．微波暗室屏蔽層接地的考慮［J］．航空電子技術(shù)，1996，（2）：33－36．