嚴(yán)琳
(電子科技大學(xué) 物理電子學(xué)院,四川 成都 610054)
隨著毫米波技術(shù)在軍事領(lǐng)域中發(fā)揮出的巨大優(yōu)勢(shì),以及其在民用方面所具備的廣闊應(yīng)用前景,使得成本低、體積小、可靠性高和便于大規(guī)模制作的毫米波單片集成電路(MMIC)得到了廣泛地應(yīng)用。微帶線是毫米波集成電路中的一種十分重要的傳輸形式,MMIC單片之間主要采用微帶線相連接。然而,目前毫米波集成系統(tǒng)之間的連接和毫米波測(cè)量系統(tǒng)仍主要采用金屬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。因此,尋求一種低成本、低損耗和易制造的寬帶矩形波導(dǎo)到微帶過(guò)渡對(duì)毫米波技術(shù)的應(yīng)用具有重要的意義。
目前常用的幾種波導(dǎo)—微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)有:波導(dǎo)—脊波導(dǎo)—微帶過(guò)渡[1]、波導(dǎo)—對(duì)極鰭線—微帶過(guò)渡[2]、波導(dǎo)—探針—微帶過(guò)渡[3-4]。這些結(jié)構(gòu)在一定范圍內(nèi)都可以實(shí)現(xiàn)較寬的帶寬。但是脊波導(dǎo)過(guò)渡加工復(fù)雜,損耗較大;對(duì)脊鰭線過(guò)渡要產(chǎn)生一系列的諧振模式,如果某一諧振頻率正好落入與其相連的器件的工作帶寬,就可能使其對(duì)器件產(chǎn)生耦合,從而影響器件的性能;耦合探針結(jié)構(gòu)因波導(dǎo)出口方向與電路垂直,使其不滿足很多系統(tǒng)需要。為了進(jìn)一步提高這些過(guò)渡結(jié)構(gòu)的性能,研究者們提出了一些新穎的結(jié)構(gòu),在一定帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了較好的插入損耗和回波損耗,但不易加工。
文中采用了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和加工方便的反對(duì)稱漸變探針結(jié)構(gòu),使用三維電磁仿真軟件HFSS進(jìn)行了仿真,在W波段全波導(dǎo)帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。
圖1為此設(shè)計(jì)在HFSS中的結(jié)構(gòu)視圖。該結(jié)構(gòu)主要包含3部分:微帶線、矩形金屬波導(dǎo)和反對(duì)稱漸變探針。探針過(guò)渡是利用一段起耦合作用的微帶線將波導(dǎo)中的電磁場(chǎng)耦合到微帶線中去,實(shí)現(xiàn)毫米波信號(hào)在波導(dǎo)與微帶線中的相互傳輸。矩形波導(dǎo)中電磁波傳輸?shù)闹髂門E10模,其波阻抗定義為:
根據(jù)這一特性阻抗的定義計(jì)算可知,其阻抗值比50 Ω標(biāo)準(zhǔn)微帶線要高很多,為了保證兩者之間的良好匹配,必須在矩形波導(dǎo)和微帶線之間采用阻抗變換,把波導(dǎo)的等效阻抗逐步降低為微帶線的特性阻抗。此外,阻抗變換過(guò)程越平緩,插損就越小,傳輸性能就越好。在此結(jié)構(gòu)中,反對(duì)稱漸變曲線采用HFSS仿真軟件中的Spline曲線 (通過(guò)選取節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和位置的不同模擬曲線曲率)來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。文中選取了5個(gè)節(jié)點(diǎn)以確定其曲率,通過(guò)改變節(jié)點(diǎn)的位置對(duì)曲線進(jìn)行優(yōu)化。選用Spline曲線設(shè)計(jì),不僅可以在很大程度上提高反對(duì)稱漸變段的過(guò)渡性能,而且便于設(shè)計(jì),縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
圖1 利用反對(duì)稱漸變探針構(gòu)成的波導(dǎo)微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)視圖Fig.1 Structure of waveguide to microstrip using antisymmetric probes
文中采用WR-10(2.54 mm×1.27 mm)矩形波導(dǎo),過(guò)渡到50 Ω標(biāo)準(zhǔn)微帶線(寬度為0.38 mm),微帶線和反對(duì)稱漸變探針制作在Rogers RT/Duroid5880軟基片上,介質(zhì)基片厚度為0.127 mm,相對(duì)介電常數(shù)εr=2.22。實(shí)際使用過(guò)程中常在微帶電路四周用金屬腔屏蔽,以減少輻射損耗和機(jī)械損耗。此仿真中金屬腔設(shè)為理想導(dǎo)體,尺寸為1.27 mm×1.27 mm,介質(zhì)基片由波導(dǎo)寬邊的中間位置插入,使反對(duì)稱漸變探針置于波導(dǎo)的E面。
圖2 微帶波導(dǎo)探針過(guò)渡的俯視圖Fig.2 Top view of microstrip to waveguide probe transition
在此設(shè)計(jì)中,整個(gè)反對(duì)稱漸變探針起阻抗變換的作用,又因其在波導(dǎo)腔內(nèi)完成,故減小了設(shè)計(jì)電路的尺寸。從圖3中可以看出,反對(duì)稱漸變過(guò)渡結(jié)構(gòu)最后把波導(dǎo)的高阻抗變換到接近標(biāo)準(zhǔn)微帶線的50 Ω。從圖4可以觀察出,反對(duì)稱漸變探針將微帶中Z極化方向的電場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)榫匦尾▽?dǎo)中TE模式的Y極化方向電場(chǎng)。
圖3 反對(duì)稱漸變過(guò)渡到微帶線端口阻抗Fig.3 Port impedance of using the antisymmetric probes
圖4 反對(duì)稱漸變過(guò)渡的場(chǎng)分布圖Fig.4 Field distribution of using the antisymmetric probes
為了得出適用于工程應(yīng)用的參考數(shù)據(jù),消除不必要的重復(fù)設(shè)計(jì),文中通過(guò)高頻仿真軟件HFSS對(duì)結(jié)構(gòu)的敏感尺寸進(jìn)行了仿真和優(yōu)化,總結(jié)出這些參數(shù)變化對(duì)過(guò)渡性能的影響,以得出便于實(shí)際工程應(yīng)用。表1給出了結(jié)構(gòu)的主要參數(shù)和對(duì)應(yīng)的尺寸。b0為反對(duì)稱漸變探針重合部分的長(zhǎng)度,b3為反對(duì)稱漸變探針開始端的寬帶,d為反對(duì)稱漸變探針末端到矩形波導(dǎo)壁的距離。在仿真優(yōu)化中,b0、b3和d是優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)。
表1 微帶波導(dǎo)探針過(guò)渡結(jié)構(gòu)的主要參數(shù)(單位:mm)Tab.1 Main parameters of microstrip to waveguide probe transition(units:mm)
圖5為調(diào)節(jié)b0時(shí),W波段所對(duì)應(yīng)的插入損耗和回波損耗。這部分結(jié)構(gòu)是能量開始比較集中的地方,所以是調(diào)節(jié)的關(guān)鍵參數(shù)。仿真過(guò)程中,可設(shè)置其初值為四分之一波長(zhǎng),再根據(jù)效果做進(jìn)一步的調(diào)節(jié)。
圖6和圖7是調(diào)節(jié)d和b3的尺寸所對(duì)應(yīng)的插入損耗和回波損耗在W波段內(nèi)的曲線。b3的尺寸應(yīng)與微帶的寬度相差不大,以盡量減少因微帶線與反對(duì)稱漸變探針連接部分尺寸突變帶來(lái)的影響。d的尺寸如果過(guò)小,則會(huì)影響場(chǎng)分布。在仿真優(yōu)化時(shí),可以先大致確定b0和b3的值,再調(diào)節(jié)d的值以快速達(dá)到最佳的效果。
由圖 5、6和 7可知,當(dāng) b0=0.6 mm,d=0.15 mm,b3=0.33 mm時(shí)可得到比較好的場(chǎng)耦合,且在尺寸變化不大的范圍內(nèi)仍可以取得較好的效果,故降低了加工的精度。在設(shè)計(jì)中,較大尺寸的過(guò)渡結(jié)構(gòu)可以保證良好的過(guò)渡性能,但設(shè)計(jì)人員都希望過(guò)渡段越短越好,另一方面尺寸過(guò)短又會(huì)使回波損耗顯著增加,所以選擇一個(gè)合理的過(guò)渡長(zhǎng)度,對(duì)過(guò)渡特性有很重要的影響,此結(jié)構(gòu)中最后優(yōu)化的b1=0.88 mm。綜合以上幾種參數(shù)的掃描結(jié)果分析,再結(jié)合表1所給尺寸可得仿真結(jié)果如圖8。在W波段全波導(dǎo)帶寬內(nèi),插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。在中心頻率處,插入損耗為0.073 dB,回波損耗為39.2 dB。圖中虛線為插入損耗,實(shí)線為回波損耗。
圖5 不同的b0值所對(duì)應(yīng)的S參數(shù)曲線Fig.5 Simulated S-parameters of different b0
圖6 不同的d值所對(duì)應(yīng)的S參數(shù)曲線Fig.6 Simulated S-parameters of different d
圖7 不同的b3值所對(duì)應(yīng)的S參數(shù)曲線Fig.7 Simulated S-parameters of different b3
圖8 插入損耗和回波損耗的仿真結(jié)果Fig.8 Simulated insertion and return losses
文中設(shè)計(jì)了一種中心頻率為94 GHz的波導(dǎo)-微帶探針過(guò)渡結(jié)構(gòu)并采用HFSS對(duì)其進(jìn)行了仿真和優(yōu)化。從仿真結(jié)果分析可知,該過(guò)渡設(shè)計(jì)具有頻帶寬,插入損耗小,回波損耗大,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和加工容易的特性,又因整個(gè)阻抗變換部分都在波導(dǎo)腔內(nèi)完成,使其具有結(jié)構(gòu)緊湊的特性,故該結(jié)構(gòu)在毫米波段的應(yīng)用前景非常廣闊。
[1]Moochalla S S,An C.Ridge waveguide used in microstrip transition[J].Microwaves RF,1984(3):149-153.
[2]Lavedan L J.Design of waveguide-to-microstrip transition specially suited to millimeter-wave applications[J].Electronics Letters,1997(13):604-605.
[3]Ho T Q,Shih Y C.Spectral-domain analysis of E-plane waveguide to microstrip transitions[J].IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,1989(37):388-392.
[4]Shih Y C, Ton T N, Bui L Q.Waveguide-to-microstrip transitions for millimeter-wave applications[J].IEEE MTT-S Int.Microwave Symposium Digest,1988(2):473-475.
[5]Kaneda N,Qian Y,Itoh T.A broadband microstrip-towaveguide transition usingquasi-Yagiantenna[J].IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,1999(47):2562-2567.
[6]LIN Ting-huei,WU Ruey-Beei.A Broadband Microstrip-to-Waveguide Transition with Tapered CPS Probe[C]//Proc.32nd Eur.Microwave Conf.,2002:1-4.
[7]Wu P, Wang Z, Zhang Y,et al.Wideband waveguide to microstrip probe transition with LTCC technology[J].Electronics Letters,2011(47):43-44.