Synopsys推出可用于TSMC 28納米工藝的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫

全球領先的半導體設計、驗證和制造軟件及知識產(chǎn)權（IP）供應商新思科技有限公司宣布：即日起推出其用于臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動高性能（HPM）工藝技術的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫知識產(chǎn)權（IP）。Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫專為提供高性能、低漏電及動態(tài)功率而設計，使工程師們能夠優(yōu)化其整個系統(tǒng)級芯片（SoC）設計的速度與能效，這種平衡在移動應用中至關重要。與DesignWare STAR Memory System?的嵌入式測試與修復技術相結合，Synopsys的嵌入式存儲器和標準元件庫為設計者提供了一個先進、全面的IP解決方案，可生成高性能、低功耗的28納米SoC，并降低了測試與制造成本。

新的DesignWare IP擴展了Synopsys豐富的、包括高速低功率存儲器和標準元件庫的產(chǎn)品組合，其發(fā)貨量已經(jīng)超過了十億片芯片，并可支持從180納米到28納米一系列代工廠與工藝。DesignWare 28納米邏輯庫利用多種閾值變量與柵極長度偏移組合，來為多樣化的SoC應用提供最佳性能與功率消耗。這些邏輯庫提供多樣的、易于綜合的單元集及布線器友好的標準單元庫架構，它們專為基于最小的芯片面積和高制造良品率的數(shù)GHz級性能而設計。功率優(yōu)化包（POK）為設計師提供了先進的功率管理能力，它們由廣受歡迎的低功耗設計流程支持，包括關斷、多電壓和動態(tài)電壓頻率調(diào)整（DVFS）。

將高速度、高密度和超高密度組合在一起的DesignWare嵌入式存儲器，為設計師在其SoC中所用的每個存儲器實現(xiàn)性能、功率和面積的平衡帶來了靈活性。對于諸如移動設備等功率敏感應用，所有的Synopsys 28納米存儲器都整合了源偏壓和多種功率管理模式，可明顯地減少漏電與動態(tài)功率消耗。Synopsys的超高密度兩端口靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）和16Mbit單端口SRAM編譯器，相比于標準的高密度存儲器可進一步降低面積尺寸和漏電高達40%，可使SoC開發(fā)者實現(xiàn)融合了高性能、小體積和極低功耗的差異化存儲器。DesignWare STAR存儲器系統(tǒng)，在與Synopsys的嵌入式存儲器集成后，可提供比傳統(tǒng)的附加式內(nèi)置自測試（BIST）和修復方案更小的面積和更快的時序收斂，同時還提供流片后調(diào)試和診斷性能。這縮短了設計時間、降低了測試成本并提高了制造良品率。