郭華棟
(北京宇航系統(tǒng)工程研究所,北京 100076)
內(nèi)置金屬板機(jī)箱屏蔽效能研究
郭華棟
(北京宇航系統(tǒng)工程研究所,北京 100076)
未來高技術(shù)戰(zhàn)爭在電磁空間的爭奪非常激烈,武器系統(tǒng)和設(shè)備將會(huì)受到電磁輻射的干擾或破壞,屏蔽機(jī)箱是保護(hù)電子設(shè)備不受外來電磁干擾的一種有效方法。研究了機(jī)箱內(nèi)部放置金屬板不同尺寸大小和不同安裝位置對屏蔽效能的影響,對導(dǎo)體機(jī)箱的電磁兼容設(shè)計(jì)具有參考意義。
屏蔽效能;電磁兼容;屏蔽機(jī)箱
未來高技術(shù)戰(zhàn)爭在電磁空間的爭奪非常激烈,武器系統(tǒng)和設(shè)備將會(huì)受到電磁輻射的干擾或破壞,電子設(shè)備的電磁兼容設(shè)計(jì)成為越來越重要的一個(gè)方面,直接影響到武器系統(tǒng)的整體性能。
屏蔽機(jī)箱是保護(hù)電子設(shè)備不受外來電磁干擾的一種有效方法,盡管完整的屏蔽殼體屏蔽效能很高,但是為了通風(fēng)、散熱以及導(dǎo)線接口需要,屏蔽腔體上不可避免地存在著孔縫,破壞了屏蔽的完整性,使得屏蔽效能嚴(yán)重下降。在實(shí)際工程應(yīng)用中,導(dǎo)體機(jī)箱內(nèi)部經(jīng)常放置PCB板或其他金屬板將機(jī)箱分成隔間,這些會(huì)影響機(jī)箱屏蔽效能。筆者在有孔、縫的機(jī)箱內(nèi)部放置一塊金屬板來模擬PCB板或其他導(dǎo)體板,仿真分析內(nèi)置金屬板的不同尺寸、不同位置對機(jī)箱屏蔽效能的影響。
電磁屏蔽是采用低電阻的導(dǎo)體材料或低磁阻的導(dǎo)磁材料形成封閉面,將內(nèi)外兩側(cè)空間進(jìn)行電磁性隔離,當(dāng)電磁場穿越屏蔽體時(shí),由于介質(zhì)材料的反射和消耗,造成電磁能量的衰減,從而起到屏蔽作用。
機(jī)箱屏蔽性能的好壞一般用屏蔽效能(SE)來衡量。屏蔽效能的定義是:對于給定外來源進(jìn)行屏蔽時(shí),在某一點(diǎn)上屏蔽體安放前后的電場強(qiáng)度或磁場強(qiáng)度之比值,即
由于屏蔽效能數(shù)值范圍很寬,用倍數(shù)表達(dá)不方便,因此在工程上,屏蔽效能一般用分貝(dB)表示,計(jì)算公式見式(2)。
機(jī)箱作為一個(gè)金屬諧振腔,在諧振頻點(diǎn)(f0)附近,機(jī)箱屏蔽效能會(huì)嚴(yán)重下降,矩形諧振腔諧振頻點(diǎn)的計(jì)算公式見式(3)。
內(nèi)置金屬隔板、孔縫會(huì)對機(jī)箱結(jié)構(gòu)進(jìn)行改變,導(dǎo)致諧振頻點(diǎn)發(fā)生變化,在機(jī)箱電磁兼容設(shè)計(jì)時(shí)必須充分考慮。
對于孔、縫對導(dǎo)體機(jī)箱屏蔽效能的影響,可以采用的數(shù)值算法有矩量法(MOM)、傳輸線矩陣法(TLM)和時(shí)域有限差分法(FDTD)等。筆者采用TLM法來對導(dǎo)體機(jī)箱內(nèi)部加入金屬板后的屏蔽效能仿真模擬。TLM法是一種時(shí)域求解麥克斯韋方程的方法,將求解空間劃分成傳輸線的網(wǎng)格單元,單元之間以節(jié)點(diǎn)相連,采用沖擊脈沖函數(shù)作為激勵(lì),只要一次求解就可以得到整個(gè)系統(tǒng)在整個(gè)求解空間響應(yīng),通過傅里葉變化可以得到整個(gè)頻域的響應(yīng)曲線,非常適合導(dǎo)體機(jī)箱的屏蔽效能仿真分析,可以避免頻域算法由于掃頻帶來的誤差。
人們對于孔縫的形狀、大小和方向等對機(jī)箱屏蔽效能影響研究開展較多,在此基礎(chǔ)上,筆者對機(jī)箱內(nèi)部仿真金屬隔板對屏蔽效能的影響進(jìn)行研究分析。采用基于傳輸線矩陣法(TLM)的仿真分析軟件FLO/EMC軟件對內(nèi)置金屬隔板機(jī)箱屏蔽效能進(jìn)行仿真建模分析。仿真模型尺寸為300 mm×300 mm×120 mm的一個(gè)矩形導(dǎo)體機(jī)箱,機(jī)箱內(nèi)部放置不同尺寸的理想導(dǎo)體板模擬PCB板或其他金屬隔板,機(jī)箱側(cè)壁有一個(gè)100 mm×10 mm的孔縫,平面波沖-X方向入射,求解頻率范圍設(shè)定為200~1 000 MHz。在該仿真模型中,測點(diǎn)位于機(jī)箱中心位置,屏蔽效能(SE)通過比較機(jī)箱內(nèi)部測點(diǎn)在有、無機(jī)箱2種情況下的場強(qiáng)值得到。仿真模型如圖1所示。
對于無金屬板的開孔導(dǎo)體機(jī)箱的屏蔽效能曲線如圖2實(shí)線所示。由圖2可知,機(jī)箱在700 MHz頻率附近屏蔽效能為負(fù)值,原因?yàn)榇藭r(shí)殼體發(fā)生諧振。對于TE型波振蕩,最低諧振頻率為TE101模(即m=1,n=0,p=1),利用式(3)可以計(jì)算出該模型的主模諧振頻點(diǎn)f0(101)=707 MHz,與仿真結(jié)果一致。
導(dǎo)體機(jī)箱內(nèi)部同一位置放置一塊平行于YZ平面的金屬板,金屬板大小分別為100 mm×250 mm,100 mm×200 mm,100 mm×150 mm和50 mm×50 mm,計(jì)算觀測點(diǎn)的屏蔽效能,仿真結(jié)果如圖2所示。
圖2 內(nèi)置不同尺寸的金屬板的機(jī)箱屏蔽效能曲線
圖1 內(nèi)置金屬板機(jī)箱仿真模型
由圖2的曲線分析可知,加入導(dǎo)體金屬板后,箱體的諧振頻率從700 MHz下降到540 MHz左右,并在910 MHz附近出現(xiàn)高次模諧振,在機(jī)箱設(shè)計(jì)時(shí)一定要注意金屬隔板的放置導(dǎo)致機(jī)箱諧振頻點(diǎn)的改變,從而使機(jī)箱屏蔽效能在諧振點(diǎn)附近急劇下降,影響電子設(shè)備電磁兼容性能。圖2中的細(xì)實(shí)線為50 mm×50 mm的金屬板,可以看出當(dāng)金屬板相對較小時(shí),箱體的諧振頻點(diǎn)改變很小,對箱體屏蔽效能的影響幾乎可以忽略。
對于同樣大小的金屬板,由于放置位置的不同,會(huì)對箱體的屏蔽效能產(chǎn)生不同的影響。在導(dǎo)體機(jī)箱內(nèi)部放置一塊大小100 mm×200 mm的金屬板,平行于YZ平面,導(dǎo)體板距有縫隙的機(jī)箱側(cè)面的距離為150,100,50 mm,屏蔽效能的仿真曲線如圖3所示。
圖3 內(nèi)置不同位置金屬板的機(jī)箱屏蔽效能曲線
從圖3中可以看到隨著金屬板逐漸靠近機(jī)箱的中心位置,箱體的諧振頻點(diǎn)逐漸降低,同時(shí)在1 GHz以下也出現(xiàn)了高次模的諧振頻點(diǎn)。分析圖中曲線,在400 MHz頻率以下時(shí),加入金屬板后,機(jī)箱的屏蔽效能有所提高,金屬板越靠近觀測點(diǎn),屏蔽效能提高越明顯,在200 MHz附近達(dá)到10 dB左右。機(jī)箱內(nèi)部加入金屬板后,機(jī)箱的屏蔽效能在諧振頻點(diǎn)以下部分略有提高,由于諧振頻點(diǎn)的改變,在部分頻段對機(jī)箱屏蔽效能略有提高。
對箱體內(nèi)部,取不同的測試點(diǎn),獲得的屏蔽效能曲線是有差距的。在箱體中間安置一塊平行于YZ平面的100 mm×200 mm大小的金屬板,觀測點(diǎn)分別為(100,60,150)和(200,60,150)處仿真得到的屏蔽效能曲線如圖4所示。在導(dǎo)體機(jī)箱的孔縫附近,由于耦合關(guān)系箱體的屏蔽效能要低于其他部位的測試結(jié)果。
圖4 不同觀測點(diǎn)處的屏蔽效能曲線
在對孔、縫對機(jī)箱屏蔽效能研究的基礎(chǔ)上,在機(jī)箱內(nèi)部加入理想導(dǎo)體板,模擬機(jī)箱內(nèi)部內(nèi)置PCB板或金屬板,通過建模仿真手動(dòng)分析導(dǎo)體機(jī)箱屏蔽效能的變化情況。內(nèi)置金屬板導(dǎo)致機(jī)箱諧振頻點(diǎn)下降,影響機(jī)箱屏蔽效能指標(biāo)發(fā)生變化,內(nèi)置金屬板的大小與放置位置對屏蔽效能有很大影,通過合理內(nèi)置金屬板,在部分頻段內(nèi)可改善機(jī)箱屏蔽效能。
在電子設(shè)備機(jī)箱電磁兼容設(shè)計(jì)時(shí),考慮孔、縫對屏蔽效能影響的同時(shí),必須考慮內(nèi)部金屬板對機(jī)箱屏蔽效能的影響,避免出現(xiàn)內(nèi)置金屬板而導(dǎo)致機(jī)箱屏蔽效能不達(dá)標(biāo)的情況。利用仿真分析的手段可以提前對機(jī)箱屏蔽效能進(jìn)行分析并改善,提高電子產(chǎn)品電磁兼容性能,有效降低產(chǎn)品研發(fā)成本、縮短研發(fā)周期。
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1008-1542(2011)07-0160-04
2011-06-20;責(zé)任編輯:張士瑩
郭華棟(1984-),男,山西平定人,碩士,主要從事航天系統(tǒng)電磁兼容設(shè)計(jì)、仿真與試驗(yàn)驗(yàn)證方面的工作。