聶振勇,楊 斌
(河北國華滄東發(fā)電廠,河北 滄州 061113)
隨著交流勵磁機(jī)和靜止整流勵磁系統(tǒng)的普遍應(yīng)用,大功率硅整流元件(二極管和可控硅)的使用越來越廣泛。為提高勵磁系統(tǒng)可靠性,增加勵磁電源容量,一般均采用多柜并聯(lián)運行。多個功率單元并列運行時,由于各種因素導(dǎo)致各功率單元出力不一致,影響功率單元壽命和強(qiáng)勵效果,給系統(tǒng)的長期穩(wěn)定運行帶來隱患。電力部行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DL/ T650—1998《大型汽輪發(fā)電機(jī)自并勵靜止勵磁系統(tǒng)技術(shù)條件》和DL/T583—1995《大中型水輪發(fā)電機(jī)靜止整流勵磁系統(tǒng)及裝置技術(shù)條件》規(guī)定:功率整流裝置的均流系數(shù)一般不小于0.85,而用戶往往要求均流系數(shù)不小于0.9[1,2]。
5個整流橋并列運行勵磁系統(tǒng)主回路電氣原理如圖1所示。
在勵磁柜設(shè)計、安裝過程中,并聯(lián)支路元器件與交流母線的距離都不相等,因此,交流母線的磁通對各支路電流分配所產(chǎn)生的影響也不等。母線的長短不一、刀閘的接觸電阻也有很大的不同。由于交流側(cè)的電阻、電感的影響,總體規(guī)律是電流分配與長度成反比。由于勵磁系統(tǒng)的自并勵方式,改變交流銅排電抗比較困難,而且造價高,因此,采用改變電阻的方式比較經(jīng)濟(jì)和容易。
由于可控硅通態(tài)電阻比整流橋交、直流側(cè)電阻大,一般達(dá)到R1T/(R1a+R1d)≈15[3];當(dāng)整流橋選擇的可控硅通態(tài)電流比較大,由于可控硅通態(tài)電阻下降,使兩者比值R1T/(R1a+R1d)≈4,那么交流側(cè)進(jìn)線長度對均流的影響就較明顯。如果為了減小交流進(jìn)線對均流的影響,在滿足整流橋出力要求下,可控硅通態(tài)電流的裕量不要選擇過大[4]。
對于交流側(cè)采用銅排互連的整流橋,由于其銅排呈阻性,即電阻遠(yuǎn)大于電感,因此,可以通過改變銅排電阻達(dá)到均流的目的,如在銅排上刻槽、打孔,通過改變連接銅排接觸電阻改善均流。如果采用改變電感來均流,不僅要花費較多資金,而且加裝電抗器的體積[3]和磁滯損耗發(fā)熱比較大,因此不建議采用該方法。
圖1 5個整流橋并列運行勵磁系統(tǒng)主回路電氣原理圖
在多個可控硅元器件并聯(lián)時,盡管選用元器件的正向特性完全一致,但也無法達(dá)到良好的均流效果。因為多個元器件并聯(lián)時,受到元件、快熔等接觸電阻及外界因素的影響,電流出現(xiàn)差異,當(dāng)某只整流元器件的電流(平均電流)減少時,其他整流元器件的電流將增加,以補(bǔ)償輸出電流的減少,將造成可控硅的門檻電壓壓降變化較大,直接影響輸出電流的分配??煽毓鑿挠|發(fā)到完全導(dǎo)通需要滿足門檻電壓VT(TO),因此,對于VT(TO)值大的可控硅,將滯后于VT(TO)值小的可控硅導(dǎo)通[5]??煽毓柽_(dá)到VT(TO)導(dǎo)通后,可控硅壓降將減小到VT。在整流橋可控硅排列中,需要優(yōu)先選配可控硅門檻壓降,按照門檻電壓相近原則排列同橋臂可控硅[6]??煽毓柰☉B(tài)電阻差異可以根據(jù)交直流側(cè)進(jìn)出線長短平衡。如采用交流電纜作為進(jìn)出線就是一種平衡可控硅通態(tài)電阻差異的方法,可控硅觸發(fā)時刻的差異也影響電流的分配,時間影響是至關(guān)重要的因素。硬件主要選擇特性相同的硅元件,個體差異越小越好。裝配時結(jié)構(gòu)應(yīng)對稱,如果不是銅排連接,交流進(jìn)線的電纜長度也要盡量一致,可控硅的散熱效果要好。
脈沖回路可靠性對功率柜均流可靠性至關(guān)重要。脈沖處理回路的移相電阻、電容參數(shù)的變化,使移相特性不一致,導(dǎo)致功率柜支路觸發(fā)脈沖偏移較大,造成均流失衡[8,9],脈沖易受到電磁干擾,因此在調(diào)節(jié)器與功率柜距離較遠(yuǎn)的系統(tǒng)中,需要設(shè)計脈沖變換回路,防止干擾放大,誤觸發(fā)可控硅。另外,脈沖單元的移相電阻變值、電容漏電,使移相特性改變,脈沖偏移較大,應(yīng)采用高性能的脈沖變壓器,保證脈沖觸發(fā)前沿的一致性,保證觸發(fā)脈沖前沿陡峭,觸發(fā)脈沖電流要大,以達(dá)到均流的目的。通過微調(diào)觸發(fā)脈沖位置,使難以開通、通態(tài)壓降大、回路阻抗高的可控硅提前觸發(fā),該方法適用于勵磁調(diào)節(jié)器對各功率柜分別產(chǎn)生觸發(fā)脈沖。
國華黃驊發(fā)電廠一期工程勵磁調(diào)節(jié)系統(tǒng)于2004年投產(chǎn),UNITROL5000勵磁系統(tǒng)功率柜配有完善的措施對整流橋各部分進(jìn)行智能檢測和顯示。通過功率柜門的CDP可以了解功率柜的運行狀態(tài)。勵磁系統(tǒng)通過軟件實現(xiàn)功率柜的智能均流,現(xiàn)場試驗證明,在機(jī)組空載和負(fù)載運行情況下,5柜并聯(lián)運行時均流系數(shù)均保證在97%以上,任意一個整流橋退出時,其余4柜無需人工調(diào)整,自動保證均流系數(shù)在97%以上[7]。
國華黃驊發(fā)電廠二期工程2×660 MW機(jī)組采用南瑞電氣控制公司生產(chǎn)的自并勵磁系統(tǒng),系統(tǒng)配置1臺發(fā)電機(jī)勵磁調(diào)節(jié)器、5臺可控硅整流裝置(單臺額定出力3 000 A)、1臺發(fā)電機(jī)滅磁裝置、1只滅磁電阻。3號機(jī)組勵磁系統(tǒng)已投入運行,3號機(jī)組額定勵磁電流為960 A,新系統(tǒng)自2006年開始兩功率柜輸出電流較不平衡,嚴(yán)重時A柜輸出300 A,B柜達(dá)600 A左右,均流問題急待解決。NARI脈沖驅(qū)動電路如圖2所示。
該工程勵磁系統(tǒng)配置裕度大,機(jī)組滿負(fù)荷運行時單臺可控硅整流裝置最大出力900 A,僅為其額定出力的1/3,因此均流系數(shù)沒有達(dá)到規(guī)范要求的0.85,不影響機(jī)組安全穩(wěn)定運行,對機(jī)組的正常工況及事故工況沒有影響。交流進(jìn)線柜位于5臺可控硅裝置的一側(cè),是造成均流系數(shù)低的原因之一,但不是惟一的原因,因此,要求南瑞電氣控制公司進(jìn)行以下工作。
a.在廠內(nèi)完成5臺可控硅均流試驗,定量分析回路電阻對均流系統(tǒng)的影響。
圖2 NARI脈沖驅(qū)動回路
b.在廠內(nèi)完成可控硅裝置溫升試驗、強(qiáng)勵試驗,確認(rèn)勵磁系統(tǒng)的實際運行能力。
c.提供溫升試驗和強(qiáng)勵試驗大綱,供使用單位審核。
d.提供其他發(fā)電廠勵磁系統(tǒng)加磁環(huán)試驗記錄,驗證在交流母排加磁環(huán)方法對改善勵磁系統(tǒng)均流系數(shù)的效果。
e.考慮并提供在距離交流進(jìn)線柜遠(yuǎn)端的可控硅裝置母排并聯(lián)銅排解決均流問題的方案。
完成以上工作后,確定在1、2號功率柜交流進(jìn)線處加裝磁環(huán),改善3號機(jī)組勵磁系統(tǒng)均流系數(shù)。4號機(jī)勵磁系統(tǒng)將交流進(jìn)線柜布置在5臺可控硅裝置中間,以改善均流系數(shù),因此,請設(shè)計院考慮重新排列5臺可控硅裝置的可行性,實現(xiàn)4號機(jī)勵磁系統(tǒng)盤柜優(yōu)化布置,改善4號機(jī)勵磁系統(tǒng)均流系數(shù)。加裝磁環(huán)前后各整流柜電流分配情況如表1所示,溫度、噪聲測量數(shù)據(jù)如表2所示。
表1 加裝磁環(huán)前后各整流柜電流對比A
表2 溫度/噪聲測量數(shù)據(jù)
a.盡量選用正向特性相近,且正向動態(tài)伏安特性一致的元器件。元器件損壞后,橋臂的元器件全部更換。
b.各并聯(lián)支路快熔電阻及其他接觸元器件盡可能一致。
c.推薦采用ABB公司的智能均流方法。均流是為了均功耗、均發(fā)熱,在整流元件容量裕度較大、運行工況點較低及整流器散熱能力足夠強(qiáng)時,可適當(dāng)降低均流系數(shù),只有設(shè)計裕量太小時才須“均流”。
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