TSMC宣布發(fā)展20nm工藝

TSMC于美西時(shí)間13日在美國加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22nm工藝，直接發(fā)展20nm工藝。此系基于“為客戶創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。

此次技術(shù)研討會(huì)有1500位客戶及合作廠商代表參加，TSMC研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì)中表示，TSMC 20nm工藝將比22nm工藝擁有更優(yōu)異的閘密度（gate density）以及芯片性價(jià)比，為先進(jìn)技術(shù)芯片的設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的工藝平臺(tái)。此外，20nm工藝預(yù)計(jì)于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。

TSMC 20nm工藝系在平面電晶體結(jié)構(gòu)工藝（planar process）的基礎(chǔ)上采用強(qiáng)化的高介電值/金屬閘（high-k metal gate）、創(chuàng)新的應(yīng)變硅晶（strained silicon）與低電阻／超低介電值銅導(dǎo)線（low-resistance copper ultra-low-k interconnect）等技術(shù)。同時(shí)，在其他電晶體結(jié)構(gòu)工藝方面，例如鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFet）及高遷移率（high-mobility）元件，也展現(xiàn)了刷新記錄的可行性（feasibility）指標(biāo)結(jié)果。

從技術(shù)層面來看，由于已經(jīng)具備了創(chuàng)新微影技術(shù)以及必要的布局設(shè)計(jì)能力，TSMC因此決定直接導(dǎo)入20nm工藝。

然而，蔣資深副總指出，在先進(jìn)工藝技術(shù)的開發(fā)上，我們已經(jīng)面臨一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，也就是必須主動(dòng)積極地考量其投資回報(bào)率，并且需要打破僅考慮技術(shù)層面的思維模式；我們必須通過與客戶密切合作以及在資源整合與最佳化方面的創(chuàng)新，同時(shí)解決來自技術(shù)及經(jīng)濟(jì)層面的挑戰(zhàn)。