高通公司與TSMC在28nm工藝技術(shù)上攜手合作

先進(jìn)無線通訊技術(shù)產(chǎn)品及服務(wù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)公司——美商高通公司與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴——TSMC于1月7日共同宣布，雙方正在28nm工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此先進(jìn)工藝世代可以更具成本效益地將更多功能整合在更小的芯片上，加速無線通訊產(chǎn)品在新市場上的擴(kuò)展。

小尺寸與低功耗是高通公司包括Snapdragon?芯片組平臺在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長久的合作關(guān)系，高通與TSMC正攜手將產(chǎn)品從45nm工藝直接推進(jìn)至28nm工藝。

TSMC全球業(yè)務(wù)暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，TSMC一向致力于提供客戶先進(jìn)技術(shù)平臺及設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)，我們的28nm工藝平臺可以為嶄新世代的產(chǎn)品帶來更多高效能、低耗電的產(chǎn)品體驗。我們很高興能與全球通訊領(lǐng)導(dǎo)廠商——美商高通公司攜手合作，使得更多使用者的新體驗得以實現(xiàn)。

高通與TSMC過去在65nm與45nm工藝技術(shù)合作十分密切，現(xiàn)在更進(jìn)一步延伸至低耗電、低漏電的28nm世代進(jìn)行量產(chǎn)。28nm工藝密度可較前一代工藝高出一倍，讓執(zhí)行移動運算的半導(dǎo)體元件能在更低耗電下提供更多功能。高通與TSMC目前在28nm世代的合作包括高介電層／金屬閘（High-K Metal Gate， HKMG）的高效能工藝技術(shù)以及具備氮氧化硅（Silicon Oxynitride， SiON）的低耗電高速工藝技術(shù)。此外，高通預(yù)計于2010年年中投產(chǎn)首批 28nm產(chǎn)品。

高通整合無晶圓廠制造模式（Integrated Fabless Manufacturing，IFM）成功的關(guān)鍵，乃是與策略性技術(shù)及集成電路制造伙伴密切合作，這不但展現(xiàn)極高的效率，也加速整個產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。