業(yè)界要聞

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行業(yè)快訊

2011年全球LED照明市場規(guī)模將達154億美元整體照明市場滲透率首度突破10%

繼LED TV后，LED照明將成為帶動LED產(chǎn)業(yè)高度成長的應(yīng)用產(chǎn)品。根據(jù)DIGITIMES Research最新統(tǒng)計，高亮度LED市場規(guī)模將由2010年82.5億美元，成長至2011年的126億美元，年增長率將高達53%，其中，LED照明使用顆數(shù)由2010年48億顆，將增至2011年124億顆，主因為2011年LED燈炮取代傳統(tǒng)白熾燈效應(yīng)開始顯現(xiàn)。

雖然2010年LED照明占總照明市場比重尚不高，以產(chǎn)值來看僅3.2%，然而在節(jié)能減碳意識高漲下，世界主要國家已訂定LED照明政策，積極推動LED照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展。DIGITIMES Research分析師兼項目經(jīng)理林芬卉分析，全球LED燈炮需求量將由2011年5.96億顆，大幅增長至2013年的25億顆；路燈方面，由于大陸、美國、歐洲于各主要城市已推動示范工程，預(yù)估LED路燈將由2011年220萬盞，增至2013年980萬盞，將再帶動未來數(shù)年LED照明滲透率提升。

在全球主要國家LED照明政策推動、LED發(fā)光效率顯著提升及預(yù)估LED照明價格每年將有20%～30%下跌空間等影響下，林芬卉預(yù)估，照明用LED需求量2009年至2013年CAGR將達97.4%，高于大尺寸LCD用LED背光CAGR的62.6%，且LED照明市場規(guī)模至于2011年將達154億美元，于整體照明市場滲透率首度突破10%，達10.6%。

大中華地區(qū)前4大晶圓代工廠2011年總營收將增長9.4%

根據(jù)DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，2010年全球前10大晶圓代工廠商排名中，臺積電、聯(lián)電以全年營收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第1名與第2名，中芯則以15.5億美元全年營收，位居第4名。至于臺積電旗下轉(zhuǎn)投資公司世界先進則以5億美元全年營收，亦擠身于全球前10大晶圓代工廠商之列。

柴煥欣說明，2010年全球前10大晶圓代工廠排名中，大中華地區(qū)即占4席，而大中華地區(qū)前4大晶圓代工廠2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)合計市占率高達73%，亦突顯出大中華地區(qū)在晶圓代工產(chǎn)業(yè)地位之重要性。

然而，Global Foundries挾中東阿布達比先進技術(shù)投資公司(Advanced Technology Investment Co.；ATIC)雄厚資金，除購并全球第3大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體(Chartered)外，還于美國紐約興建第3座12英寸晶圓廠Fab-8，生產(chǎn)制程更從28 nm起跳，目標(biāo)就是希望超越臺積電，成為全球最大晶圓代工廠。Global Foundries加入競爭，亦掀起晶圓代工產(chǎn)業(yè)新一波12英寸晶圓廠產(chǎn)能擴充競賽。

包括臺積電、聯(lián)電、中芯等晶圓代工廠于2010年皆相繼調(diào)高資本支出金額，柴煥欣分析，除加快12英寸晶圓產(chǎn)能擴充腳步外，為爭取更廣大訂單機會，亦為掌握整合組件廠(Integrated Devicd Manufacturer，IDM)訂單擴大委外代工的趨勢，提高45/40 nm及其以下先進制程產(chǎn)出比重，購置浸潤式機臺亦是資本支出另一個重要方向。

在大中華地區(qū)主要晶圓代工廠投入12英寸晶圓與先進制程產(chǎn)能擴充的同時，展望2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣，在2010年下半年客戶端庫存調(diào)整后，預(yù)期2011年依然會延續(xù)景氣成長的方向前進，但歷經(jīng)2009年下半年以來高成長期后，2011年將會成長趨緩，回歸至穩(wěn)定成長的軌跡。

需求成長幅度預(yù)估供給相當(dāng)，柴煥欣預(yù)估2011年大中華地區(qū)前4大晶圓代工業(yè)者營收年成長率將達9.4%，但在12英寸晶圓產(chǎn)能與45/40 nm及其以下先進制程良率與研發(fā)進度擁有優(yōu)勢的臺積電，全球市占率版圖將會進一步擴張。

2011年全球DRAM產(chǎn)能位成長率達58.8%制程升級成產(chǎn)能成長的最關(guān)鍵因素

2009年第2季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚。

DIGITIMES Research分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括中國臺灣地區(qū)、美國、日本等DRAM廠即因DRAM價格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴(yán)寒，除削減資本支出，停止原先擴廠計劃外，亦先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)廠等策略應(yīng)對，為的就是保有手中現(xiàn)金部位。

至2009年第4季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當(dāng)保守，加上缺乏足夠現(xiàn)金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，2010年第2季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計劃，率先將30 nm制程導(dǎo)入量產(chǎn)，并大幅擴充內(nèi)存產(chǎn)能；加上歐債風(fēng)暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現(xiàn)貨價從2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩(wěn)的跡象。

柴煥欣分析：事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產(chǎn)能擴充的腳步都顯得相當(dāng)保守，但隨先進制程占產(chǎn)出比重提高，產(chǎn)能依然出現(xiàn)明顯增長，以65 nm制程升級至50 nm制程，產(chǎn)能即可增加50%，從50 nm制程轉(zhuǎn)換至40 nm制程，產(chǎn)能將更進一步增長45%。

依據(jù)各DRAM廠所開出產(chǎn)能分析，柴煥欣預(yù)估，2010年全球DRAM供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb增長49.4%。2011年全球DRAM供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步增長58.8%，2011年DRAM供給量大幅增長的原因則來自于先進制程的升級，其次才是來自于產(chǎn)能擴增。

包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40 nm制程產(chǎn)能將于2011年大量開出，且先進制程占營收比重將會逐季提高，柴煥欣認(rèn)為：這意味著2008年下半以來DRAM控制產(chǎn)能擴張的時期將告一段落，轉(zhuǎn)而進入透過制程升級來擴張產(chǎn)能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關(guān)鍵因素。