廣晟微電子推出TD-HSPA+可供商用的射頻芯片

2008年,廣晟微電子率先推出了可供商用的TD-SCDMA HSDPA射頻芯片,為保障北京奧運會對3G通信的需求,實現中國人在第二十九屆奧運會上提供3G通信服務的莊嚴承諾做出了重要貢獻。

為確保TD技術的先進性,廣晟微電子投入力量研發(fā)了滿足TD-HSPA+要求的射頻收發(fā)芯片。該芯片是采用先進的0.13um RFCMOS工藝開發(fā)的射頻芯片,提供了天線到基帶的完備方案,支持TD-SCDMA雙頻段,并且集成齊全的模擬基帶功能,直接提供數字IQ接口。由于內部采用高性能的射頻前端,高效優(yōu)化的接收架構,使得接收通道在具備低至2.5dB的噪聲系數的同時,仍然保持充裕的非線性抑制空間。接收EVM(誤差矢量幅度)優(yōu)于4%使得HSPA+等3.9G應用能順利開展。片內集成14bit高動態(tài)范圍的ADC,再加上多種時隙模式的自動反饋控制,能夠在全程范圍內保持輸出數字IQ信號的幅度,而無需基帶芯片的參與,保證了時分系統AGC的快速和精準,誤差可精確到1dB。發(fā)射通道集成10bit雙路DAC、低通濾波和功放驅動,在輸出功率0dBm以上時,具備-40dBc的ACLR(鄰道功率泄漏比),發(fā)射EVM優(yōu)于3%。創(chuàng)新的設計保證80dB的動態(tài)范圍。發(fā)射輸出集成Balun,節(jié)省外部元件,并且極低的遠端輸出噪聲使得發(fā)射SAW濾波器可被省去。包含VCO/PLL在內,該芯片接收、發(fā)射電流消耗能分別控制在50mA、100mA之內,待機模式耗電在uA數量級。

廣晟微電子一直注重自有技術創(chuàng)新,憑借完備的軟硬件開發(fā)設施以及實力雄厚的射頻芯片開發(fā)團隊,在開發(fā)該款芯片時運用了國際先進的集成電路設計技術,從前端電路設計、系統仿真到后端版圖的全部工作均為自主開發(fā),是一款具備100%自主知識產權射頻產品。

據了解,基于在TD-SCDMA 射頻芯片研發(fā)上多年的技術積累和成功經驗,廣晟微電子承擔了國家工信部“新一代寬帶無線移動通信網重大專項”TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)課題的重要使命,目前已經啟動了TD-LTE射頻芯片的研發(fā)工作。該芯片是一款符合3GPP TD-LTE 及國內相關規(guī)范要求;支持多頻段,包括2300MHz~2400MHz、2010MHz~2025MHz和1880MHz~1920MHz;支持可變速率帶寬,包括5MHz、10MHz、15MHz和20MHz;支持64QAM、16QAM、QPSK、BPSK調制方式;下行支持MIMO方式為2×2多天線配置;支持無線信道跨頻段切換,切換時間<80us,方便組網頻點選擇;集成射頻收發(fā)前端(除PA外)和模擬基帶處理,提供數字基帶接口;接收機提供大于100dB動態(tài)范圍,步進精度至少1dB;發(fā)射機提供85dB動態(tài)范圍,步進精度至少0.5dB;發(fā)射誤差矢量幅度(EVM)小于2.5%;支持多接收時隙獨立增益自動控制,滿足無線資源快速調度的高水平芯片。廣晟微電子依靠多年的技術積累和不斷的自主創(chuàng)新,研究解決了高頻段(2300MHz～2400MHz)支持、數字鎖相環(huán)(DLL)技術、集成ABB的架構技術、精確的可變帶寬、高精度調制解調以及高速、低功耗、高動態(tài)ADC技術等多方面的難點問題,已經完成了TD-LTE射頻芯片的設計,2009年12月將可提供樣片,預計2010年6月可提供商用測試芯片,2010年底該芯片即可達到商用要求。