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      一種新穎不帶電阻的基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計

      2009-09-05 09:56:16譚煒鋒劉輝華
      現(xiàn)代電子技術(shù) 2009年14期
      關(guān)鍵詞:晶體管電路設(shè)計高精度

      譚煒鋒 劉輝華

      摘要:基于標(biāo)準(zhǔn)SMIC 0.18um CMOS工藝,設(shè)計一種低溫漂、高精度基準(zhǔn)電壓源,該電壓源是根據(jù)兩個工作在飽和區(qū)的NMOs管的柵源電壓差原理,產(chǎn)生一個與絕對溫度成正比(PTAT)的電流,利用它對NMOS晶體管的閱值電壓進(jìn)行補(bǔ)償,得到該電壓源。此基準(zhǔn)電壓源電路僅使用NMOs和PMOs晶體管來實現(xiàn)。在-40~+80℃的溫度變化范圍內(nèi),它的溫漂系數(shù)約為6.12 ppm/℃。

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